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[发明专利]一种扫描电子显微镜电子束斑深度的测量方法-CN202011154425.X有效
发明人：屈晓兰;李璐;黄孟琼 -专利权人：无锡华鑫检测技术有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G01B15/00 文献下载
摘要：本发明提出一种测量扫描电子显微镜电子束斑深度的方法，在导电金属基底层上，逐步溅射上若干层金属层，形成标准样品；利用扫描电子显微镜对标准样品在测试倍率下进行聚焦放大扫描，同时利用能谱仪在测试倍率下分别获取每一金属层的金属元素的出峰临界值电压，以及扫描显微镜电子束到达每一金属层表面激发金属特征信号需要的深度值；进行建模形成测试倍率下的三坐标数据矩阵；调整测试倍率再按照上述的方法分别获取不同倍率下的三坐标数据矩阵；将在不同测试倍率下获取的的数据矩阵进行拟合形成数据矩阵群落
一种扫描电子显微镜电子束深度测量方法

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN202210082753.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳新声半导体有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，薄膜体声波谐振器包括顶部金属电极、压电薄膜层、底部金属电极和衬底，顶部金属电极和底部金属电极分别在压电薄膜层的上下表面形成位置相对的第一声波能量泄漏抑制部和第二声波能量泄漏抑制部同时，压电薄膜层在由顶部金属电极和底部金属电极所覆盖的区段内厚度一致，也即，压电薄膜层的上下表面在该区段内不同位置均保持平行且高度相同，以抑制电场的垂直分量，使得同频率的信号进行相干叠加，提高了薄膜体声波谐振器的
一种薄膜声波谐振器及其制备方法

[发明专利]一种分段式国六天然气当量比催化剂制备方法-CN201910968109.7有效
发明人：承晓华;张杰;王平立;张云;贾莉伟;岳军;王家明;邱祎源 -专利权人：无锡威孚环保催化剂有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B01J23/46 文献下载
摘要：本发明属于催化剂制备技术领域，公开了一种分段式国六天然气当量比催化剂制备方法，利用催化剂浆料对催化剂载体进行两层涂覆，所述两层涂覆包括下层进气端含贵金属钯的第一配方涂层、下层出气端含贵金属钯的第二配方涂层、上层进气端含贵金属铑的第三配方涂层以及上层出气端含贵金属铂的第四配方涂层。本发明采用双层涂覆，保证了适量的涂层厚度，使气体污染物能快速扩散并转化；针对贵金属Pt＆Pd＆Rh进行不同位置的分布，可以有效提升碳氢及氮氧化物的转化率，并且，由于Pd层上覆盖有Rh和Pt层，亦可降低气体中硫对贵金属钯的毒化效果
一种段式天然气当量催化剂制备方法

[发明专利]一种锂金属电池的锂负极表面改性方法、改性锂负极及锂金属电池-CN201910731067.5有效
发明人：汪靖伦;冉琴;韩冲宇;唐子龙 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂金属电池的锂负极表面改性方法、改性锂负极及锂金属电池，属于锂电池技术领域。该方法采用一种双功能金属锂表面改性试剂与金属锂片反应，在锂片表面原位形成一层固态电解质保护层。本发明提供的双功能金属锂表面改性试剂为功能化的环氧化合物，其中环氧基团具有较大的环张力、易聚合形成具有锂离子传导性的聚环氧乙烷单元；此外，该环氧化合物还含有可交联聚合的功能基团，如双键、丙烯酸酯基、硅氧烷基、环氧基团等，通过交联聚合从而形成稳定的具有三维结构的固态电解质保护层。本发明操作方法简单，锂金属电极通过该类功能化环氧化合物的改性处理，能形成稳定的固态电解质保护层，有效抑制锂枝晶的产生，通过上述作用能明显提高电池的循环稳定性能。
一种金属电池负极表面改性方法

[发明专利]基于齿形结构的光吸收器-CN201611270042.2有效
发明人：张旭;李宏强;魏泽勇;程凯扬 -专利权人：东莞同济大学研究院;东莞天卫电磁技术有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：光吸收器包含多个回音壁型吸波单元，回音壁型吸波单元包含：位于底层的金属底层，厚度为：t金属2；位于中间层的介质层，厚度为t介质；t介质＝60～80nm；位于表层且金属材质的光耦合层，其厚度为t金属1；t金属1：t介质：t金属2＝1：(1.5～3)：(4～7.5)；所述光耦合层呈矩形设置，且中部设有矩形的耦合孔；光耦合层的
基于齿形结构光吸收

[发明专利]针对叠层复合材料的多能场一体化加工工具和方法-CN202111320590.2有效
发明人：刘洋;吴明颐;鲁金忠;张朝阳;朱浩;徐坤 -专利权人：江苏大学
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：本发明公开了针对叠层复合材料的多能场一体化加工工具、方法及加工工具的制备方法，涉及特种加工技术领域，通过多工艺流程制备高同轴度的复合工具电极，通过真空层的设计减少复合工具电极的损伤，通过激光光束在真空双层玻璃管中发生全反射到达加工区与射流电解的电化学作用相互融合进而实现金属和非金属叠层材料的一体化加工当加工非金属部分时以激光热能去除材料；当加工到工件金属部分时以电化学作用为主、激光作用为辅去除材料；高速流动的电解液快速带走加工热量；加工过程中电解电路和激光光路始终处于接通状态，针对工件非金属和金属部分的加工过程不需要人为干预和控制本发明对实现叠层复合材料的高效高质量一体化加工具有重要价值。
针对复合材料多能一体化加工工具方法

[发明专利]MOM电容失配模型及其提取方法-CN201811581776.1有效
发明人：张瑜;商干兵;王斐 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：2+1e‑18)**0.5‑mis_geo)+mis_d+mis_e*power(mis_lay，mis_f))*mis_con’其中，mis_geo代表MOM电容尺寸，mis_lay代表MOM结构的金属层数，mis_a、mis_b、mis_c和mis_d为与MOM电容尺寸相关的参数，mis_e和mis_f为与MOM结构的金属层数相关的参数，mis_con’＝f(w，l，nr，s，mis_lay，V，T)为基本的MOM电容模型，其中w为MOM电容版图中每个金属层的宽度，L为MOM电容版图中每个金属层的长度，nr为每一电极包括的金属层的个数，s为MOM电容版图中相邻金属层的间距，V为施加在MOM电容上的电压，T为
mom 电容失配模型及其提取方法

[发明专利]功率金属氧化物半导体场效晶体管-CN201710952623.2有效
发明人：李绍谦;林宏泽;王珑智;王圣元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种功率金属氧化物半导体场效晶体管，包括第一晶体管与第二晶体管。第一晶体管与第二晶体管分别包括以下构件。阱区位于基底结构中。沟槽式栅极设置于阱区中。第一金属层设置于基底结构的第一表面上，且电连接于第一掺杂区。第二掺杂区设置于基底结构中。第二金属层设置于基底结构的相对于第一表面的第二表面上，且电连接于第二掺杂区。第一晶体管与第二晶体管共用第二掺杂区与第二金属层。所述功率金属氧化物半导体场效晶体管可仅使用位于相同表面上的金属层来完成电性测试。
功率金属氧化物半导体晶体管

[发明专利]一种SiC GTO与MESFET集成结构及其制作方法-CN202110006704.X有效
发明人：王俊;梁世维;邓雯娟;王雨薇;张倩 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：第一导电类型的衬底，位于衬底上表面的漂移区；位于漂移区上表面的第一基区；贯穿第一基区的隔离沟槽，隔离沟槽将所述第一基区分隔为第一区域和第二区域；填充在隔离沟槽内的第一隔离层；位于第一区域的第二掺杂半导体层、门极金属；位于第二掺杂半导体层的上表面的阳极金属；位于衬底的下表面的阴极金属；位于第二区域内的第二隔离层，位于第二隔离层内的第一掺杂半导体层；位于第一掺杂半导体层上表面的漏极金属、栅极金属和源极金属；位于第二隔离层的上表面的两端的隔离环接地
一种 sic gto mesfet 集成结构及其制作方法

[发明专利]显示面板和显示装置-CN202110972788.2有效
发明人：王世龙;赵二瑾;青海刚;肖云升;于子阳;蒋志亮;胡明 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该显示面板包括衬底基板，包括显示区，显示区包括主显示区和位于主显示区一侧的扇出引线区；驱动层，包括晶体管和数据线；扇出引线层，与数据线连接，包括行引线和列引线；虚设金属线层，包括多条第一行虚设金属线和多条第一列虚设金属线，至少相邻两条行引线之间设有至少一条第一列虚设金属线，至少相邻两条列引线之间设有至少一条第一行虚设金属线，相邻两条扇出引线绝缘；第一触控电极层，间隔排布的多条行延伸线，行延伸线沿行方向延伸；其中，行引线和第一行虚设金属线至少部分区域被行延伸线覆盖
显示面板显示装置

[发明专利]基于太赫兹波段的超材料传感器及其使用方法-CN202010355126.6有效
发明人：刘伟;粱兰菊;闫昕;杨其利 -专利权人：枣庄学院
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明采用的技术方案是：包括介质层和介质层上依附的金属层，金属条和开口谐振环组成谐振单元，谐振单元沿着x、y方向周期性在介质层上排列；金属条与y轴平行，开口谐振环的开口正对着金属条，单元周期内金属条和开口谐振环各为一个。本发明的优点如下：通过金属条在太赫兹电磁波激励下的“亮模型”，而开口谐振环的“暗模型”相互发生耦合时，产生破坏性干涉，实现EIT‑link效应，在谐振点附近产生尖锐的透射峰，使传感器
基于赫兹波段材料传感器及其使用方法

[发明专利]基于金属电极的等离子体显示板前板-CN200610161650.X无效
发明人：樊兆雯;张雄;王保平;李青;朱立锋;林青园 -专利权人：南京华显高科有限公司
申请日： 2006-12-30 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： H01J17/04 文献下载
摘要：本发明是针对现有的等离子体显示板前板对基板玻璃要求过高以及采用金属电极时易出现玻璃衬底表面变色，使显示对比度变差、不美观等一系列问题，公开了一种既可用于普通浮法玻璃，又可用于PD200专用玻璃且制造成本较低的基于金属电极的等离子体显示板前板，它包括作为前衬底的玻璃基板(1)、电极组(3)、介电层(4)和保护膜(5)，电极组(3)位于玻璃基板(1)和介电层(4)之间，保护膜(5)则覆盖在介电层(4)的外侧表面上，其特征所述的电极组(3)采用金属电极，所述的金属电极组(3)和玻璃基板(1)和之间设有用于防止金属电极形成过程中金属材料向玻璃基板(1)表面扩散的阻挡层(2)。
基于金属电极等离子体显示板前板

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310060338.1无效
发明人：周明杰;王平;黄辉;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阳极包括镧系氧化物及掺杂到镧系氧化物中的金属氧化物和金属硫化物，其中，所述金属氧化物占所述镧系氧化物的质量百分数为10%～50%，所述金属硫化物占所述镧系氧化物的质量百分数为1%～5%，所述镧系氧化物的材料选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述金属氧化物选自氧化锌、氧化镁及氧化锆中的至少一种，所述金属硫化物选自硫化镁、硫化锌、硫化镉及硫化钠中至少一种，上述有机电致发光器件的出光效率较高。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]碳化硅纤维增强钛铝基复合材料及其制作方法-CN201210562901.0无效
发明人：马朝利;马凤梅;孙彦波;刘茂文;王婷婷;文世珍;武丹 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B32B5/08 文献下载
摘要：碳化硅纤维增强钛铝基复合材料的制作方法，包括：把第一金属箔(102)和第二金属箔(103)与碳化硅纤维(104)交替叠置，形成包括第一金属箔－第二金属箔－碳化硅纤维的叠层（101）；将叠层(101)放入模具（203）中，并把模具合模；把叠层（101）放入真空热压烧结炉，进行第一阶段高温热压处理，使其中的第一金属和第二金属反应；把带有叠层(101)的第一阶段高温热压产物的模具（203）放入真空热压烧结炉，进行第二阶段高温高压的烧结
碳化硅纤维增强钛铝基复合材料及其制作方法

[发明专利]用于PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导体管-CN201110140204.1无效
发明人：廖红 -专利权人：四川长虹电器股份有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明解决了现有PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导体管在电平位移电路中的高端P型金属氧化物半导体管的源端电源到隔离槽之间的N型外延层容易击穿的问题，提供了一种PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导体管，其技术方案为：PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导体管，其P型漏端欧姆接触区的上表面与漏端金属相连，其余部分设置在P型缓冲区中，而P型缓冲区设置在高压P型阱中，隔离槽设置在N型外延层中漏极位置外延的场氧化层与埋氧层之间本发明的有益效果是，不易击穿，适用于PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导体管。
用于 pdp 驱动芯片金属氧化物半导体