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- [实用新型]晶圆凸块结构-CN201020192404.2有效
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朱贵武;璩泽明
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茂邦电子有限公司
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2010-05-17
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2010-12-22
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H01L23/482
- 一种晶圆凸块结构，包括晶圆状态半导体芯片、前处理层、第一化镀保护层及数个柱状凸块；该半导体芯片包括芯片垫及设开孔的保护层，该前处理层堆栈于半导体芯片的芯片垫的外露表面上；该第一化镀保护层堆栈于该前处理层上、该保护层的开孔侧壁及该保护层于该开孔外部的表面上；所述柱状凸块堆栈于该第一化镀保护层上及该保护层部分表面上，各柱状凸块由可视需求高度成形的导电金属层、及与该导电金属层外周缘呈紧密结合状包覆的第二化镀保护层所组成
- 晶圆凸块结构
- [实用新型]微细间距凸块结构-CN201220058795.8有效
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施政宏;谢永伟;林淑真;林政帆;戴华安
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颀邦科技股份有限公司
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2012-02-22
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2013-01-02
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H01L23/488
- 本实用新型是有关于一种微细间距凸块结构，其至少包含：一硅基板、多个凸块下金属层、多个铜凸块、多个凸块保护层及多个可润湿层，该硅基板具有多个焊垫，该些凸块下金属层形成于该些焊垫上，各该凸块下金属层具有一凸块承载部及一延伸部，该些铜凸块形成于该些凸块下金属层上，且各该铜凸块具有一第一顶面及一环壁，该些凸块保护层形成于该些凸块下金属层的该些延伸部、各该铜凸块的该第一顶面及该环壁上，各该凸块保护层具有一凸块覆盖部及一金属层覆盖部，各该凸块覆盖部包覆各该铜凸块的该第一顶面及该环壁，且该凸块覆盖部具有一第二顶面，各该金属层覆盖部覆盖各该延伸部，该些可润湿层形成于该些凸块覆盖部的该些第二顶面上。
- 微细间距结构
- [实用新型]微细间距凸块结构-CN201220058807.7有效
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施政宏;谢永伟;林淑真;林政帆;戴华安
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颀邦科技股份有限公司
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2012-02-22
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2013-01-02
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H01L23/488
- 本实用新型是一种微细间距凸块结构，其包含一硅基板、多个凸块下金属层、多个铜凸块、多个凸块保护层及多个金层，该硅基板具有多个焊垫，该些凸块下金属层形成于该些焊垫上，各该凸块下金属层具有一凸块承载部及一延伸部，该些铜凸块形成于该些凸块下金属层上，且各该铜凸块具有一第一顶面及一第一环壁，该些凸块保护层形成于该些延伸部、各该铜凸块的该第一顶面及该第一环壁上，各该凸块保护层具有一凸块覆盖部及一金属层覆盖部，各该凸块覆盖部包覆各该铜凸块的该第一顶面及该第一环壁且该凸块覆盖部具有一第二顶面及一第二环壁，各该金属层覆盖部覆盖各该延伸部，该些金层形成于各该金属层覆盖部、各该凸块覆盖部的该第二顶面及该第二环壁上。
- 微细间距结构
- [实用新型]电铸晶圆凸块-CN201220034180.1有效
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李真明;周涛;黎盼;陈英;余文龙
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昆山美微电子科技有限公司
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2012-02-03
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2012-09-26
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H01L23/488
- 本实用新型属于覆晶封装技术领域，尤其涉及一种电铸成型于半导体晶片的引脚的电铸晶圆凸块，包括IC脚垫和电铸成型于IC脚垫上的锡铅凸块；所述的锡铅凸块为多个，厚度为0.02～0.2mm，锡铅凸块为100～200个，凸块间距为100～200μm；锡铅凸块由外而内分为锡铅球本体和球下冶金层；锡铅球本体为倒置的球形，材料为锡铅合金，锡铅球本体的高度为50～80μm。本实用新型具有的有益效果为：晶圆凸块采用锡铅合金材料，制造成本较低；采用电铸的方法生成晶圆凸块，生产效率高，凸块间距较稳定地控制于150μm以下，精度高，能获得质量稳定的电铸晶圆凸块。
- 电铸晶圆凸块
- [实用新型]电动转盘凸块装置-CN200620020218.4无效
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沈佐华;沈荣澍
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沈荣澍
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2006-02-15
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2007-02-21
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B61J3/00
- 电动转盘凸块装置，它涉及一种凸块装置。本实用新型的目的是为解决现有煤矿副立井电动转盘，需用人工推动矿车进入出口导轨，存在矿井工作人员工作量增加，工作效率降低问题。导轮(8)两侧的导轮轴(9)上对称装有导轮支架(7)，每个导轮支架(7)与导轮轴(9)之间装有轴套(10)，每个导轮支架(7)的上端面与底座(6)的下端面固接，底座(6)装在套筒内，底座(6)的上端面与凸块立柱(5)的下端面固接，凸块立柱(5)的上端面与凸块(2)的下端面固接，凸块(2)上装有弹簧(3)。
- 电动转盘装置
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