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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]芯片装置及其凸块配置方法-CN201510888099.8有效
发明人：蒋昊 -专利权人：上海兆芯集成电路有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：该芯片装置包括多个第一凸块、多个第二凸块和基板。所述第一凸块用以供应第一电压至该芯片装置内的多个集成电路。所述第二凸块用以供应第二电压至所述集成电路。该基板透过倒装芯片技术与所述第一凸块和所述第二凸块互相电性连接，其中所述第一凸块和所述第二凸块配置于该芯片装置的最高金属层；以及其中最相近的两个第一凸块之间的距离大于两个最相近的第一凸块和第二凸块之间的距离
芯片装置及其配置方法

[发明专利]倒装芯片封装的凸块工艺-CN03142341.8有效
发明人：何昆耀;宫振越 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2003-06-13 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装芯片封装的凸块工艺，适用于制作凸块及底胶层于芯片的有源表面。首先，在芯片的有源表面的芯片垫上分别形成一黏着层，并散布多个凸块球至芯片的有源表面，且震动这些凸块球，使得每一黏着层均黏住单一凸块球。然后，去除其余未黏住至黏着层的凸块球，并形成一底胶层于芯片的有源表面，且环绕于这些凸块球的侧缘，并暴露出这些凸块球的顶缘。因此，此倒装芯片封装的凸块工艺将可提高倒装芯片封装的可靠度，并降低倒装芯片封装的整体成本。
倒装芯片封装工艺

[发明专利]凸块底缓冲金属结构-CN02123300.4有效
发明人：宫振越;何昆耀 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2002-06-17 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在芯片或基板的焊垫与焊料凸块之间，其中焊料凸块的主要成分为锡铅合金，此凸块底缓冲金属结构至少具有一金属层及一缓冲金属结构，此缓冲金属结构能够减轻或减缓金属层与焊料凸块结合时产生介金属化合物的电气其中，金属层配置于芯片的焊垫上，其组成成分例如为铜、铝、镍、银或金等可与锡发生化学反应的金属，而缓冲金属结构则配置于金属层及焊料凸块之间，用以减少金属层及焊料凸块之间生成介金属化合物的可能性。
凸块底缓冲金属结构

[发明专利]凸块结构与其制作方法-CN201610103905.0有效
发明人：卢东宝;徐子涵 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种凸块结构与其制作方法。凸块结构包括凸块本体以及多个孔隙。孔隙分布于凸块本体中，其中孔隙的直径介于0.05微米至1微米之间，且凸块本体与孔隙间的孔隙度介于25％至75％之间。凸块结构的制作方法，包括下列步骤：将多个气泡掺杂于电镀液中。藉由电镀液形成凸块本体于镀件上，且气泡混入凸块本体中，以构成分布于凸块本体中的多个孔隙，其中孔隙的直径介于0.05微米至1微米之间，且凸块本体与孔隙间的孔隙度介于25％至75％之间。本发明使凸块结构具有高孔隙度与弹性，从而提高凸块结构的接合效果，并同时降低生产成本。
结构与其制作方法

[发明专利]半导体装置的凸块结构-CN201510479932.3有效
发明人：锺孙雯;张程皓 -专利权人：晶宏半导体股份有限公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的凸块结构，焊垫与辅助垫设置于装置主体上。一绝缘层形成于装置主体上，并具有一辅助孔，以显露出辅助垫。凸块下金属层形成于绝缘层上，并连接至焊垫与辅助垫。细长凸块凸起状设置于凸块下金属层上，细长凸块具有一位于焊垫上的凸块部以及一延伸部，延伸部连接凸块部并位于绝缘层上，并且细长凸块的延伸部的长度不小于凸块部长度的百分之八十，且延伸部覆盖辅助垫并具有一根部，藉此，可达到加强细长凸块结合在凸块下金属层上的效果，使细长凸块不会歪斜。
半导体装置结构

[发明专利]芯片封装结构及凸块制程-CN200510117212.9有效
发明人：林俊宏;沈更新 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种芯片封装结构，其包括一第一基板、一第二基板、多数个凸块以及一粘着材料。其中，第一基板具有多个第一焊垫，第二基板配置于第一基板的上方，且具有多个第二焊垫，上述凸块分别配置在所述第一焊垫或所述第二焊垫上，且第二基板是透过凸块而电性连接至第一基板，具有B阶特性的粘着材料配置于第一焊垫与第二焊垫之间，且包围每一凸块。上述凸块可为结线凸块或电镀凸块。
芯片封装结构凸块制程

[发明专利]凸块指化的晶片结构-CN200710090051.8有效
发明人：施合成;王俊元;郑怡芳;王琼琳;锺孙雯 -专利权人：晶宏半导体股份有限公司
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明是有关于一种凸块指化的晶片结构，主要包含一晶片主体以及复数个指状凸块。该晶片主体具有复数个接垫。该些指状凸块是突起状设置于该晶片主体上，每一指状凸块具有一凸块体与一延伸部，该些凸块体的底部覆盖区域是位于该些接垫内，该些延伸部的底部覆盖区域是超出该些接垫之外。藉此，可以在不增加晶片尺寸的条件下微间距配置更多的指状凸块，且不会影响凸块接合强度。
凸块指化晶片结构

[发明专利]无凸块式芯片封装体-CN200510108095.X有效
发明人：何昆耀;宫振越 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明是关于一种无凸块式芯片封装体，包括一支撑元件、一芯片、一填充金属层以及一内连线结构。支撑元件具有一支撑面及一凹陷。
无凸块式芯片封装

[发明专利]焊锡凸块的形成方法-CN200310115768.5有效
发明人：詹忠荣;陈晋亿;许文政 -专利权人：悠立半导体股份有限公司
申请日： 2003-11-28 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明揭示一种焊锡凸块的形成方法，包含：提供一基底，具有一金属层于一表面上；形成一图形化的罩幕层于上述金属层上，暴露部分上述金属层；以及以电镀法形成一银含量为1.6－3.0重量百分比(wt％)的焊锡(solder)凸块于暴露的上述金属层上。
焊锡形成方法

[发明专利]弹性凸块结构及其制造方法-CN03157558.7有效
发明人：黄元璋;张世明;陆苏财 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2003-09-24 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种弹性凸块结构及其制造方法，应用于电子组件的覆晶封装，弹性凸块结构由高分子凸块与金属层所组成，其形成于电子组件表面的导电接点，高分子凸块具有一上表面、一下表面及一个或一个以上的侧面，侧面连接上表面与下表面
弹性结构及其制造方法

[发明专利]焊锡凸块的修正方法-CN201680081870.3有效
发明人：中村秀树 -专利权人：千住金属工业株式会社
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：在硅晶片上形成的图案是微细的，所形成的焊锡凸块也是微细的，因此，当问题产生时不能进行修正，连工件的硅晶片都被废弃。作为修正方法，在形成于硅晶片上的焊锡凸块上，在将穿孔成与上述焊锡凸块相同图案的掩模覆盖到焊锡凸块上之后，从上述掩模上接触熔融焊锡，将熔融焊锡填充到上述掩模的穿孔部中。
焊锡修正方法

[发明专利]凸块结构及其制作方法-CN200810169241.3无效
发明人：孙伟豪;汤宝云 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种凸块结构及其制作方法，其包含有一表面上形成有数个连接垫的半导体基底；一覆盖于基底上的保护层，其对应于每一连接垫具有一开口，以露出部分连接垫，作为电性连接位置；一位于保护层上的弹性层；以及数个凸块，其每一位于电性连接位置上，且延伸至弹性层上，以借由弹性层提供凸块弹性与变形量的空间。本发明利用一较大尺度(≥20μm)的弹性层图案化制程，来形成适当图案的弹性层，以使凸块结构能够适用于超细节距的IC元件。
结构及其制作方法

[发明专利]基于凸块的简易榨汁器-CN201210110634.3无效
发明人：马连德 -专利权人：马连德
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： A47J19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于凸块的简易榨汁器。所述基于凸块的简易榨汁器主体（1）为圆形托盘结构，其中间设有向上的半椭圆形凸块（2），所述凸块（2）的表面设有起伏凹陷，环绕凸块（2）设有凹槽（3），所述凹槽（3）底部至主体（1）的边缘开设导流槽（4）本发明的简易榨汁机，是一体式结构，通过中心的椭圆形凸块，将水果汁压出来，结构简单，使用方便。
基于简易榨汁

[发明专利]IC封装凸块的制造工艺-CN201210293532.X无效
发明人：余家良 -专利权人：江苏汇成光电有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种IC封装凸块的制造工艺，包括如下步骤：提供一硅片，硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在硅片上至少形成一双层凸块，双层凸块覆盖铝垫及硅片护层；在硅片上还至少形成一保护层，在保护层上至少形成一导电层；在硅片表面上至少形成一层厚度均一的光阻层，光阻层全部覆盖保护层和导电层；在硅片上对需要形成双层凸块的地方进行曝光和显影；在硅片表面沉积双层凸块；移除硅片表面的光阻层；采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。通过上述方式，本发明IC封装凸块的制造工艺流程简单，能够制造出金加钯的双层凸块，作用于结合晶片和面板，能够降低材料成本，产品寿命更长，可靠度更加，增强了市场竞争性。
ic 封装制造工艺

[发明专利]带有凸块的铍青铜棒-CN201110299045.X无效
发明人：赵翰庆 -专利权人：江阴市周庄瑞庆合金材料有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01B5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有凸块的铍青铜棒，属有色金属技术领域。它包括铍青铜棒本体(1)，所述铍青铜棒本体(1)呈正方体结构，在所述铍青铜棒本体(1)的前端面上左右对称设置有一凸块(2)。
带有铍青铜

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