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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]凸块活动扳手-CN201520853201.6有效
发明人：郑福建 -专利权人：郑福建
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： B25B13/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种凸块活动扳手，其结构包括手柄、扳手头、呆扳唇、活动扳唇、蜗轮和轴销；所述呆扳唇的内侧面设有块状结构的呆扳唇凸块，所述活动扳唇的内侧面设有块状结构的活动扳唇凸块；所述呆扳唇凸块设有两个，所述两个呆扳唇凸块并列对称设置在所述呆扳唇内侧；所述呆扳唇内侧开设有沉孔。当所述活动扳唇向所述呆扳唇靠拢时所述活动扳唇凸块能通过所述两个呆扳唇凸块之间的空间并插入到所述呆扳唇内侧上的沉孔中。
活动扳手

[实用新型]凸块粉碎刀片-CN201220347344.6有效
发明人：施毕富 -专利权人：施毕富
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： B02C18/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及涂料生产设备技术领域，尤其是一种凸块粉碎刀片。一种凸块粉碎刀片，包括刀片和安装头，所述刀片底部设有安装头，所述刀片上设有凸块，所述凸块中设有凹槽，所述凸块的数目至少为两个。这种凸块粉碎刀片利用安装在刀片上的凸块和设计在凸块内的凹槽，增加了对涂料的粉碎打击度，这样就提高了粉碎效果，并且提高了工作效率，使用效果良好。
粉碎刀片

[实用新型]凸块封装结构-CN202121945571.4有效
发明人：何正鸿;徐玉鹏;钟磊;李利 -专利权人：甬矽电子（宁波）股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供了一种凸块封装结构，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片基底、焊垫、保护层、金属层和导电凸起，其中，金属层包括粘接层和导电层，通过设置粘接层，并且在粘接层上开设缺口，导电层延伸至缺口内并与焊垫相接触，从而增大了结合面积，进而增大了导电凸起底部金属层的结合强度，能够保证铜柱凸块结合牢固。
封装结构

[实用新型]凸块封装结构-CN202221770746.7有效
发明人：何正鸿;王森民 -专利权人：甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供了一种凸块封装结构，涉及半导体封装技术领域，凸块封装结构包括芯片、焊垫、保护层、基底导电层、第一组合导电层、导电柱和焊帽，其中，基底导电层包括多层的石墨烯结构。相较于现有技术，本实用新型提供的凸块封装结构及其制备方法，石墨烯填充于保护开口内，并覆盖保护开口，其能够避免出现过渡腐蚀形成的底切开口，同时结构更加稳定，避免了电极受力裂开的问题，且散热、导电性能均较佳
封装结构

[实用新型]凸块转移夹具-CN03208183.9无效
发明人：何昆耀;宫振越 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2003-08-22 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种凸块转移夹具，适于配置多个焊料凸块，此凸块转移夹具包括一转移板，此转移板具有多个定位结构，其配置于转移板的表面，如此这些凸块材料可放置于定位结构中。其中，定位结构为一凹穴结构或一凸起结构，而凸块材料可容纳于凹穴结构中或沾附于凸起结构上，用以减少凸块转移制作工艺的时间与成本。
转移夹具

[实用新型]凸块接合结构-CN200520118808.6无效
发明人：何昆耀;宫振越 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2005-09-08 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种凸块接合结构，用以电性连接一芯片以及一承载器，芯片具有至少一芯片接垫与一暴露出芯片接垫的保护层，且承载器具有至少一承载接垫与一暴露出承载接垫的焊罩层。凸块接合结构包括一第一金属凸块、一第二金属凸块与一中间金属层。第一金属凸块配置于芯片接垫上，且第一金属凸块相对于保护层的表面具有一第一高度。第二金属凸块配置于承载接垫上，且第二金属凸块相对于焊罩层的表面具有一第二高度。中间金属层配置于第一金属凸块与第二金属凸块之间，其中第一金属凸块与第二金属凸块之间的最短距离、第一金属凸块的第一高度与第二金属凸块的第二高度的总和小于60微米，且中间金属层的熔点同时小于第一金属凸块的熔点与第二金属凸块的熔点
接合结构

[外观设计]组合凸块管-CN03325398.6无效
发明人： -专利权人：
申请日： 2003-03-21 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： 25-02 文献下载
摘要：省略其它视图。
组合凸块管

[外观设计]凸块管构件-CN03325399.4无效
发明人： -专利权人：
申请日： 2003-03-21 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： 25-02 文献下载
摘要：1.主视图与后视图相同，省略后视图；2.左视图与右视图相同，省略右视图；3.主视图上部所示凸块为至少2个，图示为8个；4.左视图上部所示凸块为至少1个，图示为2个。
凸块管构件

[发明专利]晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法-CN201811629014.4在审
发明人：陈浩 -专利权人：颀中科技（苏州）有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法，所述晶圆凸块包括位于底部的半导体基材、位于所述半导体基材上的线路层、位于所述线路层上方的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第二金属层和所述线路层之间，所述晶圆凸块还包括围绕所述第一金属层侧面设置的第一光刻胶、位于所述第一金属层和所述线路层之间的隔绝层，所述第一光刻胶的高度不低于第一金属层的高度。本发明的晶圆凸块可以防止第一金属层氧化。本发明的晶圆凸块的制造方法，工艺简单，制得的晶圆凸块抗氧化性高，且可以抵抗两种金属之间存在电位差而造成的贾凡尼效应。
晶圆凸块制造方法

[发明专利]凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法-CN202110947043.0在审
发明人：何正鸿;徐玉鹏;钟磊;李利 -专利权人：甬矽电子（宁波）股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片基底、焊垫、保护层、金属层和导电凸起，其中，金属层包括粘接层和导电层，通过设置粘接层，并且在粘接层上开设缺口，导电层延伸至缺口内并与焊垫相接触，从而增大了结合面积，进而增大了导电凸起底部金属层的结合强度，能够保证铜柱凸块结合牢固。
封装结构制备方法

[发明专利]凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法-CN202210805764.2在审
发明人：何正鸿;王森民 -专利权人：甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，凸块封装结构，包括芯片、焊垫、保护层、基底导电层、第一组合导电层、导电柱和焊帽，其中，基底导电层包括多层的石墨烯结构相较于现有技术，本发明提供的凸块封装结构及其制备方法，石墨烯填充于保护开口内，并覆盖保护开口，其能够避免出现过渡腐蚀形成的底切开口，同时结构更加稳定，避免了电极受力裂开的问题，且散热、导电性能均较佳，有效缓解了电迁移和热迁移带来的失效隐患
封装结构制备方法

[发明专利]凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法-CN202210853382.7在审
发明人：何正鸿;王森民 -专利权人：甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片、保护层、基底粘接层、导电组合层、电性凸柱和帽层，其中基底粘接层为多层石墨烯材料，能够增强底部结构的稳定性以及疏水性相较于现有技术，本发明提供的凸块封装结构，能够避免出现过度腐蚀形成的底切开口，同时结构更加稳定，底部结构结合力更好，且散热、导电性能均较佳，有效缓解了电迁移和热迁移带来的失效隐患。
封装结构制备方法

[发明专利]凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法-CN202210805360.3在审
发明人：何正鸿;胡彪 -专利权人：甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括晶圆、保护层、基底导电层、组合导电层、导电凸柱和焊帽。通过设置石墨烯材料的基底导电层作为导电凸柱的基底结构，可以更好的避免铜柱底部UBM层变形受力，起到缓冲作用。
封装结构制备方法

[发明专利]凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法-CN202210231090.X在审
发明人：姜滔;肖选科 -专利权人：甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片、第一保护层、第二保护层、第三保护层、导电金属层、导电凸块和焊帽，第一保护层设置有第一开口，第二保护层设置有第二开口
封装结构制备方法

[发明专利]凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法-CN202210233438.9在审
发明人：姜滔;肖选科 -专利权人：甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片、第一缓冲层、第一保护层、导电组合层和导电凸块，通过在芯片的一侧依次设置第一缓冲层、第一保护层，并在第一导电开口内设置导电组合层，最后在导电组合层上完成导电凸块的制作，其中，通过在第一缓冲层上设置第一缓冲层，能够有效地对导电组合层进行缓冲，降低焊接脱落概率。同时，通过设置第一凹槽，使得导电组合层延伸至第一凹槽内，从而大幅提升了导电组合层与第一缓冲层之间的结合力，进而提升了导电凸块与芯片之间的结合力你，避免出现导电凸块掉落的问题，保证了结构的可靠性。
封装结构制备方法

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