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[发明专利]馈源沿直线排布的宽角度波束扫描龙伯透镜天线及方法-CN202310201732.6在审
发明人：潘咏梅;陈丙昌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01Q15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种馈源沿直线排布的宽角度波束扫描龙伯透镜天线及方法，其中天线包括：第一金属板，第一金属板的形状为切断的圆台，且切面垂直于圆台的上下底面；第二金属板，第二金属板的形状与第一金属板形状相同；在两个金属板的切断处之间形成一个切断面；龙伯透镜，设置在第一金属板和第二金属板之间，龙伯透镜的形状与上底面的形状匹配；两个金属钉，两个金属钉对称地设置在切断面处的两侧；龙伯透镜天线的馈源，设置切断面上，且可在两个金属钉之间移动。本发明通过截断焦点转移至透镜内部的龙伯透镜、馈源置于焦弧的两侧以及在截断透镜边缘外侧引入两个金属钉来获得稳定增益的宽角度波束扫描龙伯透镜，可广泛应用于天线工程技术领域。
馈源直线排布角度波束扫描透镜天线方法

[发明专利]一种CdTe纳米晶太阳电池及其制备方法-CN201910180641.2有效
发明人：覃东欢;容志滔;陈丙昌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用CdS/CdSe双电子受体层的高效CdTe纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层以及阳极层叠而成。其中窗口层为CdS:CdSxSe1‑x:CdSe合金薄膜，光活性层为CdSexTe1‑x:CdTe合金薄膜。窗口层采用CdS纳米晶和CdSe纳米晶相嵌合的方式，增大了光谱响应范围，减少了界面缺陷，提升了短路电流密度和开路电压，同时窗口层和光活性层构成阶梯带隙结构，相比于传统的异质结太阳电池，更有利于光生载流子的分离、传输和收集，显著提高器件性能。本发明采用全溶液法加工，成本低，制作简便，有望实现大规模生产。
一种 cdte 纳米太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜及其表面钝化处理方法与应用-CN201910307074.2有效
发明人：覃东欢;郭秀珍;陈丙昌;容志滔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜及其表面钝化处理方法与应用。所述方法包括：在CdTe纳米晶薄膜上沉积螯合剂溶液和涂覆CdCl2溶液，然后进行热处理，得到表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜。本发明提供的处理方法，通过螯合剂分子与金属离子的强结合作用，将金属离子包合到螯合剂内部；然后经过热处理，CdTe重结晶过程中会钝化纳米晶薄膜的缺陷空位等载流子复合中心，从而达到钝化CdTe纳米晶薄膜的活性、降低载流子的复合速度及提升器件的短路电流的目的。本发明提供的表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜能够应用于组装具有倒装结构的CdTe纳米晶太阳能电池中。
一种表面钝化处理 cdte 纳米薄膜及其方法应用

[发明专利]一种铜掺杂高效碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法-CN201910210870.4在审
发明人：覃东欢;蔡泽鑫;陈丙昌;徐澳;刘俊宏;刘笑霖 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种铜掺杂高效碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法。该电池从下而上依次由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、背电极修饰层及阳极组成；背电极修饰层为ZnTe薄膜及Cu薄膜。窗口层CdSe纳米晶作为受体材料，CdTe纳米晶作为给体材料，两者构成了阶梯带隙合金结构。本发明创新通过引入ZnTe:Cu界面层，Cu通过ZnTe薄膜对光活性层CdTe纳米晶进行掺杂，与CdTe光活性层形成欧姆接触，有效地降低了背接触势垒，提高CdTe薄膜载流子浓度，提高了光谱响应范围及电池转换效率，显著地提高了器件的性能。本发明提供的纳米晶太阳电池器件，制备成本低、性能好，为纳米晶太阳电池的应用奠定基础。
纳米晶制备碲化镉纳米晶光活性层背电极窗口层铜掺杂修饰层薄膜载流子电池转换效率太阳电池器件阴极阴极界面层给体材料光谱响应合金结构欧姆接触受体材料阳极组成背接触活性层阶梯带界面层有效地衬底势垒掺杂电池玻璃引入应用