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[发明专利]一种钛同源半导体异质结光阳极及其制备方法-CN202211072728.6在审
发明人：汪毅;马明;李蒋;崔传艺;宁德;李伟民 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛同源半导体异质结光阳极及其制备方法，所述钛同源半导体异质结光阳极包括导电基底以及生长在导电基底上的二氧化钛纳米棒阵列，所述二氧化钛纳米棒阵列上修饰有非金属掺杂相的二氧化钛纳米片，形成钛同源异质结，所述制备方法包括：在导电基底上生长二氧化钛纳米棒阵列；将二氧化钛纳米棒阵列高温退火处理；用非金属掺杂相的二氧化钛纳米片悬浊液对得到的二氧化钛纳米棒阵列进行表面修饰，使二氧化钛纳米棒阵列形成钛同源异质结，得到基于二氧化钛的纳米异质结；将基于二氧化钛的纳米异质结高温退火，获得钛同源半导体异质结光阳极。本发明提供的制备方法，通过构建异质结，解决了二氧化钛光阳极水分解能力低的问题。
一种同源半导体异质结光阳极及其制备方法

[发明专利]一种双相二氧化锰异质结的制备方法及应用-CN202110784071.5有效
发明人：王诗文;丁军伟;姬东方;方少明;吴诗德;柳文庆;冯朴;赖智龙;曹小玉;张勇;闫继;韩莉锋;郭东杰 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C01G45/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种双相二氧化锰异质结的制备及其锌离子电池应用，该方法以二价锰盐为锰源，过硫酸钾为氧化剂，通过依次室温沉降‑水热反应的方法，得到双相二氧化锰异质结(包括α‑β双相二氧化锰异质结、α‑γ双相二氧化锰异质结、α‑δ双相二氧化锰异质结、β‑γ双相二氧化锰异质结、β‑δ双相二氧化锰异质结等)；得到的双相二氧化锰异质结用于锌离子电池正极材料时，克服了直接采用纯相二氧化锰时存在的锰溶解、容量低和容量衰减等问题，比容量高于
一种二氧化锰异质结制备方法应用

[发明专利]一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器-CN200910243741.1无效
发明人：刘新宇;程伟;金智;王显泰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器，采用异质结双极型晶体管作为有源器件，包括第一级放大电路和第二级放大电路，第一级放大电路采用共发射极放大器拓扑结构，其有源器件为第一异质结双极型晶体管，第一异质结双极型晶体管的基极是该放大器的信号输入端，第一异质结双极型晶体管的集电极是第一级放大电路的信号输出端；第二级放大电路采用达林顿对管结构，其有源器件为第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管，其中第二异质结双极型晶体管的基极是达林顿结构的输入端，第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管的集电极是达林顿结构的输出端。
一种利用电阻进行耦合匹配单片低噪声放大器

[发明专利]一种钙钛矿-硅异质结叠层太阳能电池及其制作方法-CN202010797706.0有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种钙钛矿‑硅异质结叠层太阳能电池及其制作方法，涉及叠层太阳能电池技术领域，以使硅异质结底电池pn结与介孔型无机空穴传输层共存。该钙钛矿‑硅异质结叠层太阳能电池的制作方法包括：提供硅异质结底电池；在硅异质结底电池上形成隧穿复合层；加热硅异质结底电池，同时利用喷涂工艺将无机空穴传输纳米颗粒悬浮液喷涂在隧穿复合层上，溶剂挥发，形成介孔型无机空穴传输层
一种钙钛矿硅异质结叠层太阳能电池及其制作方法

[其他]混合太阳能电池-CN201390000632.7有效
发明人：罗尔夫·斯坦格尔;托马斯·米勒 -专利权人：新加坡国立大学
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：提供了混合太阳能电池，包括：产生过量电荷载流子的吸收层；同质结接触部，其形成在吸收层的第一侧上；钝化层，其形成在吸收层的与第一侧相对的第二侧上；以及掺杂异质结接触部，其形成在吸收层的第二侧上在钝化层之上，钝化层包括一个或多个接触部开口，并且掺杂异质结接触部包括沉积在钝化层之上的掺杂异质结层，掺杂异质结层包括分别在一个或多个接触部开口内形成的一个或多个异质结突起接触部，并且钝化吸收层的表面的异质结突起接触部的表面区域与钝化吸收层的表面的整个表面区域的百分比是
混合太阳能电池

[发明专利]异质结构锰钴铁磷双功能电解水电极材料的制备法和用途-CN202210892529.3在审
发明人：郭兴忠;王凡;邹畅;杨辉 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结构锰钴铁磷双功能电解水电极材料的制备方法和用途，制备方法包括以下步骤：将硝酸钴、硝酸铁、氟化铵、尿素置于去离子水中搅拌，获得溶液；首先通过水热法在处理过的泡沫镍上生长出钴铁前驱体纳米片，再通过二次水热在钴铁前驱体上生长出锰的纳米片，通过对钴铁前驱体比例的调控，获得形貌可控的“片‑片”状前驱体材料，最后，通过磷化处理得到“片‑片”状异质结构锰钴铁磷电极材料，从而制备了无粘结剂、异质结构、性能优良的三维自支撑锰钴铁磷电极材料。本发明制备的锰掺杂的磷化钴/磷化铁异质结构电极材料，具有优异的双功能电解水性能，是一种潜在的电催化全解水催化剂。
结构锰钴铁磷双功能电解水电极材料制备用途

[发明专利]钼酸锌-钛酸钴同轴纤维光阳极膜及其制备方法和应用-CN202210184651.5有效
发明人：张小影;金祖权;王晓晴;程海洋;李宁;唐恒;闫杰;蒋浩森;陈越华;刘佳豪;张依梦;仝瑞轩 -专利权人：青岛理工大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C23F13/14 文献下载
摘要：本发明属于海洋建筑工程金属材料的缓蚀技术领域，具体涉及一种钼酸锌‑钛酸钴同轴纤维光阳极膜及其制备方法和应用。该钼酸锌‑钛酸钴同轴纤维光阳极膜为同轴纤维状ZnMoO4‑CoTiO3纳米异质结。本发明的钼酸锌‑钛酸钴同轴纤维光阳极膜可有效解决或缓解现有技术中用于光电阴极保护的光阳极材料对海洋建筑工程中用到的金属的防腐效果差的问题，实现海洋建筑工程结构的高效光电阴极保护，提升海洋建筑工程（深远海工程构筑物
钼酸钛酸钴同轴纤维阳极及其制备方法应用

[发明专利]场效应晶体管以及制备方法-CN201610210348.2在审
发明人：卢琪;伍晓明;吴华强;张进宇;余志平;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该场效应晶体管包括：衬底；栅极，所述栅极嵌在所述衬底中；异质结，所述异质结设置在所述衬底的上表面，所述异质结包括单层石墨烯以及层状材料；源极，所述源极设置在所述异质结的上表面；以及漏极，所述漏极设置在所述异质结的上表面利用单层石墨烯以及层状材料形成异质结以调节沟道材料禁带宽度，从而可以提高该场效应晶体管的开关比；嵌在衬底中的栅极结构有利于保护单层石墨烯结构不在制备栅极的过程中被破坏，从而可以提高该场效应晶体管的性能。
场效应晶体管以及制备方法

[发明专利]与锗硅异质结NPN 三极管集成的PNP三极管-CN201110326307.7有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李昊;王永成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管。本发明通过在有源区的侧面上形成有基区引出区来引出基区，能避免在有源区的顶部形成多晶硅来引出基区，从而能不需要改变锗硅异质结NPN三极管的制作工艺就能实现PNP三极管和锗硅异质结NPN三极管的集成，能避免对锗硅异质结NPN三极管的制作产生影响，能保证不增加锗硅异质结NPN三极管的制作成本和不降低锗硅异质结NPN三极管的良率。
锗硅异质结 npn 三极管集成 pnp

[发明专利]混合型异质结作为空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法-CN201210314660.8无效
发明人：钟建;李海;于军胜;张继君;唐海华 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合型异质结作为空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法，所述电池包括透明衬底、透明阳极电极、空穴传输层、给体材料层、受体材料层、电子缓冲层和阴极电极，所述空穴传输层是由p型材料和n型材料混合形成的异质结传输层本发明在p型材料和n型材料的界面处将形成异质结，因此在混合层内形成异质结传输网，空穴在异质结传输网内传输被复合的概率大大降低。将该异质结层作为空穴传输层可以有效的提高空穴的迁移率，并最终提高有机太阳能电池的转化效率。
混合型异质结作为空穴传输有机太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种混合平面-体异质结光敏有机场效应管-CN201320060399.3有效
发明人：彭应全;吕文理;罗消 -专利权人：兰州大学
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混合平面-体异质结光敏有机场效应管，其特征是它由衬底、栅极、栅介质、有机载流子输运层、有机体异质结光敏层、源极和漏极组成，有机载流子输运层一面与栅介质相连，而另一面与有机体异质结光敏层相连，形成混合平面一体异质结；有机体异质结光敏层一面与有机载流子输运层相连，并与其形成混合平面一体异质结，另一面与源极和漏极相连；栅介质、源极和漏极可以采用底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触或顶栅顶接触的结构
一种混合平面体异质结光敏有机场效应

[发明专利]含油废水异质结微通道分离方法及装置-CN202110713979.7在审
发明人：刘毅;徐博文;孙玉萧;汪华林;郭靖;赵德银;梁坡 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C02F1/40 文献下载
摘要：本公开涉及含油废水异质结微通道分离方法及装置，提供了一种含油废水异质结微通道分离方法，该方法包括以下步骤：(i)将介质颗粒均匀混合以构建异质结微通道床层；(ii)依靠异质结微通道的拦截、破乳、聚并作用实现含油废水中悬浮物还提供了一种含油废水异质结微通道分离装置。
含油废水异质结微通道分离方法装置

[发明专利]包括氧化亚铜半导体并具有改进的P-N异质结的微电子结构-CN201180047569.8在审
发明人： D·S·达维施;H·A·阿特瓦特 -专利权人：加利福尼亚技术学院
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明提供了用于制造较高品质p-n异质结的方法，所述p-n异质结掺有氧化亚铜和适于形成所述异质结的另一种材料。当掺入到微电子器件中时，这些改进的异质结预期将提供改进的微电子性质，例如改进的缺陷密度、特别是在所述p-n异质结处的较低界面缺陷密度，产生改进的微电子器件，例如具有改进的开路电压、填充因子、效率、电流密度等的太阳能电池器件
包括氧化亚铜半导体具有改进异质结微电子结构

[发明专利]一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法-CN201310278007.5有效
发明人：沈文忠;钟思华;韩旭根 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法。本发明提供的硅基径向同质异质结太阳电池，包括：硅衬底和所述硅衬底上的硅线阵列；所述硅线阵列中的各个硅线皆包括内层、中间层和外壳层，在各个所述硅线的所述内层和所述中间层之间形成径向PN结，在各个所述硅线的所述中间层和所述外壳层之间形成径向异质结；所述PN结为同质结，所述同质结为晶体硅PN结、PP+或NN+浓度结，所述异质结为晶体硅/非晶硅PP+、P+P++、N+N++、NN+浓度结或NI、PI结。这种电池充分结合了径向PN结电池和同质异质结电池的优势，因此可在低质量硅材料上实现较高的光电转换效率，同时能提高电池性能的稳定性。
一种径向同质异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种二维WS2/MoTe2垂直异质结的制备及测试方法-CN202010937609.7在审
发明人：张礼杰;罗婷燕;邹超;杨云 -专利权人：温州大学新材料与产业技术研究院
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维WS2/MoTe2垂直异质结的制备方法；本发明所使用的制备方法对样品的损伤小，方法简单；对制备的二维WS2/MoTe2垂直异质结器件进行了研究测试，得到了相关异质结的电学性能图，拓展了对二维过渡金属硫属化合物异质结的研究
一种二维 ws2 mote2 垂直异质结制备测试方法