“通孔中电”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15455173个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于在衬底中制造电敷镀通孔的方法以及具有电敷镀通孔的衬底-CN201110235530.0有效
发明人： J·赖因穆特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在衬底中制造电敷镀通孔的方法以及一种具有电敷镀通孔的衬底。该方法具有以下步骤：这样形成电敷镀通孔(6；6’；6”；6”’)，使得所述电敷镀通孔从衬底的正面(V)至衬底的背面(R)穿过所述衬底(2；2’)；在衬底(2；2’)的正面(V)上形成一个第一封闭层(I1)；通过一个从衬底(2；2’)的背面(R)开始的蚀刻过程在衬底(2；2’)中形成一个围绕电敷镀通孔(6；6’；6”；6”’)的环形绝缘沟道(IG；IG’)，其中，该蚀刻过程在第一封闭层(I1)上停止；及通过在衬底(2；2’)的背面(R)上形成一个第二封闭层(18)来封闭衬底(2；2’)中的环形绝缘沟道(IG；IG’)。
用于衬底制造电敷镀通孔方法以及具有

[发明专利]电液伺服阀中阀套上通孔的加工夹具-CN200710171643.2无效
发明人：曹勇;黄周成;鲍时进 -专利权人：上海诺玛液压系统有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： B23B47/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种电液伺服阀中阀套上通孔的加工夹具，包括钻模体(2)、钻套(6)，其特征在：所述钻模体(2)为中空八面体，其八面上开有钻套(6)的安置孔，一条棱边上开有定位销安置孔(4)，其对称棱边上开有定位螺钉安置孔(1)，所述钻套(6)设置在钻模体(2)表面上开设的安置孔中；定位销和定位螺钉安置在所述的安置孔中。本发明使电液伺服阀中阀套上通孔的加工装夹更加方便、简单，重复定位及回转精度高，效率高、成本低。所加工的阀套孔位正确，一致性好，大大提高了加工效率，降低了对工人技术水平的要求。
伺服阀中阀套上通孔加工夹具

[发明专利]多孔基板中的通孔-CN201610882078.X有效
发明人： I·莫哈梅德;B·哈巴;C·尤祖;P·萨瓦利亚 -专利权人：泰塞拉公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：和背面(21)以及在其中具有有源半导体器件的基板(20)，所述基板具有以对称或非对称分布的方式布置在所述背面的整个区域上的多个开口(12)、连接到暴露在所述正面处的第一焊盘和第二焊盘(24)的第一导电通孔和第二导电通孔所述多个第一导电互连件(40)可通过所述开口(12)中的至少一个与所述多个第二导电互连件(40)分隔开，所述至少一个开口至少部分地填充有绝缘材料(70)。
多孔中的

[发明专利]多孔基板中的通孔-CN201280030709.5有效
发明人： I·莫哈梅德;B·哈巴;C·尤祖;P·萨瓦利亚 -专利权人：泰塞拉公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：和背面(21)以及在其中具有有源半导体器件的基板(20)，所述基板具有以对称或非对称分布的方式布置在所述背面的整个区域上的多个开口(12)、连接到暴露在所述正面处的第一焊盘和第二焊盘(24)的第一导电通孔和第二导电通孔所述多个第一导电互连件(40)可通过所述开口(12)中的至少一个与所述多个第二导电互连件(40)分隔开，所述至少一个开口至少部分地填充有绝缘材料(70)。
多孔中的

[发明专利]用于电液伺服阀中衔铁上通孔的加工夹具-CN200710171552.9无效
发明人：曹勇;鲍时进;黄周成 -专利权人：上海诺玛液压系统有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： B23B47/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电液伺服阀中衔铁上通孔的加工夹具，包括一钻模体、一第一上钻套、一下钻套，所述钻模体的端面上设有一用于安置衔铁和上、下钻套的空腔；所述第一上钻套与下钻套的结构相同，它们的外形与钻模体的空腔形状匹配并且端面上设有三个通孔，该三个通孔包括一个中央通孔和一对对称设在该中央通孔两边的旁孔，该三个通孔的大小和位置根据衔铁的通孔的大小和位置设置；所述下钻套、衔铁和第一上钻套依次自下至上安置在钻模体的内腔中。本发明的用于电液伺服阀中衔铁上通孔的加工夹具装夹方便、简单，重复定位及回转精度高，效率高、成本低，所加工的衔铁孔位正确，精度高，一致性好，大大提高了加工效率，降低了对工人技术水平的要求。
用于伺服衔铁上通孔加工夹具

[实用新型]带通孔锆刚玉电熔砖模具中的芯模-CN201020612930.X有效
发明人：龙沾卫;李万顺;赵长顺;宁本荣;龙海涛;卢晓伟;苗建泽 -专利权人：郑州远东耐火材料有限公司
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： B28B7/38 文献下载
摘要：本实用新型之目的就是提供一种带通孔锆刚玉电熔砖模具中的芯模，可有效解决锆刚玉电熔砖生产中出现裂纹的问题。本实用新型结构简单，易生产制造，使用效果好，由其制造生产出的锆刚玉电熔砖无裂纹，质量好，成品率高，有效降低了锆刚玉电熔砖和芯模的生产成本。
带通孔锆刚玉电熔砖模具中的

[实用新型]三通中孔成型设备-CN202021385670.7有效
发明人：李京朋;王峰梅;林立群;国建;刘曙光 -专利权人：山东金力特管业有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： B21D28/28 文献下载
摘要：本实用新型属于机械制造设备领域，涉及一种三通中孔成型设备，包括设备机架，设备机架上部设有压力机，压力机底面固定有上模体，压力机的下方两侧分别设有左模体导杆和右模体导杆，左模体导杆和右模体导杆分别通过左连接块和右连接块连接左液压缸活塞杆和右液压缸活塞杆，上模体正下方设有下模体，下模体下方设有定位导向柱，定位导向柱的中心线处设有导向圆柱孔，导向圆柱孔延伸至下模体上顶面，下模体与设备机架固定连接；待加工管件放置在下模体上方，并且待加工管件内放置有加工圆球本实用新型结构简单，设计合理，加工三通中孔过程简便高效，降低了工人的劳动强度，提高了工作效率。
三通成型设备

[发明专利]穿过介电通孔的互连件-CN201380071827.5有效
发明人： K·杜利;R·麦夸德;L·基弗斯;D·菲茨佩崔克;L·拜尔恩 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种介电层，包括回流通孔。回流通孔由介电层的回流形成。互连件穿过回流通孔接触。
穿过介电通孔互连

[实用新型]盖板、电池模组及电动汽车-CN201820593860.4有效
发明人：叶飞;王保全;黄秋桦;周鹏 -专利权人：华霆（合肥）动力技术有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01M2/10 文献下载
摘要：本实用新型实施例提出一种盖板、电池模组及电动汽车，所述盖板包括设置在所述盖板上用于固定电池模组中电芯一端的通孔，及设置在所述通孔内壁且相对于所述通孔内壁内凹的导流槽。所述盖板通过涂覆于所述通孔内壁的粘胶将所述电芯固定。在电芯插入所述通孔中时，被电芯挤压的多余残胶会顺着通孔的内壁进入到导流槽中，防止多余残胶顺着通孔内壁流至电芯的电极，而对电芯的焊接造成不良影响。
盖板电芯通孔内壁通孔电池模组电动汽车导流槽残胶本实用新型固定电池电极模组内凹内壁涂覆粘胶焊接挤压

[发明专利]在介电层中形成通孔及垂直蚀刻轮廓的方法-CN200910212023.8有效
发明人：郑双铭;汪建荣;蔡信谊;林耕竹;柯忠祁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供改善对于半导体装置中的形成通孔或沟槽的后蚀刻的方法。在较佳实施例中，包含进行一初始蚀刻以在一介电层上形成一元件，接着在此介电层上形成一重盖层，接着再进行额外蚀刻及回蚀刻工艺步骤。使用本发明可得到一致的元件轮廓及关键尺寸，增加时依性介电质击穿。
介电层中形成垂直蚀刻轮廓方法

[发明专利]一种三维集成电路结构的制作方法和三维集成电路结构-CN201210261929.0有效
发明人：凌龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：提供基底；在基底上形成第一芯片介电层，在第一芯片介电层中形成第一芯片凹槽，在第一芯片凹槽中嵌入第一芯片；在第一芯片介电层上形成第一通孔介电层，在第一通孔介电层内形成第一导电通孔和第一导电沟槽；在第一通孔介电层上形成第二芯片介电层，在第二芯片介电层中形成第二芯片凹槽，在第二芯片凹槽中嵌入第二芯片；在第二芯片介电层上形成第二通孔介电层，在第二通孔介电层内形成第二导电通孔、在第二芯片介电层和第二通孔介电层内形成第三导电通孔，在第二通孔介电层内形成第二导电沟槽。
一种三维集成电路结构制作方法

[发明专利]全部在一整合蚀刻中的金属硬掩模-CN201280072908.2有效
发明人：程宇;黄举文;裴慧远;刘建刚;崔英辰;王亮 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-05-02 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在介电层中形成半导体触头的方法。部分通孔通过通孔掩模被蚀刻到介电层中。沟槽通过沟槽掩模被蚀刻到介电层中，其中蚀刻沟槽完成并过蚀刻通孔以拓宽通孔的底部。沟槽或通孔的顶部被整圆。
全部整合蚀刻中的金属硬掩模

[发明专利]半导体装置结构的制造方法-CN201711024611.X有效
发明人：吴中文;邱建文;陈建全;张简旭珂 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体装置结构的制造方法，包括在第一导电结构以及第二导电结构上形成介电层。此方法亦包括沉积共形层于介电层中的第一通孔及第二通孔中。此方法还包括去除第二通孔中的共形层。此介电层仍被第一通孔中的共形层覆盖。此外，此方法包括蚀刻第一通孔中的共形层与介电层直到第一通孔及第二通孔中分别露出第一导电结构与第二导电结构。此方法亦包括形成第三导电结构于第一通孔中且形成第四导电结构于第二通孔中。
半导体装置结构制造方法

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN202210093881.0在审
发明人：郑闵中 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置包含第一介电层、第一导电结构、第二导电结构、第一通孔件、第二通孔件、聚合物衬垫层与第二介电层。第一导电结构位于第一介电层中。第二导电结构位于第一介电层中并与第一导电结构分开。第一通孔件位于第一导电结构上。第二通孔件位于第二导电结构上。聚合物衬垫层侧向包围第二通孔件。以及，第二介电层侧向包围第一通孔件与聚合物衬垫层，其中第二介电层接触第一通孔件且借由聚合物衬垫层而与第二通孔件分开。在本发明中，聚合物衬垫层可用于调整通孔件开口大小，以在同一个工艺中形成不同尺寸的通孔件。
半导体装置与其制造方法

[实用新型]硅通孔测试结构-CN201320804163.6有效
发明人：吕勇;王笃林 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种用于进行再分布层电迁移测试的硅通孔测试结构，包括：多个设有两根硅通孔的硅通孔结构，两个硅通孔一端通过第一金属条电连接，另一端通过再分布层分别与相邻的硅通孔结构中的两根硅通孔电连接，多个第一金属条和再分布层将现有技术中的第一金属层改变成多个第一金属条，每一条金属条将硅通孔结构中的两根硅通孔的一端电连接起来，再使用再分布层将多个硅通孔结构中的两根硅通孔串联起来，由于第一金属条较短不易发生电迁移形成的空洞，并且能够准确测试再分布层的电迁移性能；由于还添加了第一硅通孔漏电流测试结构和第二硅通孔漏电流测试结构，两者之间保持预定距离，用于测试硅通孔之间的漏电流。
硅通孔测试结构

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条