“铌酸锂异质键合”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1754482个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]薄膜铌酸锂和Ⅲ-Ⅴ异质集成光学材料结构及其制备方法-CN202211594317.3在审
发明人：钱广;吴立枢;唐杰;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂和Ⅲ‑Ⅴ异质集成光学材料结构及其制备方法，属于光电集成芯片材料技术领域。该结构包括依次键合连接的：衬底、第一键合层、铌酸锂薄膜、第二键合层和Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜。制备方法为：将Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜临时键合后去除原本的衬底；同时将铌酸锂材料与衬底键合，再进行减薄及表面处理；将得到的铌酸锂薄膜与Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜键合，最后去除临时键合层和临时衬底得到薄膜铌酸锂和Ⅲ‑Ⅴ异质集成光学材料结构。本发明可以实现Ⅲ‑Ⅴ光芯片与薄膜铌酸锂光芯片异质集成，弥补薄膜铌酸锂光学材料在光源、光探测和光放大等方面的技术不足。
薄膜铌酸锂集成光学材料结构及其制备方法

[发明专利]基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件-CN202211167513.2在审
发明人：蔡鑫伦;张仙 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：本发明涉及光学器件技术领域，提出一种基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件。其中，包括薄膜铌酸锂光子芯片，薄膜铌酸锂光子芯片上通过异质集成晶圆键合技术集成有III‑V有源波导层；薄膜铌酸锂光子芯片上设置有铌酸锂波导层，铌酸锂波导层的输出端与III‑V有源波导层的输入端垂直倏逝波耦合本发明通过异质集成晶圆键合技术将III‑V有源波导层集成到铌酸锂光子芯片上，实现了薄膜铌酸锂平台片上光探测的功能。III‑V有源波导层与薄膜铌酸锂光子芯片通过优化设计的III‑V/LN模斑转换器以垂直倏逝波耦合的方式光学互连，实现III‑V有源波导层与铌酸锂波导之间的高效率耦合。
基于集成薄膜铌酸锂片上耦合结构制备方法器件

[发明专利]铌酸锂-氮化硅波导与激光器异质集成结构及其制备方法-CN202310234143.8有效
发明人：王广庆;张磊;常林;隋军 -专利权人：中科鑫通微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G02B6/30 文献下载
摘要：本发明涉及集成光电子学技术领域，尤其涉及一种铌酸锂‑氮化硅波导与激光器异质集成结构及其制备方法，制备方法包括在刻蚀后的条形铌酸锂波导上第一次键合氮化硅，形成铌酸锂‑氮化硅混合波导；铌酸锂‑氮化硅混合波导中铌酸锂波导层的厚度为100nm‑600nm，氮化硅层的厚度为200nm‑800nm；铌酸锂波导层的宽度为200nm‑1000nm，使分布在铌酸锂波导层中的光场能量低于分布在铌酸锂‑氮化硅混合波导中总光场能量的5%；在铌酸锂‑氮化硅混合波导的氮化硅层上第二次键合III‑V族激光器，形成铌酸锂‑氮化硅波导与激光器异质集成结构。本发明能克服铌酸锂波导平台无法实现激光器的集成和传输损耗大的难题。
铌酸锂氮化波导激光器集成结构及其制备方法

[发明专利]基于铌酸锂基底与PDMS微流道的键合方法及装置-CN202310044445.9在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：上海纬冉科技有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于铌酸锂基底与PDMS微流道的键合方法及装置。所述键合方法包括：对所述铌酸锂基底与PDMS微流道进行清洗以去除杂质；利用氧等离子体轰击所述铌酸锂基底与PDMS微流道；将所述铌酸锂基底与PDMS微流道的待键合表面对齐；粘合所述铌酸锂基底与PDMS微流道的待键合表面；将粘合后的铌酸锂基底与PDMS微流道放在65℃至95℃的热板上烘烤，烘烤时在所述PDMS微流道上加压以继续键合。本发明能够提高铌酸锂基底与PDMS微流道的键合强度及稳定性。
基于铌酸锂基底 pdms 微流道方法装置

[发明专利]一种硅基光电子器件的硅和铌酸锂异质键合方法-CN202210324288.2有效
发明人：吴传贵;李云飞;罗文博;孟雪飞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明属于集成光子学领域，具体涉及一种硅基光电子器件的硅和铌酸锂异质键合方法。本发明通过对BCB进行稀释，搭配相应的旋涂工艺实现BCB键合层的厚度控制，以满足硅基光电子器件对引入的键合层厚度要求，在保证硅和铌酸锂键合强度的基础上，得到了厚度在200nm以下的BCB键合层。并针对键合过程中，出现稀释后BCB旋涂和预键合效果差的问题，采用两次等离子体活化技术对欲键合界面进行处理，以改善了旋涂和预键合效果。对于250℃退火固化温度下，由于热失配导致的铌酸锂裂片现象，通过将退火最高温度控制在200℃，同时延长保温时间，使裂片问题得以解决。本发明的键合技术为制备低成本、高质量的电光调制器等光学器件提供了工艺支撑。
一种光电子器件铌酸锂异质键合方法

[发明专利]一种键合剥离后的铌酸锂晶圆的修复方法和铌酸锂晶圆-CN202011466815.0在审
发明人：刘昆;周赤;吉贵军;张大鹏;王兴龙;黄杭东;陆龙钊 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/477 文献下载
摘要：本发明提供一种键合剥离后的铌酸锂晶圆的修复方法和铌酸锂晶圆。修复方法包括对键合剥离后的原料铌酸锂晶圆加热退火；对所述原料铌酸锂晶圆的剥离面进行抛光处理，抛光深度等于或大于离子注入深度蔓延范围的一半。该修复方法能够对键合剥离后的铌酸锂晶圆进行修复，从而使得废弃的铌酸锂晶圆得到再次利用，避免浪费。
一种剥离铌酸锂晶圆修复方法

[发明专利]异质集成硅基薄膜铌酸锂调制器及其制造方法-CN202211550101.7在审
发明人：胡文良;齐志强 -专利权人：华中光电技术研究所（中国船舶集团有限公司第七一七研究所）
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质集成硅基薄膜铌酸锂调制器，其包括Si器件层、SiO2包层、衬底Si、LNOI层、传输电极Ti‑Au；SiO2包层置于Si器件层上；衬底Si置于Si器件层上，且置于SiO2包层内；LNOI层通过键合的方式与SiO2包层集成在一起本发明还提供另一种异质集成硅基薄膜铌酸锂调制器。本发明还提供上述异质集成硅基薄膜铌酸锂调制器的制造方法。本发明能对LN材料进行集成，且集成方法简单。
集成薄膜铌酸锂调制器及其制造方法

[发明专利]一种混合集成光电芯片衬底结构的制备方法及衬底结构-CN202110518985.7在审
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：方法包括：获取绝缘体上硅衬底和绝缘体上铌酸锂薄膜衬底；绝缘体上硅衬底包括支撑层和键合层，键合层包括硅薄膜层，硅薄膜层设置在支撑层上；绝缘体上铌酸锂薄膜衬底包括铌酸锂薄膜层；将铌酸锂薄膜层与键合层键合得到复合键合结构；去除复合键合结构中的支撑层，暴露出硅薄膜层得到混合集成光电芯片衬底结构。通过将绝缘体上硅衬底和绝缘体上铌酸锂薄膜衬底键合，得到性能优异的混合集成光电芯片衬底结构，从而能够实现性能更加优秀的光电芯片的制备。
一种混合集成光电芯片衬底结构制备方法

[发明专利]一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法-CN202310283928.4在审
发明人：吴立枢;钱广;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法，包括以下步骤：样品准备：清洗自下而上包含衬底层、介质层和铌酸锂层的铌酸锂薄膜和自下而上包括磷化铟衬底层和磷化铟外延功能层的磷化铟基光电外延片；第一键合：使用临时粘合材料将磷化铟基光电外延片的磷化铟外延功能层正面与临时载片进行第一键合；衬底去除：去除磷化铟基光电外延片的衬底层；第二键合：将铌酸锂薄膜的铌酸锂层正面与磷化铟外延功能层的磷化铟外延功能层背面通过键合材料进行第二键合本申请避免了铌酸锂薄膜上生长磷化铟外延片导致的晶格失配和缺陷密度高的问题。
一种铌酸锂薄膜磷化光电外延集成方法

[发明专利]一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法-CN201811430869.4在审
发明人：华勇;舒平;雷成龙;曾健 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明涉及集成光学领域，特别涉及一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法，所述调制器包括支撑衬底、键合层、光波导和调制电极，所述光波导位于键合层表面，且键合层上设置有一层铌酸锂厚膜；铌酸锂厚膜的厚度为8～20微米；本发明厚膜型铌酸锂的10微米左右的脊高使得调制效率可以提升60％以上且本发明的衬底因为减薄技术仅有8～20微米，可以避免该谐振效应进一步实现高速宽带；而相比薄膜型波导的铌酸锂调制器，本发明又具有扩散型光波导低传输损耗和低耦合损耗的优点
铌酸锂厚膜键合层高速电光调制器光波导波导衬底制备铌酸锂调制器低传输损耗调制电极调制效率高速宽带集成光学减薄技术扩散型光谐振效应薄膜型低耦合调制器脊高支撑

[发明专利]以氧化碲为声光介质的横波声光器件-CN201110277946.9无效
发明人：张泽红;刘玲;李忠继;刘龙;杜明熙;周勇;罗传英;张传志;吴燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种以氧化碲为声光介质的横波声光器件，包括表电极、换能器、键合层和声光介质，换能器通过键合层粘接于声光介质表面，表电极镀于换能器表面；所述声光介质为氧化碲晶体，换能器为铌酸锂，铌酸锂厚度方向与本发明在相同工艺条件下，分别使用X切铌酸锂和163±5°Y切铌酸锂在氧化碲晶体上制作横波声光器件，在相同温度范围下，163±5°Y切铌酸锂产生的裂纹约为X切铌酸锂的五分之一，大幅提高了氧化碲横波声光器件的可靠性
氧化声光介质器件

[发明专利]硅和铌酸锂混合集成光调制器及其制备方法-CN201810467755.0有效
发明人：蔡鑫伦;何名博;徐梦玥 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅和铌酸锂混合集成光调制器，包括绝缘体上硅基光波导结构、光学分束结构、硅楔形波导光学模式转换结构、键合介质层、铌酸锂波导、信号金属电极和接地金属电极，其中绝缘体上硅基光波导结构与光学分束结构的输入端连接，光学分束结构的两个输出端分别通过硅楔形波导光学模式转换结构与铌酸锂波导连接；所述信号金属电极设置在铌酸锂波导结构相对的一侧；接地金属电极设置在铌酸锂波导结构相背的一侧；所述混合集成光调制器是一种双层结构：硅基光波导结构、光学分束结构、硅楔形波导光学模式转换结构设置在键合介质层内，铌酸锂波导、信号金属电极和接地金属电极设置在键合介质层上方。
铌酸锂混合集成调制器及其制备方法

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN201610494499.5有效
发明人：帅垚;李杰;罗文博;吴传贵;张万里;龚朝官;白晓圆;潘忻强 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件领域，具体提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法，该薄膜体声波谐振器包括Si衬底，于Si衬底上相键合的Si键合层，于Si键合层上设置单晶铌酸锂薄片，所述Si键合层上表面开设空腔，对应设置于空腔内的下电极附着于单晶铌酸锂薄片下表面，于单晶铌酸锂薄片上表面设置上电极，所述上电极与下电极对应设置。本发明谐振器采用单晶铌酸锂薄片作为压电层，能够便捷精确的控制压电层晶格取向，显著提升谐振器的谐振频率和机电耦合系数等性能，同时，利用单晶铌酸锂薄片作为器件支撑结构，有效避免电极支撑带来的性能损害，进一步提升器件性能
一种新型薄膜声波谐振器及其制备方法

[发明专利]基于铌酸锂波导耦合器的空芯光子晶体光纤谐振腔-CN202210305504.9有效
发明人：佘玄;申河良;毕然;范文;陈侃;舒晓武 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂波导耦合器的空芯光子晶体光纤谐振腔，包括第一保偏光纤、第二保偏光纤、倒装键合铌酸锂波导耦合器和空芯光子晶体光纤环，其中：所述的第一保偏光纤和第二保偏光纤，用于传输光波并稳定其偏振态，所述第一保偏光纤和第二保偏光纤分别与所述倒装键合铌酸锂波导耦合器两端对接集成；所述的倒装键合铌酸锂波导耦合器，用于将接收光信号按预定比例分光并实现光信号在谐振腔中单偏振运行；所述的空芯光子晶体光纤环两端与所述倒装键合铌酸锂波导耦合器两端对接
基于铌酸锂波导耦合器光子晶体光纤谐振腔

[发明专利]一种薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器异质集成结构-CN202111279072.0在审
发明人：钱广;顾晓文;王琛全;孔月婵;姜文海;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-31 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器异质集成结构，该结构主要包括InP基光电探测器外延层、耦合层、薄膜铌酸锂光波导、缓冲层和衬底；InP基光电探测器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，缓冲层和衬底依次分布于薄膜铌酸锂光波导下方；沿薄膜铌酸锂光波导传输至InP基光电探测器的光信号通过倏逝波耦合机制，从薄膜铌酸锂光波导透过耦合层先耦合进入其正上方的InP基锥形过渡区，再进入InP基光电探测器外延层，实现薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器外延层片上异质集成，满足薄膜铌酸锂光芯片和InP基光电探测器芯片的低损耗异质集成需求。
一种薄膜铌酸锂光波导 inp 光电探测器集成结构

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条