“介电通孔”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果6476220个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种三维集成电路结构的制作方法和三维集成电路结构-CN201210261929.0有效
发明人：凌龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：提供基底；在基底上形成第一芯片介电层，在第一芯片介电层中形成第一芯片凹槽，在第一芯片凹槽中嵌入第一芯片；在第一芯片介电层上形成第一通孔介电层，在第一通孔介电层内形成第一导电通孔和第一导电沟槽；在第一通孔介电层上形成第二芯片介电层，在第二芯片介电层中形成第二芯片凹槽，在第二芯片凹槽中嵌入第二芯片；在第二芯片介电层上形成第二通孔介电层，在第二通孔介电层内形成第二导电通孔、在第二芯片介电层和第二通孔介电层内形成第三导电通孔，在第二通孔介电层内形成第二导电沟槽。
一种三维集成电路结构制作方法

[发明专利]器件结构及其制造方法-CN202110587540.4在审
发明人：吴东骏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：在半导体衬底上的半导体器件上方沉积平坦化介电层。形成穿过平坦化介电层的器件接触通孔结构。在平坦化介电层上方形成平坦介电间隔件衬垫，并且图案化平坦介电间隔件衬垫以在器件接触通孔结构上方的提供开口。在平坦介电间隔件衬垫上方形成蚀刻停止介电衬垫和通孔级介电层。可以通过第一各向异性蚀刻工艺形成穿过通孔级介电层互连通孔腔，第一各向异性蚀刻工艺可以对蚀刻停止介电衬垫具有选择性，并且可以随后通过蚀刻蚀刻停止介电衬垫的第二各向异性蚀刻工艺来延伸互连通孔腔。可以在互连通孔腔中形成互连通孔结构。互连通孔结构的底部外围可以与平坦介电间隔件衬垫中的开口自对准。本申请的实施例还涉及器件结构及其制造方法。
器件结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910786558.X在审
发明人：张田田;谭晶晶 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供基底，在所述基底上形成介电层；刻蚀所述介电层，在所述介电层内形成通孔，暴露出所述基底表面；对所述通孔侧壁的所述介电层进行表面处理；在所述通孔内填充满金属层；本发明在通孔内填充金属层之前，对通孔侧壁的介电层进行表面处理，提高后续填充的金属层与通孔侧壁的介电层之间的粘附力，金属层和通孔之间具有较好的成形质量，从而提高形成的半导体器件的性能和良率。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN201811423485.X在审
发明人：洪端佑;郭宏瑞;潘信瑜;何明哲;黃子芸;苏彦辅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：封装结构包括位于管芯上的介电层、重布线结构和导电端子。重布线结构包括位于介电层之中和之上的重布线层。重布线层包括通孔和导电板。通孔位于介电层中，并穿过介电层以连接到管芯。导电板位于通孔和介电层上，并通过通孔连接到管芯。导电端子通过重布线结构与管芯电连接。通孔是环形的。
封装结构及其形成方法

[发明专利]包括嵌入接合焊盘的扩散阻挡层的半导体裸片及其形成方法-CN202080081818.4在审
发明人：织田宪明;翁照男 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：可在半导体衬底上方形成半导体器件，并且可在该半导体器件上形成嵌入金属互连结构的互连层级介电材料层。在一个实施方案中，可形成焊盘连接通孔层级介电材料层、近侧介电扩散阻挡层和焊盘层级介电材料层。可在该焊盘层级介电材料层中形成由介电扩散阻挡部分包围的接合焊盘。在另一个实施方案中，可形成近侧介电扩散阻挡层和焊盘和通孔层级介电材料层的层堆叠。可穿过该焊盘和通孔层级介电材料层形成集成焊盘和通孔腔，并且可填充有含有介电扩散阻挡部分和集成焊盘和通孔结构的接合焊盘。
包括嵌入接合扩散阻挡半导体及其形成方法

[发明专利]互连结构及其制造方法-CN201611191301.2有效
发明人：吴俊毅;李建勋;周淳朴;薛福隆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底中形成开口；在开口中形成低k介电块；在低k介电块中形成至少一个通孔；以及在通孔中形成导体。该互连结构包括衬底、介电块和导体。衬底具有位于其中的开口。介电块位于衬底的开口中。介电块具有位于其中的至少一个通孔。介电块的介电常数小于衬底的介电常数。导体位于介电块的通孔中。
互连结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201510004828.9有效
发明人：姜序;胡耀文;施能泰;李宗翰 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，包括有基材、穿硅通孔结构、阻挡层、第一介电层、第二介电层与镶嵌线路图案。基材具有与第一侧相反的第二侧。穿硅通孔结构突出于基材第二侧的表面。阻挡层共形地覆盖基材的表面以及穿硅通孔结构。第一介电层覆盖阻挡层除了直接位于穿硅通孔结构上方的部分。第二介电层设于第一介电层上。镶嵌线路图案设于第二介电层中。第二介电层直接接触第一介电层。镶嵌线路图案直接接触穿硅通孔结构。
介电层穿硅通孔线路图案阻挡层基材半导体装置镶嵌覆盖基材共形覆盖

[发明专利]电路板及其制作方法与电子装置-CN202210937062.X在审
发明人：路智强;黄俊瑞;吴明豪;林宜平;林东昌 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：电路板包括第一介电材料、第二介电材料、第三介电材料、第四介电材料、第一外部线路层、第二外部线路层、导电结构、第一导电通孔以及多个第二导电通孔。第一导电通孔至少贯穿第一介电材料与第四介电材料，且电性连接至第一外部线路层与第二外部线路层而定义出信号路径。第二导电通孔贯穿第一介电材料、第二介电材料、第三介电材料以及部分导电结构，且环绕第一导电通孔。第二导电通孔电性连接第一外部线路层、导电结构与第二外部线路层而定义出接地路径，且接地路径环绕信号路径。
电路板及其制作方法电子装置

[发明专利]连接器结构及其制作方法-CN201310683937.9有效
发明人：范智朋;谢清河;苏铃凯;郑尹华 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：压合至少一介电层于基板的表面上。形成通孔，且通孔贯穿基板与介电层。压合至少一端子于介电层上，且端子压合在介电层上的局部邻近通孔的一侧。形成导电层于端子未接触介电层的表面以及通孔内，以电性导通端子与通孔，并形成导电通孔。另披露一种通过上述的制作方法所制成的连接器结构。
通孔介电层连接器结构基板压合制作导电通孔电性导通导电层电层邻近贯穿

[发明专利]形成半导体器件的方法及半导体器件-CN201911206411.5有效
发明人：陈宪伟;陈明发 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：第一介电层位于衬底上方。第一互连件位于第一介电层中。第二介电层位于第一介电层和第一互连件上方。导电通孔延伸穿过第一介电层、第二介电层和衬底。导电通孔的最上表面与第二介电层的最上表面齐平。第三介电层位于第二介电层和导电通孔的上方。第四介电层位于第三介电层的上方。第二互连件位于第四介电层中。第二互连件延伸穿过第三介电层和第二介电层并且与第一互连件物理接触。
形成半导体器件方法

[发明专利]半导体封装重布线层结构-CN201711399770.8有效
发明人：林玠模;郭书玮;郑惟元;杨镇在 -专利权人：财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：包括介电层、上导线、下导线以及多个通孔。介电层具有厚度，上导线位于介电层上方，下导线位于介电层下方。该多个通孔贯穿该介电层且连结于该上导线与该下导线，每个通孔在第一导线上有截面，具有第三宽度，其中这些截面的第三宽度与介电层的厚度的比值为小于或等于1，且各个这些通孔的截面间的间距与该些通孔的第三宽度的比值至少为
半导体封装布线结构

[发明专利]半导体装置-CN202010552736.5在审
发明人：杨岱宜;朱韦臻;王永智;吴佳典;陈欣苹;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含导线、接触导线的导电通孔、第一介电材料及第二介电材料。第一介电材料接触导电通孔的第一侧壁表面，第二介电材料接触导电通孔的第二侧壁表面。第一介电材料包含第一材料组合物，且第二介电材料包含与第一材料组合物不同的第二材料组合物。
半导体装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110172193.9在审
发明人：詹宏伟;郑咏世;黄文社;陈郁翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：半导体结构包括位于第一导线和第二导线上方的第一介电层、位于第一介电层的部分上方的高电阻层、位于第二介电层上方的低k介电层、位于高电阻层上的第二介电层、延伸穿过低k介电层和第二介电层的第一导电通孔以及穿过低k介电层和第一介电层延伸至第一导线的第二导电通孔。第一导电通孔延伸至高电阻层中。本发明的实施例还涉及半导体结构的形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]具有被动组件结构的半导体结构及其制造方法-CN201110037396.3有效
发明人：陈建桦;李德章;张勇舜;张添贵;吴怡婷 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：半导体结构包括中介层基板、第一介电层、被动组件层、第二介电层及重布层。第一介电层形成于中介层基板，中介层基板具有导通孔，第一介电层具有第一开孔，导通孔从第一开孔露出。被动组件层形成于第一介电层上且具有第二开孔，第一开孔从第二开孔露出。第二介电层形成于被动组件层。重布层形成于被动组件层，重布层经由第二介电层、被动组件层的第二开孔及第一介电层的第一开孔电性连接于导通孔。
具有被动组件结构半导体及其制造方法

[发明专利]高集成度积层基材制造方法-CN02140388.0有效
发明人：何昆耀;宫振越 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2002-07-02 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种积层基材，由多个介电层以及多个线路层交互堆栈构成。其中，介电层中具有多个导通孔，而线路层通过介电层中的导通孔而彼此电性连接，本实施例的积层基材结构的特征在于介电层之间的线路层图案为与传统的孔环垫设计不同，而采取黏着力较佳的高信赖度的嵌入式结构设计无导通孔环垫本发明还公开了一种积层基材的制造方法，系先进行具有图案化线路的介电层以及具有导通孔的介电层的制作，当具有图案化线路的介电层以及具有导通孔的介电层制作完成之后，再将其同步进行对位并压合以完成积层基材的制作
集成度基材制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top