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[发明专利]对称高压MOS器件-CN201310120788.5无效
发明人：吴健 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种对称高压MOS器件，包括栅极、位于所述栅极下方的沟道、位于所述栅极下方两侧呈对称结构的源极区和漏极区，所述沟道在沿栅极方向延伸出所述源极区和漏极区，且与所述源极区和漏极区相切。采用本发明的对称高压MOS器件，可以有效缩短沟道长度，减小对称高压MOS器件的面积，提高集成电路的集成度，从而降低了集成电路的生产成本。同时，可以有效提高沟道的宽长比，从而提升对称高压MOS器件的性能。
对称高压 mos 器件

[发明专利]一种汽车内胎-CN201710337380.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：刘泽奎
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： B60C5/20 文献下载
摘要：本发明公开一种汽车内胎，包括胎体、高压共轨腔、高压充气嘴和低压充气嘴，胎体由若干气室组成，胎体内侧设置有高压共轨腔，高压共轨腔沿圆周中央位置通过密封隔膜一分为二，分别为高压区和低压区，高压充气嘴与高压共轨腔的高压区相通，低压充气嘴与高压共轨腔的低压区相通；高压共轨腔的低压区分别与每一个气室相通。本发明通过设置多个相对独立的气室，实现了汽车轮胎被扎后仍可继续使用，防止出现失控状态的目的；本发明通过设置高压充气嘴和低压充气嘴，不仅实现了相对独立气室的同时充气和独立封闭功能，也进一步提高了轮胎的安全性能
一种汽车内胎

[实用新型]一种高压静电喷涂辅助电极装置-CN201822200932.7有效
发明人：于豹 -专利权人：苏州必世洁机电有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： B05B5/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压静电喷涂辅助电极装置，包括高压刀梁、高压电源和高压辅助电极，所述高压刀梁的外侧安装有高压辅助电极，且高压辅助电极的外侧安装有溢出扩散区，并且溢出扩散区的右侧安装有绝缘支架，所述绝缘支架的下方设置有涂敷区，所述高压电源的外侧设置有机体壳体，且机体壳体的左右两侧均安装机体开口，所述机体开口的内部安装有喷涂工件，且喷涂工件的上下两侧均设置有溢出扩散区。该高压静电喷涂辅助电极装置设置有2个高压辅助电极，通过2个高压辅助电极形成电场感应，通过电场感应原理在不增加额外电源的条件下，在刀梁左右两侧形成约束电场，防止气溶胶从左右机体开口处溢出机体形成污染。
辅助电极辅助电极装置高压静电喷涂溢出机体开口扩散区刀梁电场感应高压电源绝缘支架喷涂工件左右两侧有机体本实用新型电场额外电源机体壳体内部安装上下两侧外侧设置气溶胶壳体涂敷污染

[实用新型]一种用于高压清洗机的溢流阀-CN200720113701.1有效
发明人：徐道聪;陈吉明 -专利权人：陈吉明
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： F16K17/04 文献下载
摘要：一种用于高压清洗机的溢流阀，有设在泵头内腔中的阀芯导向套，阀芯导向套内装有阀芯，其特征在于阀芯下段制有溢流槽且装有弹簧，在溢流槽末端阀芯处安有密封圈，将泵头内腔分隔成泵高压腔和低压区，阀芯中段由密封圈将泵头内腔分隔成泵高压腔和高压区，泵高压腔通过斜孔与高压区相通，阀芯上端与开关推杆相连，开关推杆装有推杆弹簧，并与微动开关相接触；阀芯与泵头内腔及阀芯与阀芯导向套采用间隙配合，止回阀芯分隔泵高压腔和高压区。
一种用于高压清洗溢流

[实用新型]高压开关器件-CN201220167335.9有效
发明人：易坤 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了高压开关器件。该高压开关器件，包括：衬底、外延层、源区、漏区、漂移区、栅氧、场氧、栅极部分和蛇形多晶硅部分。本申请公开的高压器件无需额外焊盘，简单实现漏极电压检测，并且其对原有制作工艺无需大的改进，使得制作的高压开关器件可靠性强。
高压开关器件

[发明专利]高压静电保护器件-CN201010511125.2有效
发明人：苏庆 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压静电保护器件，包括一硅控整流器、一第一PNP管，硅控整流器包括第一高压P阱、第二高压N阱；第一高压P阱中形成有第一N+扩散区和第一P+扩散区；第二高压N阱中形成有第二N+扩散区和第二P+扩散区；第一PNP管包括一N型埋层，N型埋层中形成有一低压N阱，低压N阱中形成有第一PNP管的基极、发射极、集电极；第一PNP管的基极、发射极短接；第一PNP管的集电极同所述第二N+扩散区和第二P+扩散区短接；第一N+扩散区和第一P+扩散区短接，用作接地端。本发明还公开了另一种高压静电保护器件。本发明的高压静电保护器件，既能有效调节静电保护的触发电压，又能提高器件开启后的骤回维持电压。
高压静电保护器件

[发明专利]一种半导体器件的形成方法-CN201010253734.2有效
发明人：邵丽;巨晓华 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-08-09 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括有高压单元区和低压单元区，及位于高压单元区和低压单元区间的隔离结构；在所述高压单元区的衬底上，通过热氧化形成均匀的高压栅极氧化层；在所述低压单元区的衬底上本发明通过干氧氧化工艺形成高压栅极氧化层，所述干氧氧化工艺形成的氧化层生长速度慢，内部的应力具有充分时间进行释放，且能够更好地释放后续膜层对其累积的应力，不会造成导体器件内部的其他结构，如隔离结构发生裂缝或断痕
一种半导体器件形成方法

[发明专利]电压转换隔离结构-CN202110690545.X在审
发明人：王佰胜;金锋;杨文清 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种电压转换隔离结构，包括基底层，基底层包括用于连接芯片的低电压区的低压连接部、用于连接芯片的高电压区的高压连接部，和漂移区，漂移区相对的两侧分别连接低压连接部和高压连接部；基底层中形成有第一导电类型半导体环，第一导电类型半导体环包括：第一导电类型环低压部形成于低压连接部位置处的基底层中；第一导电类型环高压部形成于高压连接部位置处的基底层中；第一导电类型环体部的两端分别与第一导电类型环低压部，和第一导电类型环高压部相连，形成封闭区域；在靠近第一导电类型环高压部的高压连接部中，和高电压区中，分别形成第二导电类型半导体A区和第二导电类型半导体B区。
电压转换隔离结构

[发明专利]液压轴向柱塞泵的降噪结构及其降噪方法-CN201310274919.5有效
发明人：罗云;林贤腾 -专利权人：佛山市科达液压机械有限公司
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： F04B53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种液压轴向柱塞泵的降噪结构及其降噪方法，降噪结构包括有连接配合的液压泵底座和配油盘，所述液压泵底座的一端侧设置有高压缓冲腔体，该高压缓冲腔体与配油盘的高压区连通。本发明与现有技术相比，其有益效果为：通过在液压泵底座增设高压缓冲腔体，高压缓冲腔体与配油盘的高压区连通，进而将配油盘高压区引出的高压油导入上述高压缓冲腔体内，起到缓冲降噪的作用，整体结构简单紧凑，制造容易
液压轴向柱塞结构及其方法

[实用新型]电动汽车冷暖空调微型冷凝器-CN201120181924.8无效
发明人：夏顶基 -专利权人：广东增城市基业汽车空调有限公司
申请日： 2011-05-21 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： F25B39/04 文献下载
摘要：散热器中的散热管分为高压区散热管、热交换区散热管和过冷区散热管。散热器分为高压区、热交换区和过冷区。制冷剂进入高压区、热交换区后进入干燥贮液瓶，制冷剂在干燥贮液瓶中经过干燥、过滤后再进入过冷区。本实用新型体积小、功率低、散热效率高，节约能耗，克服了普通冷凝器的散热器与干燥贮液瓶之间距离较远，制冷剂以高压从散热器出口流向干燥贮液瓶的过程中热效率降低的缺点。
电动汽车冷暖空调微型冷凝器

[发明专利]高压功率LDMOS器件及其制造方法-CN201110078690.9无效
发明人：吴孝嘉;张森;朱坤峰 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种高压功率LDMOS器件及其制造方法。所述高压功率LDMOS器件，包括：基底；位于基底内的埋层区及漂移区，所述埋层区包括主埋层区和副埋层区，所述副埋层区位于漂移区靠近源端底部且与所述漂移区相连通。本发明所提供的高压功率LDMOS器件，由于在漂移区靠近源端底部存在与漂移区相连通的副埋层区，而副埋层区与漂移区的掺杂类型相反，故所述副埋层区的存在可有助于实现Qn与Qp电荷的平衡，从而有利于提高器件击穿电压的稳定性
高压功率 ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]高压静电保护结构-CN201310294138.2有效
发明人：苏庆;邓樟鹏;苗彬彬;张强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压静电保护结构，包括一N型LDMOS置于一硅衬底上方的N型埋层内；多晶硅栅极的右侧有源区是LDMOS的漏区，由高压N阱，P‑型注入区，N‑型注入区,第一P+型扩散区和第一N+型扩散区组成；第一P+扩散区以及部分场氧化区下方是P‑注入区，第一N+型扩散区下方是N‑注入区，P‑注入区和N‑注入区被高压N阱包围；多晶硅栅极的左侧有源区是此N型LDMOS的源区，由第二N+型扩散区组成，与第二N+扩散区相隔第三场氧化区有第二P+扩散区；漏区的N+型扩散区连接ESD进入端，源区的第二N+型扩散区、第二P+型扩散区和多晶硅栅极一并接地。本发明能提高高压静电保护结构的均匀导通能力，能提高骤回电压防止闩锁效应的发生。
高压静电保护结构

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202210155370.7在审
发明人：邱淳雅;许智凯;傅思逸;林毓翔;林建廷;许嘉榕;陈金宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，先提供一基底包含一高压区以及一低压区，然后形成一基座于该高压区以及多个鳍状结构于该低压区，形成一第一绝缘层环绕该等鳍状结构，去除该基座、该第一绝缘层以及部分该等鳍状结构以形成一第一凹槽于该高压区以及一第二凹槽于该低压区，形成一第二绝缘层于该第一凹槽以及该第二凹槽内，再平坦化第二绝缘层以形成第一浅沟隔离于该高压区以及第二浅沟隔离于该低压区
半导体元件及其制作方法

[发明专利]一种不打火效率可维持的静电过滤装置-CN202010225593.7有效
发明人：陈剑峰;李川凌;蔡葵;龙时丹 -专利权人：爱优特空气技术（上海）有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B03C3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种不打火效率可维持的静电过滤装置，包括高压电源和静电电场组件，所述静电电场组件包括沿着气流方向依次布置的电离区和集尘区，所述高压电源包括检测控制模块和高压输出模块，所述高压输出模块输出高压和低压，所述高压为电离区供电，所述低压为集尘区供电，所述检测控制模块用于检测静电电场组件的负载状态，在静电电场组件的负载状态正常时，控制所述高压输出模块工作在恒压稳态供电模式。
一种打火效率可维持静电过滤装置

[发明专利]高压元件及其制造方法-CN201110072473.9有效
发明人：黄宗义;黄建豪 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种高压元件及其制造方法，高压元件形成于第一导电型基板中，该基板利用绝缘区以定义元件区，高压元件包含：漂移区，位于元件区中，其具有第二导电型杂质掺杂，且漂移区由俯视图视之，分别在横向与纵向上，第二导电型杂质的浓度分布大致具有周期性的变化；位于基板表面上，元件区中的栅极；以及位于元件区中，栅极两侧的第二导电型源极、与第二导电型漏极。
高压元件及其制造方法