[发明专利]基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件在审
| 申请号： | 202211167513.2 | 申请日： | 2022-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN115407532A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 蔡鑫伦;张仙 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017;G02F1/015;G02B6/122;G02B6/34;G02B6/14 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及光学器件技术领域，提出一种基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件。其中，包括薄膜铌酸锂光子芯片，薄膜铌酸锂光子芯片上通过异质集成晶圆键合技术集成有III‑V有源波导层；薄膜铌酸锂光子芯片上设置有铌酸锂波导层，铌酸锂波导层的输出端与III‑V有源波导层的输入端垂直倏逝波耦合；III‑V有源波导层上覆盖有N型金属电极和P型金属电极。本发明通过异质集成晶圆键合技术将III‑V有源波导层集成到铌酸锂光子芯片上，实现了薄膜铌酸锂平台片上光探测的功能。III‑V有源波导层与薄膜铌酸锂光子芯片通过优化设计的III‑V/LN模斑转换器以垂直倏逝波耦合的方式光学互连，实现III‑V有源波导层与铌酸锂波导之间的高效率耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 集成 薄膜 铌酸锂片上 耦合 结构 制备 方法 器件 | ||
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- 本发明公开了一种基于EAM和脉冲信号的可调谐光学频率梳产生装置，比特序列发生器控制脉冲发生器产生周期性脉冲信号，周期性脉冲信号经过电放大器放大后再通过电功分器分流，最后经过第一可调衰减器和第二可调衰减器后分别到达电吸收调制器a和电吸收调制器b进行驱动控制，连续光源输出单波长连续光至电吸收调制器a中产生梳状光谱，然后梳状光谱经电吸收调制器b调制后得到光学频率梳，光学频率梳输入到光谱仪进行分析。本发明还公开一种基于EAM和脉冲信号的可调谐光学频率梳产生方法。本发明提供的一种基于EAM和脉冲信号的可调谐光学频率梳产生装置及方法，能够产生频谱连续、功率平坦度高、覆盖光谱范围宽、频率分量多且频率间隔可调谐的光学频率梳。
- 控制光学设备中的电吸收介质的组成-201480037639.5
- J.方;钱伟;冯大增;M.阿斯哈里 - 迈络思科技硅光股份有限公司
- 2014-07-02 - 2019-09-20 - G02F1/017
- 形成光学设备包括在设备前体的基底上的各种不同区域中生长电吸收介质。所述区域包括部件区域，并且所述区域被选择，从而使包括在所述部件区域中的所述电吸收介质获得特定的化学组成。在所述设备前体上形成光学部件，使得所述光学部件包括来自所述部件区域的所述电吸收介质的至少一部分。在所述部件的操作期间，光信号被导引通过来自所述部件区域的所述电吸收介质。
- 电光有源装置-201880002546.7
- 余国民;张毅;A.齐尔基 - 洛克利光子有限公司
- 2018-05-11 - 2019-08-23 - G02F1/017
- 一种基于硅的电光有源装置及其生产方法。所述基于硅的电光有源装置包括：绝缘体上硅(SOI)波导；电光有源波导，其包括在所述SOI波导的空腔内的电光有源堆叠；以及在所述电光有源堆叠与所述SOI波导之间的带衬里的通道，所述带衬里的通道包括衬里；其中所述带衬里的通道由填充材料填充，所述填充材料的折射率类似于形成所述空腔的侧壁的材料的折射率，从而在所述通道中在所述SOI波导与所述电光有源堆叠之间形成桥波导。
- 专利分类
