专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种含碳纤维复合的发动机活塞环-CN201610843807.0有效
  • 李燕 - 浙江桓宇汽配有限公司
  • 2016-09-23 - 2019-08-06 - F02F5/00
  • 本发明公开了一种含碳纤维复合的发动机活塞环,包括活塞环本体,活塞环本体上包裹一碳纤维复合,碳纤维复合包括多孔金属和碳纤维,碳纤维复合通过挤压的方式与活塞环无缝连接,多孔金属的表面不与气缸发生接触碳纤维复合与活塞环本体紧密结合后,消散了因发动机的异常工作而产生的不均匀载荷和不均匀热量的系列问题,进而延长了活塞环对热量和载荷异动变化的反应时间,减小了热应力和形变趋势,起到了稳压和稳热的作用,最终延长了活塞环的工作周期;碳纤维由于具有高强度、高模量等优点,能够与多孔金属发生协同作用,使碳纤维复合能更好地发挥出稳压和稳热的作用,有效地提高了活塞环的结构稳定性和安全性。
  • 一种碳纤维复合发动机活塞环
  • [发明专利]一种STT-MRAM存储单元-CN201611201099.7有效
  • 王真;何岳巍;胡少杰;闵泰 - 西安交通大学
  • 2016-12-22 - 2020-11-10 - H01L27/22
  • 本发明公开一种STT‑MRAM存储单元,包括晶体管和MTJ单元;晶体管建立在基底上,晶体管的漏极与MTJ单元通过金属线达到漏接触;MTJ单元包括内电极和包裹在内电极外周的种子、铁磁性钉扎、非磁性势垒、铁磁性自由和外电极;金属线与内电极连接;种子、铁磁性钉扎、非磁性势垒、铁磁性自由和外电极均与基底所在平面不平行;种子、铁磁性钉扎、非磁性势垒、铁磁性自由和外电极与金属线间隔设置。
  • 一种sttmram存储单元
  • [发明专利]功率器件的制备方法和功率器件-CN201510030728.3有效
  • 李理;马万里;赵圣哲 - 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
  • 2015-01-21 - 2018-12-28 - H01L21/336
  • 本发明提供了一种功率器件的制备方法包括:形成沟道;在沟道形成P型重掺杂区;形成第一氮化硅;对沟道和氧化上方的第一氮化硅进行刻蚀,以形成第一氮化硅侧墙;对P型重掺杂区进行刻蚀;进行N型注入;形成第二氮化硅;对沟道和氧化上方的第二氮化硅进行刻蚀,以形成第二氮化硅侧墙;对N型重掺杂区进行刻蚀至基片;进行热氧化处理;在热氧化的区域内形成多晶硅;去除第一氮化硅侧墙和第二氮化硅侧墙;在多晶硅上方形成氧化;形成金属并进行退火处理,以形成金属接触;形成金属连接。
  • 功率器件制备方法
  • [发明专利]薄膜晶体管阵列基板及薄膜叠结构的制造方法-CN200410006474.3有效
  • 来汉中 - 友达光电股份有限公司
  • 2004-03-08 - 2005-01-05 - H01L21/00
  • 本发明是有关于一种薄膜晶体管阵列基板及薄膜叠结构的制造方法。该薄膜晶体管阵列基板的制造方法,是首先在一基板上依序形成一第一图案化金属、一介电、一非晶硅、一第二图案化金属及一保护。接着在保护上形成一图案化光阻,至少覆盖第一图案化金属所构成的源极/汲极及其周边区域上方,图案化光阻的部分边缘具有多个薄化区,每个薄化区分别横跨于一个源极/汲极的部分边缘上方。之后以图案化光阻为罩幕进行蚀刻,以暴露薄化区下方的源极/汲极及其周边区域的非晶硅而分别形成多个阶梯状结构。最后在基板上形成多个画素电极,分别覆盖一个阶梯状结构且电性连接至一个源极/汲极。
  • 薄膜晶体管阵列薄膜结构制造方法
  • [发明专利]换能器及其制作方法-CN201911416898.X有效
  • 吴健兴;但强;吴伟昌;黎家健 - 瑞声声学科技(深圳)有限公司
  • 2019-12-31 - 2021-04-27 - B06B1/06
  • 本发明涉及压电换能器领域,提供了一种换能器,所述换能器包括第一晶圆和第二晶圆,所述第一晶圆和第二晶圆均包括基底、固定在所述基底一侧的第一氧化物、固定在所述基底另一侧的金属、以及在所述第一氧化物上依次沉积形成的氮化硅、第一电极、压电和第二电极,所述基底包括第一硅、第二硅和夹设于所述第一硅和第二硅之间的第二氧化物;所述第一晶圆的金属和所述第二晶圆的金属固定连接;所述第一晶圆设有空腔和缝隙,所述第二晶圆设有空腔
  • 换能器及其制作方法
  • [发明专利]一种恒温晶体振荡器-CN202110224768.7有效
  • 万杨;孙晓明;杨飞;谢凡;汪晓虎;黄大勇 - 泰晶科技股份有限公司
  • 2021-03-01 - 2022-09-16 - H03H9/08
  • 本发明涉及一种恒温晶体振荡器,包括底板、第一连接、控温、第二连接、晶片连接金属环,所述底板、所述第一连接、所述控温、所述第二连接、所述晶片连接及所述金属环依次连接;所述底板的一面上设置有导通电极及振荡电极,所述导通电极的数量为两组,两组所述导通电极呈镜像设置于所述底板上,所述振荡电极与两组所述导通电极电连接;所述第一连接、所述控温、所述第二连接及所述晶片连接上均开设有导通孔及连接孔,多个所述导通孔开设于各层的中心位置,且多个所述导通孔朝所述金属环方向的孔径依次增大,以形成阶梯状的控温腔。
  • 一种恒温晶体振荡器
  • [发明专利]金属互连结构的刻蚀方法-CN202010895740.1有效
  • 马莉娜;姚道州;肖培 - 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-08-31 - 2022-07-19 - H01L21/311
  • 本申请公开了一种金属互连结构的刻蚀方法,包括:通过光刻工艺在抗反射上除目标区域以外的其它区域覆盖光阻,抗反射形成于第一介质上,第一介质形成于第二介质上,第二介质形成于第三介质上,第三介质中形成有金属连线;通过包括低刻蚀比的反应气体刻蚀去除目标区域的抗反射;通过包括氟碳化合物的反应气体进行刻蚀;通过包括氟碳化合物和氢气的反应气体进行刻蚀在光阻的表面形成所述保护;通过包括氟碳化合物的反应气体进行刻蚀去除目标区域的第一介质和第二介质通过本申请提供的金属互连结构的刻蚀方法能够提高器件的可靠性和制造效率。
  • 金属互连结构刻蚀方法
  • [发明专利]热传导结构及其制造方法、移动装置-CN202010586742.2有效
  • 萧毅豪;何铭祥 - 河南烯力新材料科技有限公司
  • 2020-06-24 - 2022-12-23 - G06F1/20
  • 本发明公开了一种热传导结构,其包括导热单元、第一热传导金属微结构、第二热传导以及工作流体。导热单元形成封闭腔体,封闭腔体内具有相对的底面与顶面,导热单元的相对两端分别作为热源端及冷却端。第一热传导设置于封闭腔体的底面和/或顶面。金属微结构设置于第一热传导上。第二热传导设置于金属微结构远离第一热传导的一侧。其中,邻近热源端的第一热传导与第二热传导的厚度和,大于远离热源端的厚度和。其中,堆叠结构的第一区段中的第一热传导、第二热传导,与第二区段中的第一热传导、第二热传导的材料至少部分不相同。
  • 热传导结构及其制造方法移动装置
  • [发明专利]互连结构的制备方法-CN202310208483.3有效
  • 何志强;高志杰 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-03-07 - 2023-06-30 - H01L21/768
  • 本发明提供了一种互连结构的制备方法,包括:提供衬底,衬底上依次形成有介电、硬掩模和图形化的光刻胶;以图形化的光刻胶为掩模依次刻蚀硬掩模和介电,以形成贯穿硬掩模的开口和贯穿介电的接触孔,接触孔的深宽比为12:1~30:1;沿开口的宽度方向刻蚀硬掩模显露出接触孔的顶部的部分介电以扩宽开口,且扩宽后的开口的宽度大于接触孔的宽度;采用第一干法刻蚀工艺沿扩宽后的开口刻蚀接触孔的顶部显露的介电,以使接触孔的顶部形成具有两段斜坡轮廓的阶梯状结构;以及,在接触孔的内壁形成阻挡,以及在接触孔内填充金属材料形成金属插塞。本发明能够形成导电良好的金属插塞,提高互连结构的稳定性。
  • 互连结构制备方法

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