专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于电极化的电解水催化剂及其制备方法-CN202310710999.8在审
  • 刘友文;黄家钊;陈建强;翟天佑 - 华中科技大学
  • 2023-06-15 - 2023-10-20 - C25B11/091
  • 本发明属于电催化相关技术领域,其公开了一种基于电极化的电解水催化剂及其制备方法,其中电解水催化剂包括依次叠放的基底层、导电层、电材料层和过渡金属硫化物层,导电层和过渡金属硫化物层分别连接有金属电极;导电层用于通过金属电极获得电压以激发电材料层发生极化使得电材料层和过渡金属硫化物层之间发生电荷迁移,进而调控过渡金属硫化物层的电催化性能。本发明提出通过电材料层的极化来调控过渡金属硫化物层的电子浓度,进而实现催化活性的提升增强,对提升过渡金属硫化物层水分解催化活性具有重要指导意义,该调控结构构造简单,调控效果较好,有利于提高过渡金属硫化物层的电解水催化活性
  • 一种基于极化电解水催化剂及其制备方法
  • [发明专利]多层陶瓷电容器-CN201710183158.0在审
  • 坂爪克郎;石井真澄;野崎刚;新井纪宏;有我穰二 - 太阳诱电株式会社
  • 2017-03-24 - 2017-12-08 - H01G4/005
  • 本发明涉及一种多层陶瓷电容器,包括陶瓷多层结构,其中陶瓷电介质层和主要由过渡金属之外的过渡金属构成的内部电极层交替地层叠,并且所层叠的多个内部电极层交替地露出于所述陶瓷多层结构的一对端面;一对外部电极,其在所述一对端面中与内部电极层连接并且主要由过渡金属之外的过渡金属构成;以及导体,其固定于所述陶瓷多层结构,位于其中所述多个内部电极层彼此面对的区域之外的区域中,并且主要由过渡金属构成。
  • 多层陶瓷电容器
  • [发明专利]一种掺杂过渡金属基氧化物电极材料及其制备方法与应用-CN202110951910.8在审
  • 彭祥;严宇娇;熊时健 - 武汉工程大学
  • 2021-08-18 - 2021-11-30 - C25B11/091
  • 本发明提供了一种掺杂过渡金属基氧化物电极材料及其制备方法与应用,制备方法包括步骤:将过渡金属离子溶液与过硫酸根离子溶液混合,得到溶液A;向所述溶液A中加入导电基底,再加入氨水至溶液变色,静置反应,所述导电基底上形成前驱体过渡金属基氧化物;将含有三价离子的溶液加入溶剂内,混合得到溶液B;将覆盖有所述前驱体过渡金属基氧化物的导电基底进行煅烧,然后置于所述溶液B内,超声反应,即得到掺杂过渡金属基氧化物电极材料。本发明涉及的制备方法操作简单,降低了电催化领域阳极催化剂的制备成本;同时,制得的掺杂过渡金属氧化物纳米结构物化性质稳定,具有良好的析氧性能。
  • 一种掺杂过渡金属氧化物电极材料及其制备方法应用
  • [发明专利]一种二维过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法-CN201910557744.6有效
  • 杨伟煌;李华;王高峰;周昌杰 - 杭州电子科技大学
  • 2019-06-25 - 2021-04-30 - H01L21/34
  • 本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法,包括如下步骤:(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物;(2)采用机械剥离法制备二维金属;(3)通过对准转移平台,将二维金属,对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上,形成二维单层过渡金属硫族化合物-二维金属异质结构;本发明使用二维金属材料与二维单层过渡金属硫族化合物形成异质结构,可以充分发挥二维材料的柔性、原子级薄厚度特点,有效避免了传统金属材料与二维材料形成的三维-二维异质结构而破坏二维材料本身特性的问题,可应用于超薄微型化和柔性自旋电子和能谷电子器件等的开发研究。
  • 一种二维过渡金属化合物极化特性调控方法
  • [发明专利]一种二维过渡金属硫族化合物明、暗激子的调控方法-CN201911124277.4有效
  • 杨伟煌;陈相硕;李华;王高峰;周昌杰 - 杭州电子科技大学
  • 2019-11-15 - 2023-08-22 - H01L21/34
  • 本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物明、暗激子的调控方法,包括如下步骤:(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物;(2)采用机械剥离法制备二维金属Cr2C;(3)通过对准转移平台,将二维金属,对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上,通过对准转移时的角度控制,制备得到不同堆垛方式的二维单层过渡金属硫族化合物-二维金属异质结构,以实现圆偏振光对二维单层过渡金属硫族化合物中明、暗激子的调控和选择。本发明可以通过二维金属材料Cr2C-二维单层过渡金属硫族化合物异质结的不同堆垛方式,实现圆偏振光对明、暗激子的调控和选择。
  • 一种二维过渡金属化合物激子调控方法

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