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[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法-CN201510571895.9有效
发明人：陈卓 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法，方法包括对缓冲层的部分进行刻蚀形成第一刻蚀槽和第二刻蚀槽，在第一刻蚀槽和第二刻蚀槽分别形成第一含磷层和第二含磷层；在缓冲层、第一含磷层和第二含磷层上形成非晶硅层；对非晶硅层进行激光镭射，分别将第一含磷层上对应的非晶硅层转变为第一重掺杂层，将第二含磷层上对应的非晶硅层转变为第二重掺杂层，将第一含磷层和第二含磷层之间的部分非晶硅层转变为沟道有源层，将第一含磷层与沟道有源层之间的非晶硅层转变为第一低掺杂漏极端，将第二含磷层与沟道有源层之间的非晶硅层转变为第二低掺杂漏极端。
低温多晶薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种背接触电池的制备方法及背接触电池-CN202210737855.7有效
发明人：王子谦;孟庆超;翟金叶;张伟;郎芳;徐卓;王红芳;马红娜;赵学玲;潘明翠;王平;张文辉;吝占胜;张雷;吴萌萌;王钰蕾;张任远;张莉沫;李英叶;张丽娜;李锋;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种背接触电池的制备方法及背接触电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和硼硅玻璃层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼硅玻璃层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。
一种接触电池制备方法

[发明专利]一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池-CN202210744789.6有效
发明人：王子谦;孟庆超;翟金叶;张伟;郎芳;徐卓;王红芳;马红娜;赵学玲;潘明翠;王平;张文辉;吝占胜;张雷;吴萌萌;王钰蕾;张任远;张莉沫;李英叶;张丽娜;李锋;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层及硼原位掺杂非晶硅层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼氧化硅层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。
一种太阳能电池制备方法

[发明专利]一种半导体结构的制作方法-CN201610270102.4有效
发明人：王通;任保军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制作方法，包括如下步骤：S1：提供一基底，在所述基底上形成磷掺杂的第一多晶硅层；S2：在所述第一多晶硅层表面形成非掺杂多晶硅层；S3：在所述非掺杂多晶硅层表面形成磷掺杂的第二多晶硅层；S4：进行退火，使得所述第一多晶硅层及第二多晶硅层中的部分磷扩散到所述非掺杂多晶硅层中。本发明中，所述非掺杂多晶硅层可通过在形成所述第一多晶硅层的后期停止磷掺杂得到，工艺简单易行。所述非掺杂多晶硅层可以有效阻挡所述第一多晶硅层中磷的析出，从而避免隆起缺陷的形成，有效降低第一多晶硅层与第二多晶硅层界面处或内部隆起缺陷的产生概率。
一种半导体结构制作方法

[发明专利]一种Topcon电池钝化结构的制备方法-CN202110857270.4在审
发明人：王振刚;宋楠;郁寅珑;俞超 -专利权人：环晟光伏（江苏）有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种Topcon电池钝化结构的制备方法，包括：对N型晶体硅基体分别做制绒、硼扩和刻蚀清洗处理；在所述N型晶体硅基体的表面生长一氧化硅遂穿层；在所述氧化硅遂穿层上沉积一非晶硅层，沉积至部分预设厚度时，向所述非晶硅层进行重磷掺杂；沉积剩余所述预设厚度时，对所述非晶硅层进行轻磷掺杂，然后进行退火；退火后的所述N型晶体硅基体表面钝化，然后对其金属化制成电池。本发明的有益效果是通过不同工艺厚度调整通入磷烷的量，控制掺杂磷在非晶硅层中的浓度梯度，低温退火，减少磷在硅中的扩散速度，保持浓度差异，从而实现隧穿层附近富集高浓度的磷有利于隧穿，多晶硅层中的磷浓度低于隧穿层附近的效果
一种 topcon 电池钝化结构制备方法

[发明专利]一种磷硅阻燃非增强PA66复合材料及其制备方法-CN201711457976.1在审
发明人：谢国元;王圣武;欧正清 -专利权人：南京鸿瑞塑料制品有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： C08L77/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷硅阻燃非增强PA66复合材料及其制备方法，磷硅阻燃非增强PA66复合材料，其原料组分包括：PA66 45‑55份，PA6 35‑45份，阻燃剂10‑15份,抗氧剂0.1‑0.2份，表面处理剂0.1‑0.2份，磷硅阻燃剂为具有笼状七苯基三硅磷倍半硅氧烷结构的阻燃剂，前述份数为质量份数。本发明磷硅阻燃非增强PA66复合材料，在保证材料力学性能不下降的基础上，提高材料的阻燃性能以及相对漏电起痕指数。
一种阻燃增强 pa66 复合材料及其制备方法

[发明专利]一种P型硅的太阳能电池的制备方法-CN202210524090.9在审
发明人：王树林;曹建伟 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种P型硅的太阳能电池的制备方法，属于硅片电池技术领域，包括：对P型硅材质的衬底层清洗、制绒；在清洗并制绒后的衬底层的下端面进行磷扩散；在磷扩散之后，去除磷扩散过程中形成的PSG；在去除PSG之后，对衬底层的上端面和扩散层的下端面进行表面钝化处理，以形成钝化层；形成N型非晶硅层；形成P型非晶硅层；在N型非晶硅层和P型非晶硅层之外沉积形成减反射层；印刷形成金属电极；在印刷金属电极之后，对半成品电池进行高温烧结，使得金属电极和硅形成金属硅化物；并使得N型非晶硅层和P型非晶硅层转化为poly‑Si(n)层和poly‑Si(p)层；达到降低电池成本，且避免使用硼扩散工艺的技术效果。
一种太阳能电池制备方法

[发明专利]具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池-CN202211514361.9在审
发明人：王守志;王丽婷;王金淳;杜敬良;周啸颖;刘阳;黄国平;李菁楠 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池，包括单晶硅片，单晶硅片的上表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A1、n型磷掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线，构成电池正面，单晶硅片的下表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A2、p型硼掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线，构成电池背面，本征非晶硅层A1与n型磷掺杂非晶硅层之间还设有本征氢化非晶硅层B1，本征非晶硅层A2与p型硼掺杂非晶硅层之间还设有本征氢化非晶硅层本发明以量产线异质结电池为基础，优化设计入光侧和背光侧本征氢化非晶硅层的膜厚及两者的匹配，提高异质结电池在钝化效果、透过率、电池转换效率上的性能。
具有氢化非晶硅层量产线异质结电池

[发明专利]一种TOPCon电池绕镀多晶硅的去除方法及应用-CN202010667851.7在审
发明人：沈梦超;顾振华;张胜军;吴智涵;绪欣;许佳平;曹育红;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种TOPCon电池绕镀多晶硅的去除方法及应用，包括：获得正面覆盖有硼发射极和BSG、背面抛光的硅衬底；在背面制作遂穿氧化层；利用LPCVD在所述硅衬底上双面沉积非晶硅层；磷扩散退火将背面的非晶硅层晶化成掺磷多晶硅层，并在掺磷多晶硅层的表面形成PSG；去除位于硅衬底正面和侧面的绕镀多晶硅层表面的PSG；去除绕镀多晶硅层；去除正面BSG及背面PSG。本发明在背面沉积非晶硅层的同时也在正面和侧面沉积一层非晶硅层，解决了现有技术中绕镀非晶硅层在正面不均匀的现象，保护正面硼发射极不被破坏；大大降低了电池的漏电流；简化了工艺流程；不需要额外增加其他设备，降低了生产成本
一种 topcon 电池多晶去除方法应用

[发明专利]一种制备HBC太阳能电池的方法及其HBC太阳能电池-CN202211359380.9在审
发明人：董雪迪;林佳继;张武;刘群 -专利权人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：所述方法包括硅衬底层、正面本征氢化非晶硅层、正面磷掺杂氢化非晶硅层、正面氮化硅减反射膜层、背面本征氢化非晶硅层、背面磷掺杂氢化非晶硅层、背面硼掺杂氢化非晶硅层和背面透明导电氧化物薄膜层的制备步骤。本发明能够提供一种质量更好且缺陷更少的非晶硅薄膜，进而提升了HBC太阳能电池的光电性能，并且正面无栅线遮挡，进而能够捕获更多的太阳光，同时制备工艺步骤简化，不需要在多台设备间切换。
一种制备 hbc 太阳能电池方法及其

[发明专利]一种磷掺杂多晶硅膜、其制备方法和用途-CN202210886651.X在审
发明人：周雨;董雪迪;张武;林佳继 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种磷掺杂多晶硅膜、其制备方法和用途，所述制备方法包括以下步骤：以正硅酸乙酯和磷烷作为反应气源，在反应腔内采用热丝化学气相沉积法在硅片的表面沉积得到磷掺杂非晶硅膜；抽除反应腔内的气体，并通入保护气，调节热丝化学气相沉积法中热丝距离对所述的磷掺杂非晶硅膜进行加热退火，加热退火后制备得到所述的磷掺杂多晶硅膜。本发明以磷烷和正硅酸乙酯作为原料，采用利用热丝化学气相沉积法制备磷掺杂多晶硅膜，通过热丝距离调节，实现催化沉积和退火加热激活，大大缩短了制备时间，且避免了大气对磷掺杂非晶硅膜的污染。
一种掺杂多晶制备方法用途

[发明专利]二氧化锡薄膜与硅异质结太阳电池-CN200510111017.5无效
发明人：周之斌;李友杰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2005-12-01 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种半导体技术领域的二氧化锡薄膜与硅异质结太阳电池。本发明包括：电池迎光面栅线电极、掺氟的二氧化锡层、二氧化硅层、n型硅基底、本征非晶硅薄膜、磷掺杂非晶硅薄膜以及铝背电极。电池迎光面栅线电极在掺氟的二氧化锡层之上，掺氟的二氧化锡层与n型硅基底的正面之间夹了一层二氧化硅层，n型硅基底的背面依次沉积本征非晶硅薄膜和磷掺杂非晶硅薄膜以及铝背电极。本发明降低了薄膜的串联电阻，背面的本征非晶硅薄膜、掺磷非晶硅薄膜与硅片构成高低结，改善了电池的电输出性能，工艺简单，产业化成本低。
氧化薄膜硅异质结太阳电池

[发明专利]一种叠层固态掺杂源结构及p型TOPCon太阳能电池的制备方法-CN202310059062.9在审
发明人：曾俞衡;叶继春;杜浩江;刘伟;廖明墩;杨阵海 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供一种叠层固态掺杂源结构及p型TOPCon太阳能电池的制备方法，叠层固态掺杂源结构包括层叠设在的磷掺杂源非晶硅层、正面介质层、晶硅衬底、背面介质层和硼掺杂源非晶硅层。本发明利用介质层和磷掺杂源非晶硅层的叠层结构作为磷扩散源，其电学与钝化性能良好，同时可以调控扩散温度使之与背面p‑TOPCon结构退火温度相匹配，从而实现一步退火的制备工艺。
一种固态掺杂结构 topcon 太阳能电池制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池LPCVD工艺-CN202111029186.X在审
发明人：欧文凯;董思敏;向亮睿 -专利权人：普乐新能源科技（徐州）有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池LPCVD工艺，在隧穿氧化层上形成密度不同的非晶硅层，后续工艺在进行高温磷扩散时，第一层超致密非晶硅层在制备过程中速率较慢，相较致密，悬挂键较少，转变成相较偏小的晶粒同时伴随出现较多晶界，第二层非晶硅层转变较大晶粒同时伴随出现较少晶界，在磷原子扩散的过程中，表面高浓度磷原子向内部梯度扩散，利用间隙/替位扩散小于晶界吸收磷原子速度，使得磷原子扩散到隧穿氧化层处速率降低，且隧穿氧化层远离基底处有高浓度的磷掺杂量，增强了场钝化，有效减少了磷原子穿透隧穿氧化层，保证了隧穿层的作用，通过该发明使得掺杂后非晶硅+隧穿氧化层组成的TOPCon结构大大提升选择载流子的作用，有利于太阳能电池效率的提升。
一种 topcon 电池 lpcvd 工艺

[发明专利]一种单晶硅太阳能电池的生产工艺-CN201310110791.9有效
发明人：廖伟城 -专利权人：廖伟城
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种单晶硅太阳能电池的生产工艺，步骤如下：在P型单晶硅片上表面淀积含有磷元素的二氧化硅薄膜；对淀积后的硅片进行第一次高温扩散，形成PN结；除去单晶硅片上表面电极区以外的氧化层；在单晶硅片上表面淀积本征非晶硅层；将单晶硅片置于湿氧环境中进行第二次高温扩散，使非电极区掺入的磷元素扩散入非晶硅层，电极区氧化层中的磷元素进一步向电极区扩散，形成电极区的重掺杂，同时非晶硅层及非电极区的硅片表面被氧化；去除单晶硅片表面的二氧化硅本发明通过非晶硅吸收非电极区的杂质，使非电极区的掺杂浓度降低，致使电极区与非电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了电池性能。
一种单晶硅太阳能电池生产工艺

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