专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种图像传感器及其制作方法-CN202311139638.9在审
  • 李岩;范春晖;夏小峰;赵庆贺;刘阳 - 合肥海图微电子有限公司
  • 2023-09-05 - 2023-10-24 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种图像传感器及其制作方法,属于半导体技术领域。所述图像传感器包括:衬底;光电二极管,设置在所述衬底内;转移管,设置在所述衬底上,所述转移管包括转移栅极,所述转移栅极的一侧与所述光电二极管的边缘对齐;增强沟槽设置在所述转移栅极的下方的所述衬底内,且所述增强沟槽与所述光电二极管接触设置;压电层,设置在所述增强沟槽的侧壁和底部,以及所述转移栅极靠近所述光电二极管的一侧底部;以及浮动扩散区,设置在所述转移栅极相对于所述光电二极管一侧的所述衬底内。通过本发明提供的一种图像传感器及其制作方法,能够提高光电荷转移效率,并减少图像传感器的暗电流。
  • 一种图像传感器及其制作方法
  • [发明专利]一种图像传感器及其制作方法-CN202311126791.8在审
  • 夏小峰;张维;李岩;范春晖 - 合肥海图微电子有限公司
  • 2023-09-04 - 2023-10-13 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种图像传感器及其制作方法,属于图像传感器领域。至少包括:衬底,包括光电感应区、电子储存区和隔离阱区,且隔离阱区设置在相邻光电感应区和电子储存区的两侧;栅极结构,设置在光电感应区和电子储存区之间的衬底上;光导结构,设置在光电感应区上;层间介质层,覆盖电子储存区和隔离阱区,且层间介质层高于光导结构,部分层间介质层的侧壁形状为阶梯形状;金属互连层,设置在层间介质层内,与栅极结构连接,且部分金属互连层向入射光的方向偏置设置;以及隔离结构,覆盖在层间介质层和光导结构上,至少部分隔离结构的形状为梯形。通过本发明提供的一种图像传感器及其制作方法,可以提高图像传感器的性能。
  • 一种图像传感器及其制作方法
  • [发明专利]一种图像传感器及其制造方法-CN202310497943.9在审
  • 赵庆贺;范春晖;李岩;夏小峰 - 合肥海图微电子有限公司
  • 2023-05-04 - 2023-10-03 - H01L27/146
  • 本发明提供一种图像传感器及其制造方法,所述图像传感器包括衬底;光电二极管,设置在所述衬底中;层间介质层,设置在所述衬底上;光导延申间隙层,设置在所述层间介质层中,所述光导延申间隙层环绕所述光电二极管设置,所述光导延申间隙层的一侧与所述衬底接触;光导,设置在所述层间介质层中,所述光导与所述光导延申间隙层的另一侧连接,且所述光导在所述衬底上的正投影覆盖所述光电二极管;以及挡光间隙,设置在光导延申间隙层中,由所述光导延申间隙层靠近所述衬底的一侧延伸至靠近所述光导的一侧。通过本发明提供的一种图像传感器,可改善全局曝光模式下图像传感器的寄生光响应。
  • 一种图像传感器及其制造方法
  • [发明专利]一种图像传感器及其制造方法-CN202310524893.9在审
  • 李岩;范春晖;夏小峰;赵庆贺;刘正 - 合肥海图微电子有限公司
  • 2023-05-09 - 2023-07-18 - H01L27/146
  • 本发明提供一种图像传感器及其制造方法,所述图像传感器包括衬底,所述衬底上设置有多个晶体管,所述晶体管包括传输管和转移管;存储节点,位于所述传输管的部分栅极和所述转移管的部分栅极覆盖的衬底中,以及所述传输管和所述转移管之间的衬底中;挡光层,覆盖所述存储节点、所述传输管的栅极和所述转移管的栅极、所述传输管栅极的侧墙和所述转移管栅极的侧墙;以及挡光间隙,设置在所述晶体管的栅极的侧墙中。通过本发明提供的一种图像传感器,可改善全局曝光模式下图像传感器的寄生光响应。
  • 一种图像传感器及其制造方法
  • [发明专利]一种图像传感器及其制造方法-CN202211703032.9在审
  • 赵庆贺;范春晖;李岩;夏小峰 - 合肥海图微电子有限公司
  • 2022-12-22 - 2023-05-16 - H01L27/146
  • 本发明提供一种图像传感器及其制造方法,所述图像传感器包括像素单元,每个所述像素单元包括至少三种类型的子像素,且所述图像传感器至少包括:衬底;隔离层,设置在所述衬底中,所述隔离层将所述衬底分成多层光吸收层;光电感应区,设置在所述光吸收层中,在每类子像素中,至少有一层所述光吸收层中设置有所述光电感应区,且每类子像素中,所述光电感应区的位置不同;以及垂直栅,设置在所述衬底上,所述垂直栅位于每类子像素中,且延伸入最底层的所述光吸收层中。通过本发明提供的一种图像传感器,可提高图像传感器的像素质量。
  • 一种图像传感器及其制造方法
  • [发明专利]一种图像传感器及其制作方法-CN202211702324.0在审
  • 李岩;范春晖;夏小峰;赵庆贺;刘正 - 合肥海图微电子有限公司
  • 2022-12-22 - 2023-03-14 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种图像传感器及其制作方法,属于半导体技术领域。所述图像传感器包括:衬底;光电二极管,设置在所述衬底内;转移管,设置在所述衬底上,所述转移管包括转移栅极,且所述转移栅极的一侧与所述光电二极管交叠,所述转移栅极与所述光电二极管之间设置有氧化层和介电层,所述氧化层设置在所述衬底上,所述介电层设置在所述氧化层上;以及浮动扩散区,设置在所述转移栅极相对于所述光电二极管一侧的所述衬底内。通过本发明提供的一种图像传感器及其制作方法,可以减少图像传感器的暗电流和残影并提高图像传感器的图像质量。
  • 一种图像传感器及其制作方法
  • [发明专利]一种图像传感器及其制造方法-CN202211672451.0在审
  • 李岩;范春晖;赵庆贺;夏小峰;刘正 - 合肥海图微电子有限公司
  • 2022-12-26 - 2023-03-07 - H01L27/146
  • 本发明提供了一种图像传感器,包括:衬底,衬底中设置有浅槽隔离结构,且衬底被浅槽隔离结构分隔出多个有源区;栅极结构,设置在衬底上;多个金属层,堆叠在栅极结构上;像素阵列结构,设置在衬底上;多个导电栓塞,一端连接于栅极结构或浅槽隔离结构或有源区,另一端连接于金属层;以及多个导热栓塞,连接于金属层,导热栓塞朝靠近衬底的方向延伸,且导热栓塞在衬底上的正投影位于有源区内。本发明提供了一种图像传感器及其制造方法,能够改善图像传感器暗电流的一致性,提升图像传感器的性能。
  • 一种图像传感器及其制造方法
  • [发明专利]一种图像传感器及其制造方法-CN202211273669.9在审
  • 夏小峰;范春晖;刘正;赵庆贺 - 合肥海图微电子有限公司
  • 2022-10-18 - 2023-01-10 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种图像传感器及其制造方法,图像传感器至少包括:像素基板,像素基板包括多个像素区;隔离结构,设置于相邻的像素区之间;介质层,设置在像素基板上;遮光结构,设置在介质层中,且遮光结构在介质层内中分隔出多个透光通道;以及滤光片,设置介质层上,且滤光片覆盖在透光通道上;其中,遮光结构的一端连接于滤光片,另一端向隔离结构的表面延伸,且遮光结构在隔离结构上的正投影位于隔离结构内。本发明提供了一种图像传感器及其制造方法,提升了图像传感器的性能。
  • 一种图像传感器及其制造方法
  • [发明专利]一种图像传感器及其制造方法-CN202211273691.3在审
  • 夏小峰;范春晖;李岩 - 合肥海图微电子有限公司
  • 2022-10-18 - 2023-01-06 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种图像传感器及其制造方法,其中图像传感器至少包括:逻辑基板,逻辑基板中设置有逻辑电路集成单元;金属互连结构,设置在逻辑基板上,且金属互连层结构包括多个金属层;外延层,覆盖在金属互连结构上;多个像素结构,设置在外延层中;多个隔离结构,设置在相邻的像素结构之间;导电栓塞,连接于隔离结构,导电栓塞的一端贯穿外延层与金属层连接;以及过孔连接件,穿过金属互连结构和外延层,与逻辑电路集成单元连接。本发明提供了一种图像传感器及其制造方法,能够解决串扰问题,并提升工艺效率和良率。
  • 一种图像传感器及其制造方法

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