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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法-CN201510136852.8有效
发明人：叶枫;张标;高晔;刘仕超;刘强;刘立盟 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C08L79/04 文献下载
摘要：一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法，它涉及一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的高介电常数陶瓷/树脂复合材料的介电损耗高并且工艺复杂的问题，本发明的制备方法一、微波介质陶瓷多孔预制体的制备；二、陶瓷/树脂复合材料的制备，得到高介电常数、超低介电损耗陶瓷本发明制备的高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料具有更高的介电常数和超低的介电损耗，介电常数处于6.32至24.96之间，介电损耗均低于4.9×10‑3。
一种介电常数超低介电损耗陶瓷树脂复合材料制备方法

[发明专利]超低介高Q的微波介质陶瓷材料及其制备工艺-CN201710283039.2在审
发明人：吴伟杰;李亚;唐斯意;陶锋烨 -专利权人：浙江嘉康电子股份有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种超低介高Q的微波介质陶瓷材料及其制备工艺，属于材料技术领域。它解决了现有技术存在着温度稳定性好差的问题。本超低介高Q的微波介质陶瓷材料包含以下重量份数比的原料SiO220～50份；H3BO350～80份；助剂MO0.5～1份。本超低介高Q的微波介质陶瓷材料的制备工艺包括以下步骤A、配料；B、混合；C、预烧；D、造浆；E、成型。本超低介高Q的微波介质陶瓷材料温度稳定性好，本超低介高Q的微波介质陶瓷材料制备工艺易于实施。
超低介高微波介质陶瓷材料及其制备工艺

[发明专利]一种超短电缆超低频介损测量平台及方法-CN202211734960.1在审
发明人：黄友聪;郑钟楠;张莹;陈少康;王琼;林梓圻;程韵初;王晓杰;方超颖;谢文炳;许军;韩涛;李文豪 -专利权人：国网福建省电力有限公司电力科学研究院;天津大学
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种超短电缆超低频介损测量平台，包括超低频高压电源、传输电缆、被测电缆、电压采集模块、电流采集模块、介损测量模块及校准模块。本发明还涉及一种超短电缆超低频介损测量方法，包括S1、误差校准；S2、介损测量。本发明设计科学合理，可以实现在较低的电压等级下对高压电缆绝缘的超低频介损测量，从而完成对其电缆绝缘的状态评估。较之现有的成套超低频介损测量装置，本发明填补了对短样电缆领域超低频介损测量设备的空白，可以在完成对极小阻性泄漏电流的采集，屏蔽外部的高电压干扰。
一种超短电缆低频测量平台方法

[发明专利]局部空气隙的形成方法-CN201210567368.7在审
发明人：胡正军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种局部空气隙的形成方法，该方法包括：在衬底上沉积超低介电材料形成超低介电薄膜，并去除部分超低介电材料形成第一金属层；在所述第一金属层之上沉积超低介电材料形成另一超低介电薄膜并经等离子体处理形成过渡层；在所述过渡层之上沉积旋涂超低介电材料形成旋涂介电薄膜，并去除部分旋涂超低介电材料形成第二金属层以及去除所述部分另一超低介电薄膜含过渡层形成互连通孔；刻蚀掉旋涂介电薄膜上除第二金属层之外的旋涂材料，并沉积所述超低介电材料
局部空气形成方法

[发明专利]一种超低温烧结低介高导热LTCC介质材料及其制备方法-CN202210680532.9有效
发明人：郭海;聂敏;彭虎;宋业辉 -专利权人：深圳顺络电子股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C03C14/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低温烧结低介高导热LTCC介质材料及其制备方法，所述超低温烧结低介高导热LTCC介质材料采用玻璃陶瓷复合体系材料，以质量分数计，包括a份Zn‑B‑Si‑Al‑Na玻璃，b份Al超低温烧结低介高导热LTCC介质材料及其制备方法，所述的超低温烧结低介高导热LTCC介质材料，可实现650～700℃烧结致密，较现有的商用LTCC材料大幅降低了烧结温度，且介电常数在7左右
一种超低温烧结低介高导热 ltcc 介质材料及其制备方法

[发明专利]电缆绝缘超低频介损检测的判据体系构建方法-CN201910423684.9有效
发明人：杨帆;房占凯;卢旭;周海;余鹏;高兵;李晋贤;刘恒 -专利权人：深圳供电局有限公司;重庆大学
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明请求保护一种电缆绝缘超低频介损检测的判据体系构建方法，通过对配网电缆超低频介损测量数据的分析，在现有的电缆超低频介损检测三大判据的基础上，提取新的特征量：反向介损变化率和介损极差，并且吸纳韩国电力公司Skirt判据，从而形成更为完善的超低频介损检测判据体系，为我国配网电缆超低频介损老化状态评价规程的制定提供了参考。
电缆绝缘低频检测判据体系构建方法

[发明专利]一种重介质选煤超低介耗控制工艺-CN202310003255.2在审
发明人：许光前;王焕忠;耿大将;马臣靖;侯玉茂;安策;侯宗波;郭通;孔春鹏 -专利权人：新汶矿业集团有限责任公司;新汶矿业集团有限责任公司洗煤分公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B03B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及重介质选煤技术领域，具体涉及一种重介质选煤超低介耗控制工艺，通过对磁选机尾矿流向进行化验分析，针对带介高、浓度适宜的叠层筛下、离心机滤液水、高频筛下的物料进行磁选回收，同时保持原有物料走向，降低介质的消耗本发明重介质选煤工艺可将煤泥带介降低至500g/t左右，选煤系统介耗由0.8g/t降低至＜0.6g/t，实现超低介耗控制。
一种介质选煤超低介耗控制工艺

[发明专利]一种温度稳定型超低介电常数微波介电高熵陶瓷材料及其制备方法与应用-CN202011425166.X在审
发明人：相怀成;姚蕾;杨海涛 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开一种温度稳定型超低介电常数微波介电高熵陶瓷材料及其制备方法与应用，其中，所述温度稳定型超低介电常数微波介电高熵陶瓷材料的化学组成为Li(GdHoErYbLu)0.2超低介电常数微波介电高熵陶瓷材料，其谐振频率的温度系数τf小(‑3.8～‑1.6ppm/℃)，温度稳定性好；其介电常数达到7.1～9.3，
一种温度稳定型超低介电常数微波介电高熵陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高耐热超低介电石英纤维增强聚丙烯材料及其制备方法-CN202011499542.X有效
发明人：赵汪洋;黄险波;叶南飚;杨霄云;王林;陆湛泉;姜向新;尹朝清 -专利权人：金发科技股份有限公司;成都金发科技新材料有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高耐热超低介电石英纤维增强聚丙烯材料及其制备方法。所述高耐热超低介电石英纤维增强聚丙烯材料包含以下重量份的组分：聚丙烯树脂60‑93份、马来酸酐接枝聚丙烯2‑10份和石英纤维5‑30份。本发明通过在聚丙烯树脂中添加石英纤维，能够在保证材料具有超低介电的前提下，还具有较高的热变形温度以及较低的线性膨胀系数。并且，本发明还添加马来酸酐接枝聚丙烯作为相容剂，改善聚丙烯树脂和石英纤维的相容性，增强二者的有效结合，有利于提高材料的热变形温度，并降低其线性膨胀系数、介电常数和介电损耗。
一种耐热超低介电石英纤维增强聚丙烯材料及其制备方法

[发明专利]超低介电常数金属间介电层的形成方法-CN201710929998.7有效
发明人：施伯铮;周家政;李俊德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：超低介电常数金属间介电层的形成方法包含形成第一金属间介电层于基底上，第一金属间介电层包含多个介电料材层，形成粘着层于第一金属间介电层上，形成超低介电常数介电层于粘着层上，形成保护层于超低介电常数介电层上，形成硬遮罩于保护层上且将硬遮罩图案化以产生窗口，移除窗口下的层以产生开口，被移除的层包含保护层、超低介电常数介电层、粘着层和第一金属间介电层。
介电常数金属间介电层形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201310594715.X在审
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上依次形成蚀刻停止层和第一超低k介电层，在第一超低k介电层中形成铜金属互连层；回蚀刻第一超低k介电层，在铜金属互连层的两侧形成凹槽；沉积具有压应力的覆盖层，覆盖铜金属互连层和凹槽；在覆盖层上沉积第二超低k介电层，并执行化学机械研磨直至露出位于铜金属互连层顶部的覆盖层；沉积第三超低k介电层，覆盖第二超低k介电层和覆盖层；对第三超低k介电层和第二超低k介电层实施紫外光固化处理，以使覆盖层位于铜金属互连层的顶部和上部侧壁上的部分具有张应力。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有低K和超低K介电层的指状电容器-CN201910915854.5在审
发明人：尹春山;洪全敏;陈瑜 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种集成电路，所述集成电路具有指状电容器，所述指状电容器具有形成于多层结构中的倒置梯形沟槽中的多个金属指状物，所述多层结构具有在超低K介电层上方的抛光终止层，所述超低K介电层在低K介电层上方，所述低K介电层在介电顶盖层上方所述超低K介电层降低所述指状物之间的电容变化，同时所述抛光终止层防止原本会由对所述超低K介电层直接执行CMP引起的金属高度变化。分层结构可包括在所述抛光终止层上方的另一个低K介电层，所述另一个低K介电层为所述CMP提供软着垫。所述抛光终止层可在所述CMP抛光之后移除，并且可形成另一个超低K介电层以将所述金属指状物的顶部包封在所述超低K介电材料中。
具有介电层电容器

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310164714.1在审
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明中在沉积形成多孔的低K、超低K介电材料后或者执行完干法蚀刻、湿法清洗之后，通入三甲基羟基硅烷在紫外线（UV）光能照射下对所述超低K介电材料进行处理，其中所述超低K介电材料中的Si-O键和所述三甲基羟基硅烷（hydroxytrimethylsilane）中的羟基发生键合，填充了部分所述低K或者超低K介电材料中的空隙，使低K或者超低K介电材料的空隙减小，进而提高了所述低K或者超低K介电材料中的硬度以及机械加工强度，所述低K或者超低K介电材料的K值偏移（K-shift）性能提高了5-10%，具有非常显著的效果。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件的形成方法-CN201010566057.X有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层；在所述层间介电层上形成第一光刻胶层并图形化，形成开口图形；以第一光刻胶层为掩膜，沿开口图形刻蚀至半导体衬底，形成开口；去除第一光刻胶层；在所述层间介电层上形成超低k介电层，并填充满开口；平坦化超低k介电层至露出层间介电层；在所述超低k介电层上形成第二光刻胶层，并形成沟槽或通孔图形；以第二光刻胶层为掩膜刻蚀超低k介电层本发明的半导体器件形成方法，可以减少在刻蚀、去光阻过程中对超低k介电层的损伤，从而减小超低k介电层k值发生漂移及电容发生大幅变化，提高半导体器件的稳定性和可靠性。
一种半导体器件形成方法

[发明专利]用于互连工艺的半导体结构及其制造方法-CN201010110556.8有效
发明人：孙武;李若园 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于互连工艺中的半导体器件，包括：前端器件层；在前端器件层上形成的通孔停止层；在通孔停止层上形成的第一低k值介电层；在第一低k值介电层上形成的超低k值介电层；在超低k值介电层上形成的第二低k值介电层，其中第二低k值介电层和超低k值介电层对于等离子体刻蚀具有不同的蚀刻速率；在第二低k值介电层形成的钝化层；透过钝化层、第二低k值介电层、超低k值介电层和第一低k值介电层蚀刻至通孔停止层的通孔；以及透过钝化层、第二低k值介电层蚀刻至超低k值介电层的沟槽。本发明的半导体器件能产生均匀的薄层电阻Rs，并使得介电层保持为低k值，具有改进的电学特性。
用于互连工艺半导体结构及其制造方法

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