专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]热声倒装键合方法-CN201010583985.7无效
  • 李军辉;马邦科;韩雷;王福亮 - 中南大学
  • 2010-12-13 - 2011-06-01 - H01L21/60
  • 本发明公开了一种热声倒装键合方法,在IC芯片焊盘(6)上通过铜线键合方法制作多个(2),将带有(2)的芯片(3)倒扣于基板(1)上,从芯片(3)上施加超声能(5)和压力(4),从基板(1)底上施加热能(8),完成的热声倒装键合。或在基板焊盘(7)上通过铜线键合方法制作多个(2),将芯片(3)置于(2)上,从芯片(3)上施加超声能(5)和压力(4),从基板(1)底上施加热能(8),完成的热声倒装键合,超声能为110-200mA/、压力为50-80g/、热能为300-350℃。本发明是一种能更进一步提高倒装互连的电热性能且工艺简单灵活、键合质量和键合效率高、满足绿色环保要求的热声倒装键合方法。
  • 铜凸点热声倒装方法
  • [发明专利]一种键合的制作方法-CN201310721054.2有效
  • 薛恺;于大全 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2013-12-24 - 2014-04-16 - H01L21/60
  • 本发明提供了一种键合的制作方法,有效降低了铜柱表面粗糙度,提高了微的表面平整度,同时保证了晶圆不同区域的微高度的一致,满足键合工艺对表面平整度的要求;其特征在于:包括以下步骤:(1)在晶圆表面制作粘附层和种子层;(2)在晶圆表面淀积层;(3)对晶圆表面的层进行处理,改善表面粗糙度和平整度;(4)利用光刻工艺对层进行图形化;(5)去除微位置以外的,在晶圆上形成微结构;(6)去除晶圆表面微区域以外的粘附层材料,形成电隔离的微结构;(7)去除晶圆表面的光刻胶,得到高度均匀,表面平坦光滑的微结构。
  • 一种铜铜键合凸点制作方法
  • [发明专利]基于S型布线的芯片级三维柔性封装结构-CN201110458669.1无效
  • 潘开林;李鹏;黄鹏;任国涛 - 桂林电子科技大学
  • 2011-12-31 - 2012-07-04 - H01L23/485
  • 本发明公开了一种基于S型布线的芯片级三维柔性封装结构,包括设有钝化层的硅芯片、接线柱、再分布布线、下金属层和焊料,硅芯片焊盘区域与接线柱连接,下金属层设置在再分布布线上并通过再分布布线与接线柱相连接,焊料设置在下金属层上,其特征是:钝化层上设有柔性层,再分布布线设置在柔性层的表面上,再分布布线与下金属层连接的一端设置为具有微弹簧效果的S形状,下金属层旁边的柔性层上设有通孔,焊料正下方的钝化层中设有空气隙本发明采用空气隙和S形再分布布线使得封装结构具有三维柔性,实现芯片和基板间的三维柔性连接,解决热循环中热不匹配引起的热应力导致的可靠性问题。
  • 基于布线芯片级三维柔性封装结构
  • [发明专利]基于卷曲型布线的芯片级三维柔性封装结构-CN201110458784.9无效
  • 潘开林;李鹏;黄鹏;任国涛 - 桂林电子科技大学
  • 2011-12-31 - 2012-07-11 - H01L23/485
  • 本发明公开了一种基于卷曲型布线的芯片级三维柔性封装结构,包括设有钝化层的硅芯片、接线柱、再分布布线、下金属层和焊料,硅芯片焊盘区域与接线柱连接,下金属层设置在再分布布线上并通过再分布布线与接线柱相连接,焊料设置在下金属层上,其特征是:钝化层上设有柔性层,再分布布线设置在柔性层的表面上,再分布布线与下金属层连接的一端设置为具有微弹簧效果的卷曲形状,下金属层旁边的柔性层上设有通孔,焊料正下方的钝化层中设有空气隙本发明采用空气隙和卷曲形再分布布线使得封装结构具有三维柔性,实现芯片和基板间的三维柔性连接,解决热循环中热不匹配引起的热应力导致的可靠性问题。
  • 基于卷曲布线芯片级三维柔性封装结构
  • [发明专利]基于锯齿型布线的芯片级三维柔性封装结构-CN201110458698.8无效
  • 潘开林;李鹏;黄鹏;任国涛 - 桂林电子科技大学
  • 2011-12-31 - 2012-07-04 - H01L23/485
  • 本发明公开了一种基于锯齿型布线的芯片级三维柔性封装结构,包括设有钝化层的硅芯片、接线柱、再分布布线、下金属层和焊料,硅芯片焊盘区域与接线柱连接,下金属层设置在再分布布线上并通过再分布布线与接线柱相连接,焊料设置在下金属层上,其特征是:钝化层上设有柔性层,再分布布线设置在柔性层的表面上,再分布布线与下金属层连接的一端设置为具有微弹簧效果的锯齿形状,下金属层旁边的柔性层上设有通孔,焊料正下方的钝化层中设有空气隙本发明采用空气隙和锯齿形再分布布线使得封装结构具有三维柔性,实现芯片和基板间的三维柔性连接,解决热循环中热不匹配引起的热应力导致的可靠性问题。
  • 基于锯齿布线芯片级三维柔性封装结构
  • [实用新型]基于锯齿型布线的芯片级三维柔性封装结构-CN201120572586.0有效
  • 潘开林;李鹏;黄鹏;任国涛 - 桂林电子科技大学
  • 2011-12-31 - 2012-09-05 - H01L23/485
  • 本实用新型公开了一种基于锯齿型布线的芯片级三维柔性封装结构,包括设有钝化层的硅芯片、接线柱、再分布布线、下金属层和焊料,硅芯片焊盘区域与接线柱连接,下金属层设置在再分布布线上并通过再分布布线与接线柱相连接,焊料设置在下金属层上,其特征是:钝化层上设有柔性层,再分布布线设置在柔性层的表面上,再分布布线与下金属层连接的一端设置为具有微弹簧效果的锯齿形状,下金属层旁边的柔性层上设有通孔,焊料正下方的钝化层中设有空气隙本实用新型采用空气隙和锯齿形再分布布线使得封装结构具有三维柔性,实现芯片和基板间的三维柔性连接,解决热循环中热不匹配引起的热应力导致的可靠性问题。
  • 基于锯齿布线芯片级三维柔性封装结构
  • [实用新型]基于卷曲型布线的芯片级三维柔性封装结构-CN201120572657.7有效
  • 潘开林;李鹏;黄鹏;任国涛 - 桂林电子科技大学
  • 2011-12-31 - 2012-09-05 - H01L23/485
  • 本实用新型公开了一种基于卷曲型布线的芯片级三维柔性封装结构,包括设有钝化层的硅芯片、接线柱、再分布布线、下金属层和焊料,硅芯片焊盘区域与接线柱连接,下金属层设置在再分布布线上并通过再分布布线与接线柱相连接,焊料设置在下金属层上,其特征是:钝化层上设有柔性层,再分布布线设置在柔性层的表面上,再分布布线与下金属层连接的一端设置为具有微弹簧效果的卷曲形状,下金属层旁边的柔性层上设有通孔,焊料正下方的钝化层中设有空气隙本实用新型采用空气隙和卷曲形再分布布线使得封装结构具有三维柔性,实现芯片和基板间的三维柔性连接,解决热循环中热不匹配引起的热应力导致的可靠性问题。
  • 基于卷曲布线芯片级三维柔性封装结构
  • [发明专利]一种新型大马士革键合结构的制作方法-CN201310721130.X有效
  • 薛恺;于大全 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2013-12-24 - 2014-04-30 - H01L21/768
  • 本发明提供了一种新型大马士革键合结构的制作方法,有效降低了铜柱表面粗糙度,提高了微的表面平整度,保证了晶圆不同区域的微高度的一致,满足键合工艺对表面平整度的要求,在后续的微组装工艺中不用做底填工艺,在降低工艺复杂度的同时,提高键合结构的可靠性,其特征在于:(1)在晶圆表面制作粘附层和种子层;(2)在晶圆表面淀积层;(3)对层进行图形化;(4)去除微位置以外的形成微结构;(5)去除微区域以外的粘附层形成电隔离的微结构;(6)去除光刻胶得到微结构;(7)在微结构间填充涂覆介质层;(8)对晶圆表面进行处理得到高度均匀,表面平坦光滑的介质层和外露的微结构。
  • 一种新型大马士革铜铜键合结构制作方法
  • [发明专利]一种基于纳米棒的键合工艺及结构-CN201610024230.0有效
  • 廖广兰;独莉;史铁林;汤自荣;陈鹏飞;沈俊杰;邵杰 - 华中科技大学
  • 2016-01-15 - 2019-01-15 - H01L21/48
  • 本发明公开了一种基于纳米棒的键合工艺及结构,该工艺包括:在基片表面依次沉积绝缘层、粘附层和种子层;在种子层上旋涂一层光刻胶,并在光刻胶上制作圆孔;在圆孔中电镀铜获得;去除光刻胶,并去除暴露的种子层和粘附层;在表面及四周旋涂光刻胶,然后暴露上表面;利用上述步骤得到两组基片单元,一组基片单元的上电镀锡,并去除光刻胶;另一组基片单元的上沉积纳米棒,并去除光刻胶;通过热压方式将将两组基片单元键合所述键合结构由上述键合工艺获得。本发明将纳米棒应用于键合,能有效降低键合温度并得到紧密的键合面,制备工艺简单可控,成本低,具有极大的应用价值。
  • 一种基于纳米铜锡铜键合工艺结构
  • [发明专利]一种底填料填充的FCQFN封装件及其制作工艺-CN201310275256.9在审
  • 徐召明;谌世广;钟环清;朱文辉;王虎 - 华天科技(西安)有限公司
  • 2013-07-03 - 2013-11-20 - H01L23/31
  • 本发明公开了一种底填料填充的FCQFN封装件及其制作工艺,所述封装件主要由裸框架、正面凹槽、阻挡块、内引脚块、内引脚镍钯金、底填料、芯片、锡银、外引脚块、塑封料和锡球组成。所述裸框架包括阻挡块、内引脚块和外引脚块,阻挡块和内引脚块之间是正面凹槽,内引脚块上镀有内引脚镍钯金,并通过内引脚镍钯金与芯片上的锡银粘接;所述底填料包围了内引脚块、芯片的锡银及芯片的下表面;所述内引脚块背面为外引脚块,外引脚块上有锡球,裸框架有背面凹槽,背面凹槽在外引脚块两侧,塑封料填充于背面凹槽中;芯片、锡银、内引脚镍钯金、内引脚块、外引脚块和锡球构成了电源和信号通道
  • 一种填料填充fcqfn封装及其制作工艺
  • [实用新型]一种底填料填充的FCQFN封装件-CN201320393209.X有效
  • 徐召明;谌世广;钟环清;朱文辉;王虎 - 华天科技(西安)有限公司
  • 2013-07-03 - 2013-12-11 - H01L23/31
  • 本实用新型公开了一种底填料填充的FCQFN封装件,所述封装件主要由裸框架、正面凹槽、阻挡块、内引脚块、内引脚镍钯金、底填料、芯片、锡银、外引脚块、塑封料和锡球组成。所述裸框架包括阻挡块、内引脚块和外引脚块,阻挡块和内引脚块之间是正面凹槽,内引脚块上镀有内引脚镍钯金,并通过内引脚镍钯金与芯片上的锡银粘接;所述底填料包围了内引脚块、芯片的锡银及芯片的下表面;所述内引脚块背面为外引脚块,外引脚块上有锡球,裸框架有背面凹槽,背面凹槽在外引脚块两侧,塑封料填充于背面凹槽中;芯片、锡银、内引脚镍钯金、内引脚块、外引脚块和锡球构成了电源和信号通道
  • 一种填料填充fcqfn封装
  • [实用新型]一种保险丝的配合结构-CN201120320869.6有效
  • 苏毅镇;黄汉侨;黄恒明 - 好利来(中国)电子科技股份有限公司
  • 2011-08-30 - 2012-04-25 - H01H85/05
  • 本实用新型公开了一种保险丝的配合结构,该保险丝包括绝缘管、位于绝缘管中的可熔体及配合于绝缘管两端的帽;两帽内侧壁上设有至少一对两相对应的粒,相对两粒之间的距离是小于绝缘管的外径,绝缘管外壁上设有与粒配合的凹或凹槽;粒是通过在帽外壁上打设凹形成,绝缘管的凹或凹槽由模具或其它方式形成。由于帽的内侧壁上设有对应的粒,绝缘管外壁上也可设置有与粒配合的凹或者凹槽,使得帽在固定于绝缘管上时,其上的粒使帽与绝缘管外壁之间形成紧配合状态,使帽在套设固定于绝缘管时更加牢固,从而可避免帽的脱落
  • 一种保险丝配合结构
  • [实用新型]一种铜焊盘倒装LED芯片-CN202222355456.2有效
  • 詹鑫源 - 湖北方晶电子科技有限责任公司
  • 2022-09-02 - 2023-03-10 - H01L33/62
  • 本实用新型公开了一种铜焊盘倒装LED芯片,包括N型氮化镓层,P型氮化镓层,金属层,,以及蓝宝石衬底;通过在LED芯片焊接层制备替代纯金或金锡合金,通过金属层将与N型氮化镓层和P型氮化镓层连接固定,连接凸起使金属层在焊接前既可固定在氮化镓芯片的表面,通过连接块与连接凹槽配合,方便与金属层定位连接,并且在焊接时使锡膏能够完整地包裹在与氮化镓芯片的连接处,以及通过连接底座包裹住点主体,使与氮化镓芯片焊接固定更牢固,从而保证焊接时焊接点处的金属量足够,达到提高焊接性能提高焊接良品率的技术效果。
  • 一种铜焊倒装led芯片
  • [实用新型]一种超薄散热均热板-CN202021992404.0有效
  • 李先文;朱葛中;陈小娟;张峰 - 睿氟之丰新能源技术江苏有限公司;江苏千富之丰科技有限公司
  • 2020-09-14 - 2021-07-13 - F28D15/02
  • 本实用新型公开了一种超薄散热均热板,包括带铜片、铜丝或网、泡沫铜片,所述泡沫铜片与所述铜丝或网相接,所述铜丝或网与所述带铜片的面之间形成注有工作介质的真空容腔;所述带铜片、铜丝或网、泡沫铜片之间通过边沿焊接结合;所述带铜片、铜丝或网、泡沫铜片组成的多层结构的外围至少5个面上喷涂有高导热涂层。本实用新型通过在带铜片、铜丝或网、泡沫铜片组成的多层结构外围至少5个面上喷涂高导热涂层,高导热涂层具有很好的导热性能且通过喷涂方式可实现完全封闭、不易漏;可制备得到具有超薄厚度(0.11~0.26mm
  • 一种超薄散热均热

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