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- [发明专利]一种太赫兹波带阻滤波装置-CN201510355648.5在审
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陈麟;魏凌;王奂思;赵雪微;朱亦鸣
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上海理工大学
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2015-06-24
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2015-10-21
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H01P1/20
- 本实施例提供了一种太赫兹波带阻滤波装置，为一个曲面型周期凹槽结构，具有上金属光栅层，包括多个周期性交替排布上金属栅条和上介质栅条，用于将入射波转化为表面等离子波，以及位于上金属光栅层下方，和上金属光栅层相对且结构相同的下金属光栅层，包括多个分别和上金属栅条以及上介质栅条相对的下金属栅条和下介质栅条，其中，上金属光栅层和所述下金属光栅层是由曲面构成的，曲面可以是双曲面型和圆弧型。由于表面等离子模式的入射波在上金属栅条和下金属栅条之间往复运动，产生能带间隙，形成带阻，使得本发明提供的太赫兹波带阻滤波装置，在低阶电磁波模式下，能够形成高品质宽频段的滤波效果。
- 一种赫兹波带阻滤波装置
- [发明专利]一种基于多栅调制的多阈值耦合器件及其制备方法-CN202210148223.7在审
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朱青;陈怡霖;张濛;马晓华;田晓坤;宓珉瀚
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西安电子科技大学
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2022-02-17
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2022-07-08
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H01L21/335
- 本发明涉及一种基于多栅调制的多阈值耦合器件及其制备方法，方法包括：选取衬底层；在衬底层上生长缓冲层；在缓冲层上生长i‑GaN层；在i‑GaN层上生长AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上淀积欧姆金属；从AlGaN势垒层的外围注入离子至i‑GaN层内；在AlGaN势垒层上制备SiN层；将栅脚区域的SiN层去除；在栅脚区域的AlGaN势垒层上淀积平面栅金属，制备平面栅；间隔去除凹槽栅区域的平面栅金属、部分AlGaN势垒层，使平面栅金属呈预设间隔间断排布；在凹槽栅区域的AlGaN势垒层上和间隔排布的平面栅金属上制备Al2O3介质层；在凹槽栅区域Al2O3介质层的底部和侧壁上淀积凹槽栅金属，制备凹槽栅。本发明通过在凹槽栅区域和平面栅区域施加不同的栅极电偏置，实现多阈值耦合，从而提高器件的跨导平坦度。
- 一种基于调制阈值耦合器件及其制备方法
- [发明专利]沟槽栅IGBT-CN201610003233.6有效
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刘国友;朱利恒;黄建伟;罗海辉;谭灿健;杨鑫著;肖强;文高
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株洲中车时代电气股份有限公司
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2016-01-05
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2017-07-11
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H01L29/739
- 本发明提供一种沟槽栅IGBT，包括：半导体衬底和第一结构，所述第一结构包括位于所述半导体衬底表面内的第一沟槽栅结构及第二沟槽栅结构；其中，第二沟槽栅结构位于两个第一沟槽栅结构之间，第一沟槽栅结构为真栅，第二沟槽栅结构为假栅；发射极金属与第二沟槽栅结构相接触。由于现有技术中的发射极金属接触区设置在沟槽之间，而本发明中的发射极金属接触区不限于沟槽之间，即发射极金属接触区包含了与假栅接触部分，增大了发射极金属接触区，使用此种结构并没有使沟槽间距增大，相反，还可以将第一沟槽栅结构与第二沟槽栅结构之间的距离适当缩小，使真栅与假栅之间的间距不再受发射极最小接触面积的影响，显著降低沟槽栅IGBT的导通压降。
- 沟槽igbt
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