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[发明专利]一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器-CN201810888810.3在审
发明人：黄安平;张新江 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明所述一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器，其基本结构由下至上依次包括衬底、底电极层、阻变功能层、顶电极层。其中阻变功能层为黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结，且该范德华异质结中可掺入金属离子。本发明具有如下优点：本发明利用黑磷容易自然氧化成氧化磷的特点设计了BP和P₄O_x范德华异质结，将黑磷在应用中的不足变为可利用的优点。同时，利用BP和P₄O_x范德华异质结对阳离子的束缚作用和电导可变特性设计了基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器。本发明电学性能优异，且具有良好的散热性。本发明的制备方法简单，成本低，存储稳定，可使用领域广泛，有利于黑磷德华异质结忆阻器的大规模生产及产业化应用。
黑磷异质结忆阻器氧化物功能层产业化应用存储稳定底电极层电学性能顶电极层金属离子可变特性自然氧化散热性阳离子氧化磷掺入衬底电导异质制备束缚应用

[发明专利]氧化钨—氧化钒异质结纳米线阵列作为气敏材料的应用-CN201510776094.6在审
发明人：秦玉香;柳杨;谢威威;刘成;胡明 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开氧化钨—氧化钒异质结纳米线阵列作为气敏材料的应用，其特征在于，氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列由氧化钨/氧化钒异质结纳米线组成，氧化钨/氧化钒异质结纳米线长度为300—800nm，所述氧化钨纳米线的直径为10-20nm，在所述氧化钨纳米线的外围均匀地包裹氧化钒，所述氧化钒的厚度为20-30nm，氧化钨和氧化钒形成了同轴核壳异质结构，氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列在室温检测二氧化氮气体上的应用。在室温下氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列对5ppm级别的NO₂气体具有的响应灵敏度是单纯氧化钨纳米线灵敏度的7-9倍，响应时间小于3s。
氧化钨氧化钒异质结纳米阵列作为材料应用

[发明专利]基于氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管及其制备方法-CN202210279033.9在审
发明人：卢红亮;陈丁波 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管及其制备方法。氮化镓异质结薄膜的主体结构为SiN/GaN/AlyGa1‑yN/AlN/GaN。阴极与异质结界面的二维电子气形成欧姆接触，在SiN介电层上的半透明金属阳极与氮化镓异质结形成金属‑绝缘体‑半导体（MIS）结构。由于异质结薄膜中具有的对立的极化电场，这种基于氮化镓异质结的MIS光电二极管在不同能量的紫外光激发下可以产生不同方向的光电流。本发明的基于硅衬底上氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管工艺简单，性能稳定，能够与CMOS工艺兼容，可以作为未来多功能光电集成芯片及系统中的高性能光电探测单元。
基于氮化镓异质结薄膜双极型光电二极管及其制备方法

[发明专利]一种晶体硅异质结太阳电池-CN201610822295.X有效
发明人：高超;黄海宾;周浪;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：一种晶体硅异质结太阳电池，其结构从迎光面开始依次为：前电极、TiO_x层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。迎光面使用n型掺杂的TiO_x与晶体硅形成异质结，而背面使用传统的非晶硅/晶体硅异质结结构。另外，TiO_x可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压。因此，本发明所提出晶体硅异质结太阳电池可同时实现高的开路电压和短路电流，提高晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率。
一种晶体硅异质结太阳电池

[发明专利]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法-CN201811222301.3在审
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。
一种钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池-CN201821699412.9有效
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。
钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池电池正极本实用新型电池层太阳能电池正极载流子收集效率太阳能电池负极空穴移动入射方向隧穿结减小入射光照

[发明专利]一种MoS₂/MoO₂异质结的制备方法-CN201811037524.2在审
发明人：陈波;韩燕;薛林;李向前 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：一种MoS₂/MoO₂异质结的制备方法，属于纳米光电子材料制备技术领域，可解决现有异质结的制备方法容易引入杂质，重复性差的问题，以固态S和MoO₃为前驱体，经过化学气相反应后在目标衬底上合成MoS₂/MoO₂异质结，其中，管式炉温区中S蒸汽的浓度可以通过载气流量的大小来调节。相比于定位机械转移法，该方法可以稳定高效地制备大面积MoS₂/MoO₂异质结，也可以扩展到以二维过渡金属硫族化合物为基础的范德华异质结的制备中。所得到MoS₂/MoO₂异质结既可以用于科学研究，又可以用于制作纳米光电子器件。
异质结制备过渡金属硫族化合物纳米光电子材料纳米光电子器件化学气相反应制备技术领域定位机械载气流量前驱体转移法衬底二维管式炉温蒸汽科学研究合成引入制作

[发明专利]一种异质结可饱和吸收镜及其制备方法、脉冲光纤激光器-CN201710316703.9在审
发明人：闫培光;陈浩;邢凤飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明适用于激光技术领域，提供了一种异质结可饱和吸收镜及其制备方法、脉冲光纤激光器。所述异质结可饱和吸收镜包括基底、覆盖在所述基底上的金膜层及覆盖在所述金膜层上的原子层级二维材料薄膜；所述原子层级二维材料薄膜包括依次设置的原子层级二维材料慢可饱和吸收体异质结薄膜、隔离材料及原子层级二维材料快可饱和吸收体异质结薄膜本发明提供的异质结可饱和吸收镜，利用不同二维原子层级材料交替叠加，形成原子层级的二维材料异质结可饱和吸收镜，这种新型可饱和吸收镜可结合二维层状材料本身的优异特性，实现对可饱和吸收体非线性特性的调控。
一种异质结可饱和吸收及其制备方法脉冲光纤激光器

[发明专利]一种适用于异质结太阳能电池的光注入工艺-CN201911101294.6在审
发明人：李高非;黄金;王继磊;张娟;白焱辉;高勇;郑静;任法渊;贾慧君;王嘉超 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于异质结太阳能电池的光注入工艺。通过照射光源对异质结电池进行光注入，与此同时，采用辅助加热方式对异质结电池进行加热，光注入强度高于10000W/m2，光注入的时间在45‑600s之间。本发明的优点在于：通过采用照射光源直接对异质结电池进行光注入，与此同时进行辅助加热，由此在短时间内提供一个高的光注入量，在此过程中，在最短的时间内尽可能的提高光注入量作用在含非晶硅膜层的N型异质结电池上，由此使其钝化效果大幅度提升，其巧妙地采用短时高注入的手段并优化了处理的工艺，使得异质结电池的转换效率得到大幅度提高。
一种适用于异质结太阳能电池注入工艺

[发明专利]切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件-CN202110417599.9在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结电池及其制备方法、太阳能电池组件。该制备方法，包括对整片异质结电池进行切割的步骤，还包括：对切割后形成的切片硅异质结电池主体进行如下处理：将切片硅异质结电池主体置于氛围气体中，采用光注入退火方式在设定温度范围内，利用光源对且仅对切片硅异质结电池主体的切割表面进行处理；其中，切片硅异质结电池主体至少包括晶硅基底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、透明导电层和栅电极。
切片硅异质结电池制备方法太阳能电池组件

[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法-CN202110596804.2在审
发明人：张海川;袁强;石建华;孟凡英;刘正新;程琼;周华 -专利权人：中威新能源(成都)有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种异质结太阳电池及其制备方法，涉及异质结太阳电池领域。该异质结太阳电池包括硅衬底，硅衬底的正面依次叠加设置有正面钝化层、n型掺杂层、正面TCO层和正面电极，硅衬底的背面依次叠加设置有背面钝化层、p型掺杂层、背面TCO层和背面电极，正面TCO层和/或背面TCO该异质结太阳电池及其制备方法在保证电池成本、效率的同时，有效提升异质结太阳电池的可靠性，减缓异质结太阳电池的老化衰减。
一种异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法-CN202011493926.0在审
发明人：吴立枢;戴家赟;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法，包括：磷化铟异质结双极型晶体管正面与临时载片键合；将磷化铟异质结双极型晶体管的磷化铟衬底以及亚集电极层去除；在集电极层背面沉积集电极金属；在集电极金属上旋涂一层BCB固化同时刻蚀掉集电极金属表面BCB再沉积键合金属；利用键合金属将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底键合；最后将临时载片去除。本发明利用金属键合工艺将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底结合在一起，可提高磷化铟异质结双极型晶体管的散热效果。
一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热制备方法

[发明专利]双面发电的异质结太阳电池的电极设计及电池互联方法-CN202111148116.6在审
发明人：白宇;俞健;邱卿清;李君君 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了双面发电的异质结太阳电池的电极设计及电池互联方法，其属于太阳电池技术领域，包括异质结太阳电池衬底；太阳电池入光面丝网印刷银电极；太阳电池背光面电极；太阳电池之间的互联。其特征在于，所述的异质结太阳电池背光面电极，包括：位于透明导电薄膜上的金属种子层，以及依次位于金属种子层上的传导层和焊接层。背光面电极与另一相邻所述异质结太阳电池的入光面电极栅线相连，实现异质结太阳电池的互联导通。双面发电的异质结太阳电池的电极设计及电池互联方法，通过沉积金属叠层来取代原来丝网印刷的Ag背电极，具有低成本制备背电极和实现电池互联的特点。
双面发电异质结太阳电池电极设计电池方法

[发明专利]一种退火处理的Si基InN纳米柱异质结及其制备方法与应用-CN202210162088.1在审
发明人：李国强;刘乾湖;谢少华;梁杰辉 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种退火处理的Si基InN纳米柱异质结及其制备方法与应用。该制备方法包括以下步骤：(1)采用分子束外延生长工艺，在Si衬底上生长InN纳米柱；(2)将步骤(1)所得InN纳米柱进行退火处理，得到Si基InN纳米柱异质结；所述退火的氛围为N2该InN纳米柱异质结包括衬底和生长在衬底上的InN纳米柱，其中InN纳米柱在不同氛围下退火形成异质结。本发明采用一种成本低、工艺简单的方法制备了Si基InN纳米柱异质结光电极。该异质结光电极可用于光电催化水分解制氢，大大提高了产氢效率，为利用太阳能大规模制备氢能源提供有效策略。
一种退火处理 si inn 纳米柱异质结及其制备方法应用

[发明专利]异质结电池的制备方法及异质结电池-CN202210383405.2在审
发明人：庄挺挺;徐昕;李建清;辛科;李晨 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及异质结电池技术领域，具体提供一种异质结电池的制备方法及异质结电池。该异质结电池的制备方法，包括：形成半导体衬底层，半导体衬底层的正面和/或背面为抛光面；在半导体衬底层的抛光面一侧形成透明导电膜；对透明导电膜进行刻蚀，以在透明导电膜背离抛光面的一侧表面形成减反射结构。该异质结电池中半导体衬底层的表面比较平整，即使生长较薄的透明导电膜均匀性也较好，透明导电膜对电流的引出比较均匀，能够提高透明导电膜对电流的收集能力；由于无须对半导体衬底层进行制绒清洗制绒处理，半导体衬底层较厚，较厚的半导体衬底层能够产生更多的电子和空穴对，从而能够产生较大的电流，提高异质结电池的开路电压。
异质结电池制备方法