专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]单分散Co-Co7-CN202310788438.X在审
  • 郭满满;练优;林柽;袁宇希 - 江西师范大学
  • 2023-06-30 - 2023-08-11 - H01M4/90
  • 本发明涉及催化材料,提供了单分散Co‑Co7Fe3异质结构复合材料的制备方法和应用。将尿素和柠檬酸的水溶液与二价钴盐和三价铁盐的有机溶液混合后,先从溶胶状态转为凝胶状态,再干燥,最后进行高温热解处理,可以形成单分散的结构,得到单分散Co‑Co7限单分散Co‑Co7Fe3异质结构复合材料可以作为双功能氧催化剂,用于锌‑空气电池充放电反应。
  • 限域型单分散cobasesub
  • [发明专利]宽禁带半导体终端结构及其制作方法-CN202310416732.8在审
  • 袁俊;郭飞;王宽;徐东;彭若诗 - 湖北九峰山实验室
  • 2023-04-18 - 2023-06-30 - H01L29/06
  • 本发明提供一种宽禁带半导体终端结构及其制作方法,上述的终端结构包括基底、N电场截止层、第一P埋层、第一N外延层、P电荷屏蔽层、P环及场氧介质层;N电场截止层和第一P埋层嵌设于基底上,第一N外延层盖设于第一P埋层和基底的上表面,P电荷屏蔽层嵌设于第一N外延层的第一区,P环嵌设于N外延层的第二区;场氧介质层设于第一N外延层上,位于第一区的场氧介质层与P电荷屏蔽层的上表面接触,以构建形成超结终端区;位于第二区的场氧介质层填充于P环中,以构建形成辅助场环终端区。
  • 宽禁带半导体终端结构及其制作方法
  • [发明专利]一种用于HVPE反应炉的生长环及氮化物晶体生长方法-CN202110711924.2有效
  • 王新强;刘强;刘放;盛博文 - 北京大学
  • 2021-06-25 - 2022-02-11 - C30B29/40
  • 本发明公开了一种用于HVPE反应炉的生长环及氮化物晶体生长方法。本发明采用钨、钌和钼中的一种,或者采用钨、钌和钼中的一种的碳化物或氮化物的生长环,经过清洗、退火和激活使生长环的功能面具备化学活性;将生长环置于反应炉生长区中,生长过程中生长环对晶体侧向生长进行限制,从而阻止晶体的边缘生长,遏制生长过程中产生边缘效应,减少生长过程中产生的应力,最终实现厘米级GaN体晶生长;本发明实现方法简单,根据现有的技术水平能够容易实现,并大量推广;生长环能够经过热清洗后重复使用,节约了生长环的制作成本,经济实用;生长环能够根据不同HVPE反应炉生长区的不同结构进行优化设计,通用性强。
  • 一种用于hvpe反应炉生长氮化物晶体生长方法

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