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[发明专利]一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法-CN201110216528.9有效
发明人：王焱;孙静;靳喜海;刘阳桥 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：本发明涉及一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法，其特征在于以具有高导电氮化物单元(核)/高介电绝缘层结构(壳)的核壳结构复合粉体代替传统晶界层电容器的材料单元，采用SPS烧结工艺制备高介电、低损耗的仿晶界层电容器所述的仿晶界层电容器材料包括SrTiO3/TiN、BaTiO3/ZrN、CaTiO3/TiN、MgTiO3/NbN、(Ba，Sr)TiO3/TiN和Pb(Mg1/3Nb2/3)O3/NbN等。本发明的设计理念突破了传统晶界层电容器仅限于SrTiO3和BaTiO3等极个别陶瓷材料这一缺点，将其推广到一系列高介电陶瓷材料，从而可以大大扩展“晶界层电容器”的家族规模。
一类高介电损耗仿晶界层电容器及其制备方法

[发明专利]具有金属栅极的半导体结构及其制造方法-CN201410075694.5有效
发明人：程仲良;陈彦羽;陈韦任;李昌盛;张伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：用于制造金属栅极结构的方法，包括在栅极沟槽中形成高k介电层；在高k介电层上方形成蚀刻停止层；通过经由原子层沉积（ALD）操作形成具有晶界工程层、掺杂层以及覆盖层的顺序的三层，在蚀刻停止层上方形成功函调整层，晶界工程层被配置为允许掺杂剂原子渗透穿过，掺杂层被配置为将掺杂剂原子提供给晶界工程层，并且覆盖层被配置为防止掺杂层氧化；以及填充金属，以使栅极沟槽填平。在诸如约200摄氏度至约350摄氏度的各个温度下，通过ALD操作来制备晶界工程层。
具有金属栅极半导体结构及其制造方法

[发明专利]用于高温应用的变阻器-CN201980025660.6有效
发明人： P.拉文德拉纳坦;M.贝罗利尼 -专利权人：京瓷AVX元器件公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01C7/102 文献下载
摘要：本发明涉及包含介电材料的变阻器，该介电材料包含由氧化锌晶粒以及位于该氧化锌晶粒之间的晶界层组成的烧结陶瓷。该晶界层包含其量小于10摩尔％的正温度系数热敏电阻材料，基于该晶界层计。
用于高温应用变阻器

[发明专利]一种晶圆键合方法及制造的键合晶圆、芯片和半导体器件-CN202310777193.0在审
发明人：徐鸿博;张帅;毛海荣;蔡志翔;戴雨洋;曾令仿;陈光 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆键合方法及制造的键合晶圆、芯片和半导体器件，该晶圆键合方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆上具有第一介质层，第一介质层具有第一凹槽；提供第二晶圆，第二晶圆上具有第二介质层，第二介质层具有第二凹槽；在第一凹槽内形成第一导电层和第一界面改性层，在第二凹槽内形成第二导电层和第二界面改性层；对第一晶圆和第二晶圆进行键合，使第一凹槽和第二凹槽之间相对应，第一介质层和第二介质层之间相对固定，第一界面改性层和第二界面改性层之间通过在预设条件下发生冶金反应使第一晶圆和第二晶圆之间相互固定可实现，提高晶圆间键合力学性能和电学性能，同时降低键合工艺要求。
一种晶圆键合方法制造键合晶圆芯片半导体器件

[发明专利]一种CaCu3Ti4012介电复合材料及其制备方法-CN201611022378.7在审
发明人：王鸥 -专利权人：成都善水天下科技有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种CaCu3Ti4012介电复合材料及其制备方法，本发明介电复合材料包括聚合物基体材料和陶瓷微粒；所述陶瓷微粒为BaO‑CaCu3Ti4012晶粒；本发明含有经过对CaCu3Ti4012晶粒进行化学包覆‑共烧结处理，形成了晶界层厚度更厚的BaO‑CaCu3Ti4012晶粒，从而提升晶界层被击穿的电场强度，从而其具有击穿电压高，介电常数大，介电损耗小的优点，促进了复合介电材料在电子器件中的应用。
一种 cacu3ti4012 复合材料及其制备方法

[发明专利]多层陶瓷电容器-CN202210306320.4在审
发明人：尹基明;朴宰成;郑东俊 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，具有设置在两个内电极之间的介电层。所述介电层包括多个介电晶粒。在所述多个介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间的晶界具有在所述晶界中的Si的重量与Ni的重量的Si/Ni比，所述Si/Ni比为大于等于1且小于等于6。
多层陶瓷电容器

[发明专利]多层陶瓷电容器-CN202010082253.3有效
发明人：尹基明;朴宰成;郑东俊 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，具有设置在两个内电极之间的介电层。所述介电层包括多个介电晶粒。在所述多个介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间的晶界具有在所述晶界中的Si的重量与Ni的重量的Si/Ni比，所述Si/Ni比为大于等于1且小于等于6。
多层陶瓷电容器

[发明专利]多层陶瓷电子组件及用于制造多层陶瓷电子组件的方法-CN202211676350.0在审
发明人：姜雄基;全炯俊;吴知燮;金正烈;金恩重 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：所述多层陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体的外部。所述介电层包括多个介电晶粒和存在于所述介电晶粒之间的晶界。所述晶界中包括的Al与Ti的摩尔比Al/Ti满足0.022至0.028的范围。
多层陶瓷电子组件用于制造方法

[发明专利]包括石墨烯薄片的多层电容器和介电材料-CN201910018291.X在审
发明人：李丞镛;申瑜罗;金学宽;申真福;李明柱 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01G4/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种包括石墨烯薄片的多层电容器和介电材料。所述多层电容器包括：主体，包括与介电层交替设置的内电极；以及外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极。所述介电层包括多个晶粒和设置在相邻晶粒之间的晶界，并且所述晶界包括多个石墨烯薄片。
多层电容器石墨烯介电材料介电层内电极晶界晶粒交替设置相邻晶粒外电极

[发明专利]一种高击穿电压陶瓷介电材料及其制备方法-CN201611018643.4在审
发明人：王鸥 -专利权人：成都善水天下科技有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种高击穿电压陶瓷介电材料及其制备方法，本发明方法包括前驱体制备、包覆、烧结三个步骤；通过对CaCu3Ti4012晶粒进行化学包覆‑共烧结处理，形成了晶界层厚度更厚的BaO‑CaCu3Ti4012晶粒，从而提升晶界层被击穿的电场强度，即提高了击穿电压，使该陶瓷介电材料适用范围更大，应用更广泛，为电子器件的微型化提供材料保障。
一种击穿电压陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]多层陶瓷电容器-CN201811590018.6有效
发明人：朴今珍;南光熙;郑永彬;李明佑;金锺翰 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，包括介电层以及设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，并且介电层介于第一内电极和第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在陶瓷主体的外表面上并分别电连接到第一内电极和第二内电极介电层包括介电晶粒，在介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间存在晶界，并且晶界中的Si/Ti摩尔比满足15％至40％。
多层陶瓷电容器

[发明专利]多层电容器及介电组合物-CN201811053867.8有效
发明人：尹基明;金亨旭;朴宰成;咸泰瑛;权亨纯;金锺翰 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明提供一种多层电容器及介电组合物。所述多层电容器包括：主体，包括介电层以及交替地设置的第一内电极和第二内电极，且相应的介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述主体上，并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极所述介电层包含BaTiO3作为主要成分，并包括多个晶粒以及相邻晶粒之间形成的晶界，基于所述晶界中的氧化物的总含量，所述晶界包含含量为8.0wt％至18.0wt％
多层电容器组合

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN201510019313.6有效
发明人：徐长春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅极介电层和多晶硅栅极材料层，其中所述多晶硅栅极材料层为由至少两层以上的多晶硅层组成的多层结构，多层结构的所述多晶硅栅极材料层的晶粒尺寸不同，晶粒尺寸从顶层到底层呈由大到小分布，对应的晶界分层分明，晶界总长度延长；图案化所述多晶硅栅极材料层和栅极介电层，以形成栅极结构；执行源/漏区离子注入。通过本发明的制作方法，形成具有多层结构，且晶界分层分明，晶界长度相对延长的多晶硅栅极材料层，来降低硼离子在多晶硅层中的扩散速率，防止硼穿透问题的出现，进而提高器件的性能和可靠性。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010756737.1在审
发明人：郑志楷;赖德洋;杨世海;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：首先可沉积纳米晶体高介电常数薄膜作为介电材料的非晶形基质层，并且可在非晶形基质层中形成悬浮的自包含纳米晶体区。如此一来，非晶形基质层材料将自包含纳米晶体区彼此分隔，从而避免在介电层内形成晶界作为漏电及/或氧化剂路径。可将掺杂注入进入介电材料中，且自包含纳米晶体区的晶相可被修改以改变高介电常数介电材料的介电常数及/或介电材料的铁电性质中的一种或多种。
半导体装置形成方法

[发明专利]层叠体、层叠器件及它们的制造方法-CN201580004697.2有效
发明人：渡边笃;八木援;小林义政;川崎真司 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：层叠体10包括具有第一介电常数的第一材料层20和具有低于第一介电常数的第二介电常数的第二材料层30。第一材料层20包括第一粒子部22，所述第一粒子部22是BaTiO3中的一部分含有Ba、Ti以外的金属元素的化合物，和第一晶界部24，所述第一晶界部24含有ZnO且存在于第一粒子部22的粒子间。第二材料层30包括第二粒子部32和存在于第二粒子部32的粒子间的第二晶界部34。
层叠器件它们制造方法

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