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[发明专利]铜铟镓合金的制备方法-CN201210154753.9有效
发明人：胡智向;卢金生;文崇斌;朱刘 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种铜铟镓合金的制备方法，包括步骤：将单质铜、单质铟、和单质镓按配比装入反应容器内，其中以摩尔计，单质铜、单质铟、单质镓之间的配比为1:(0.7~0.6):(0.3~0.4)；将反应容器抽真空；将抽真空后的反应容器密封；将密封后的反应容器放入加热炉内进行加热至铜铟镓三元合金固溶相温度以上，使得反应容器内的单质铜、单质铟、以及单质镓进行合成反应，以获得熔融的铜铟镓合金液；合成反应结束后直接从加热炉内取出反应容器并使反应容器急冷，以使反应容器内的熔融的铜铟镓合金液急冷成型为铜铟镓合金块；以及将反应容器破开，取出铜铟镓合金块。本发明在制备工艺以及所制备的铜铟镓合金性能方面均得以改善。
铜铟镓合金制备方法

[发明专利]铜镓合金的制备方法-CN201210154869.2有效
发明人：胡智向;卢金生;文崇斌;朱刘 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种铜镓合金的制备方法，包括步骤：将单质铜和单质镓按重量比装入反应容器内，其中以装入到反应容器内的单质铜和单质镓的重量之和计，单质镓在35%以上；将反应容器抽真空；将抽真空后的反应容器密封；将密封后的反应容器放入加热炉内进行加热至铜镓二元合金固溶相温度以上，使得反应容器内的单质铜和单质镓进行合成反应，以获得熔融的铜镓合金液；合成反应结束后直接从加热炉内取出反应容器并使反应容器急冷，以使反应容器内的熔融的铜镓合金液急冷成型为铜镓合金块；以及将反应容器破开，取出铜镓合金块。本发明不仅能获得高Ga含量的铜镓合金且在制备工艺以及所制备的铜镓合金性能方面均得以改善。
合金制备方法

[发明专利]一种锗镓纳米线作为锂离子电池电极材料的应用-CN201810124313.6有效
发明人：于兆亮;孟祥东;王多;李海波;孙萌;尹默;袁梦 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗镓纳米线作为锂离子电池电极材料的应用，所述锗镓纳米线化学组成上包括单质锗和单质镓，所述锗镓纳米线中单质锗和单质镓的原子比为(4～9)：1。本发明以锗镓纳米线作为锂离子电池的电极材料，能够改善锂离子电池的电池循环性能与倍率性能。
一种纳米作为锂离子电池电极材料应用

[发明专利]一种砷化镓多晶的制备方法-CN202110946742.3有效
发明人：罗小龙;周铁军;易明辉;曾国治 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓多晶的制备方法，涉及多晶合成技术领域。本发明提供的砷化镓多晶的制备方法包括如下步骤：(1)将单质砷、单质镓置于真空装置炉中，炉内抽真空；(2)将所述真空装置炉的炉温升温至第一目标温度；(3)将炉温从所述第一目标温度降温至第二目标温度；(4)将炉温从所述第二目标温度降温至第三目标温度，得到所述砷化镓多晶。本发明砷化镓多晶的制备全程在真空环境下进行，原料采用单质砷和单质镓，单质砷和单质镓在第一目标温度下生成熔融状态的砷化镓，再通过炉内的分阶段降温，使不同高度的砷化镓的温度出现差异，从而实现砷化镓凝固成预定形态的多晶棒
一种砷化镓多晶制备方法

[发明专利]铜铟镓硒废芯片的回收方法及回收系统-CN201810669830.1在审
发明人：李红科;李胜春 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种铜铟镓硒废芯片的回收方法及系统。该回收方法包括：对铜铟镓硒物料进行氧化焙烧，以使所述铜铟镓硒物料中的薄膜功能层与衬底基板分离，并得到含有氧化硒气体的烟气；对所述含有氧化硒气体的烟气进行处理，以得到单质硒；对所述薄膜功能层进行处理，以分别得到单质铜、单质铟和单质镓。该技术方案可实现铜铟镓硒薄膜功能层与衬底基板的分离，以便于降低铜铟镓硒的提纯难度并提高其回收率。
铜铟镓硒功能层衬底基板氧化硒单质回收烟气薄膜芯片铜铟镓硒薄膜回收系统氧化焙烧单质铜单质硒提纯回收率

[发明专利]一种铜铟镓硒回收方法-CN201810680823.1在审
发明人：潘勇进;李胜春;谈笑天;鱼志坚;白少森 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C22B1/06 文献下载
摘要：本发明公开一种铜铟镓硒回收方法，涉及太阳能电池技术领域，以降低铜铟镓硒的回收成本，并减少废水排放。所述铜铟镓硒回收方法包括将含铜铟镓硒物料和浓硫酸混合，对所获得的物料分散体系进行焙烧，获得二氧化硒、二氧化硫以及焙烧残余物；利用水吸收二氧化硫和二氧化硒，使得二氧化硒被二氧化硫还原成单质硒；对焙烧残余物进行后处理，获得单质铜、单质铟和单质镓。本发明提供的铜铟镓硒回收方法用于含铜铟镓硒物料的处理中。
铜铟镓硒焙烧二氧化硒回收二氧化硫残余物单质太阳能电池技术后处理废水排放物料分散单质铜单质硒浓硫酸水吸收还原

[发明专利]一种砷化镓多晶的制备方法-CN202310476686.0在审
发明人：曾国治;周铁军;罗小龙;易明辉 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明属于砷化镓多晶合成领域，公开了一种砷化镓多晶的制备方法。包括以下步骤：（1）将单质砷、单质镓分别置于砷舟和镓舟中，将砷舟、镓舟置于石英管，将石英管置于合成炉内，石英帽、石英管管口和部分砷舟位于合成炉低温区，另一部分砷舟位于合成炉中温区，镓舟位于合成炉高温区；（2）低同步升温，单质砷与单质镓发生反应；（3）采用水平定向凝固法在镓舟内生成砷化镓多晶料棒；（4）控制温度，使富砷凝结在石英帽上；（5）同步降温，至最后整体均降温到600℃以下，程序运行完毕。
一种砷化镓多晶制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒表面硫化的工艺方法-CN201510151213.9在审
发明人：侯惟仁;陈梓斌;李升翰;郭峻江 -专利权人：新能光电科技股份有限公司
申请日： 2015-04-01 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜铟镓硒表面硫化的工艺方法。该方法包含：利用沉积技术，在铜铟镓硒层上沉积硫单质层；以及进行退火程序，在所述铜铟镓硒层表面上形成硫化处理层。利用沉积技术，较容易控制硫单质层的膜厚，也较容易控制硫单质层的均匀性，而且不需要现有技术工艺中气体的混合及均匀化过程，故工艺的稳定性也相对较高。使用硫单质作为制造材料，提高了工艺的安全性。该工艺方法使铜铟镓硒层的表面转化为铜铟镓硫硒(CIGS_xSe_1-x)，以提升铜铟镓硒薄膜太阳能电池的发电效率与性能。
一种铜铟镓硒表面硫化工艺方法

[发明专利]一种氧化镓改性的氧化铝催化剂载体及其制备方法-CN202111565130.6在审
发明人：孙彦民;侯杰;李晓云;蔡哲;卢雁飞;蔡奇;周靖辉;于海斌 -专利权人：中海油天津化工研究设计院有限公司;中国海洋石油集团有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B01J32/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镓改性的氧化铝催化剂载体及其制备方法。本发明以单质金属镓、单质金属铝和有机碱溶液为原料，采用一步法直接制备氧化镓改性的氧化铝载体催化剂前驱体，通过干燥、焙烧得到氧化镓改性的氧化铝催化剂载体。本发明采用一步法进行合成和负载，相对于常规浸渍法步骤简单，氧化镓分散更为均一。
一种氧化改性氧化铝催化剂载体及其制备方法

[发明专利]一种含镓PERC背银浆料及其制备方法-CN202011263646.0在审
发明人：舒华富;刘勇;朴松源 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01B1/16 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种含镓PERC背银浆料及其制备方法，该浆料包括有机添加剂、银粉、有机粘合剂和玻璃粉。其中有机添加剂的质量百分比为1.8～2.5％，银粉的质量百分比为45～52％，有机粘合剂的质量百分比为42.3～51％，玻璃粉的质量百分比2.2～3.2％，且玻璃粉的粉粒的表面附着有单质镓。由于该背银浆料中利用玻璃粉携带单质镓分散在其中，而玻璃粉不会集聚，可以在背银浆料中均匀分散，单质镓也会随着玻璃粉均匀分散在该背银浆料中，从而解决了含镓PERC背银浆料中镓分布不均匀的问题。
一种 perc 浆料及其制备方法

[发明专利]一种CVD法合成铋辅助的氧化镓纳米环的方法-CN201110100178.X无效
发明人：沈国震;梁博;陈娣 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明属于镓、铟或铊的化合物技术，为一种使用CVD法合成铋辅助的氧化镓纳米环。本发明方法利用金属单质铋及其氧化物氧化铋的低熔点特性，以BiOCl为铋源，氧化镓Ga2O3为镓源，活性炭为还原剂，在水平管式炉中保护气体保护下加热进行反应，合成较高产量的氧化镓纳米环。合成反应中首先在活性炭的还原作用下在衬底上获得铋和镓的共融合金的液球，部分铋和镓被反应系统中的氧气分别氧化为氧化铋和氧化镓，当反应系统中的温度进一步升高之后，氧化铋以及未被反应的单质铋、镓被蒸发，保持一定时间之后只剩下熔点更高的氧化镓在衬底上形成纳米环结构本发明可以提高产量，并可以推广到合成其他低熔点单质的氧化物纳米环的应用中。
一种 cvd 合成辅助氧化纳米方法

[发明专利]一种硒锗镓钡多晶的合成方法和硒锗镓钡单晶的生长方法-CN201810141666.7有效
发明人：姚吉勇;郭扬武;李壮;罗晓宇 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒锗镓钡多晶的合成方法和硒锗镓钡单晶的生长方法，多晶合成：把单质Ga、单质Ba和单质Ge放在PBN小舟中，再把它放到石英管的一端，单质Se放在石英管的另一端，抽真空后熔封，放在水平双温区电阻炉中合成，得到高纯单相硒锗镓钡多晶原料，其产率大于99％。单晶生长：将硒锗镓钡多晶加入晶体生长坩埚中，然后将晶体生长坩埚竖直放在石英管中，抽真空后熔封，再放在垂直双温区电阻炉中，单晶生长结束后获得硒锗镓钡单晶。DDA0001577776870000012.JPG" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="no" />硒锗镓钡单晶
一种硒锗镓钡多晶合成方法硒锗镓钡单晶生长

[发明专利]一种铜铟镓合金靶材的制备方法-CN201610959814.7有效
发明人：宋伟杰;杨晔;许炜 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓合金靶材的制备方法，采用低温制备技术，将熔点较低的单质铟和单质镓混合熔炼，其所需熔炼温度低，可有效抑制和减少铟和镓的挥发，减少铟和镓的熔炼损失，保证最终制备的靶材的组分含量达到设计要求；该制备方法操作方便、简单，有助于降低靶材的生产成本，其将单质铜粉加入到载气中，直接作为合金中铜元素的来源，载气中加入的单质铜粉的密度高于单纯的载气，可形成较高的动能，在气流撞击液流的过程中，可以实现液流的细化和分散，同时，铜粉撞击液流所形成的动能也较高，使铜易于与铟或者镓形成合金化合物，确保最终得到的合金靶材的组分及性能的均匀性，制备得到的合金靶材致密度高，晶粒尺寸小，电阻率达到要求。
一种铜铟镓合金制备方法

[发明专利]一种通过填充Ga、Te替换Sb提高基方钴矿材料热电性能的方法-CN201810775036.5在审
发明人：王超;张蕊;姜晶;牛夷;周婷;潘燕 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种通过填充镓单质(Ga)、碲单质(Te)替换部分锑单质(Sb)形成填充替换方钴矿来提高CoSb₃基方钴矿材料热电性能的方法。该热电材料可通过改变单质镓(Ga)的含量和碲单质(Te)替换锑单质(Sb)的量来调节赛贝克系数、电导率和热导率等参数来提升CoSb₃基方钴矿材料的热电性能，且制备工艺简单，适合大规模生产
热电性能替换基方钴矿填充单质热电材料碲单质电导率赛贝克系数制备工艺方钴矿热导率镓单质邻域制备

[发明专利]一种从铜铟镓废靶材中分别回收铜、铟和镓的方法-CN201410217479.4有效
发明人：张发;杨武斌 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种从铜铟镓废靶材中分别回收铜、铟和镓的方法，该方法如下先将三者溶于酸，变成相应的离子态；然后中和沉淀成相应的氢氧化物；然后用浓NaOH溶液分离除镓，并电解回收单质镓，并电解过程中产生的含NaOH的电解废液用于二次分镓；将氢氧化铜和氢氧化铟再次酸溶后，用二(2‑乙基己基磷酸)的煤油溶液将In3+萃取到有机相中，而Cu2+仍处于水相中；用铁粉从含Cu2+的水相置换出单质铜；用浓盐酸将In3+反萃到水相中，然后用铝粉置换得到单质铟。本发明的方法，可实现铜回收率不低于97.1％，铟回收率不低于97.3％，镓回收率不低于97.9％，且操作简便，成本低廉。
一种铜铟镓废靶材中分别回收方法

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