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[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法-CN201410090605.4有效
发明人：赵庸真;高镛璿;金庆燮;金光秀;金石训;吴政玟;李根泽;张原浩;田溶明 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。
处理装置系统以及方法

[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法-CN201811608953.0有效
发明人：赵庸真;高镛璿;金庆燮;金光秀;金石训;吴政玟;李根泽;张原浩;田溶明 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。
处理装置系统以及方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202010081888.1在审
发明人：五师源太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制在利用超临界状态的处理流体进行干燥时晶圆上的图案倒塌的基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理装置具备：超临界流体制造装置，其具有送出处理流体的泵；处理容器，其使用来自超临界流体制造装置的超临界状态的处理流体来对基板进行超临界流体处理；以及控制部，其至少用于控制超临界流体制造装置。控制部在使用处理流体使处理容器内升压时，基于进行升压的目标时间、升压所需的处理流体的量、以及处理流体的密度来决定向处理容器供给处理流体的第一供给速度。超临界流体制造装置基于第一供给速度来向处理容器供给处理流体。
处理装置方法

[发明专利]处理基板的设备和排放超临界流体的方法-CN201210228678.6有效
发明人：崔龙贤;金基峰;金禹永;朴正善 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2012-07-02 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种处理基板的设备和排放超临界流体的方法，尤其提供一种使用超临界流体来处理基板的设备和使用所述设备排放超临界流体的方法。所述处理基板的设备包括：提供超临界流体的容器；排出管线，所述超临界流体通过所述排出管线从所述容器排放出；和防冻单元，所述防冻单元设置在所示排出管线中，用来防止所述超临界流体冻结。
处理设备排放临界流体方法

[发明专利]一种基板处理装置及基板处理方法-CN201310215172.6有效
发明人：金基峰;金鹏;宋吉勋;权五珍 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种利用超临界流体的基板处理装置。所述基板处理装置包括壳体；支撑构件，所述支撑构件设置在所述壳体内以支撑基板；超临界流体供应单元，所述超临界流体供应单元中存储有超临界流体；供应管，所述供应管用于将所述超临界流体供应单元连接到所述壳体；由所述供应管分支出来的排气管，以排放所述供应管中残留的超临界流体；用于调节从所述超临界流体供应单元供应到所述壳体内的超临界流体流量的供应阀设置在所述供应管中；用于打开或关闭所述排气管的开关阀设置在所述排气管中。
一种处理装置方法

[发明专利]用于处理基板的设备和方法-CN201610792133.6有效
发明人：李暎熏;林义相;赵珉晙;李载明 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开的是一种用于处理基板的方法，其中，超临界流体被供应到装载有基板的腔室中，以处理基板，所述方法包括：供应步骤，将所述超临界流体供应到腔室内直到所述腔室的内部的压力达到预设压力；和所述供应步骤之后的基板处理步骤，在重复将超临界流体供应到腔室内部中以及将超临界流体排出腔室内部之外的过程中执行超临界工艺，其中，在所述供应步骤中供应到腔室的超临界流体的流速是可变的。
用于处理设备方法

[发明专利]以超临界流体处理电子组件的方法-CN201711180660.2在审
发明人：张鼎张;张冠张;施志承;潘致宏 -专利权人：中山大学
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种以超临界流体处理电子组件的方法，用于解决现有电子组件的效率问题，该以超临界流体处理电子组件的方法的步骤包括：于一个腔体内通入超临界流体，该超临界流体掺杂氢同位素的化合物、有机金属化合物或卤素、氧、硫、硒、磷、砷、其化合物，于该超临界流体维持超临界态的温度范围及压力范围下，使该超临界流体对该腔体内的至少一个电子组件进行改质反应。
电子组件超临界流体处理超临界流体体内有机金属化合物超临界态改质反应临界流体氢同位素效率问题掺杂

[发明专利]以超临界流体处理生物医用材料的方法-CN201711251035.2在审
发明人：张鼎张;张冠张;施志承;潘致宏;林志阳 -专利权人：中山大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： A61L31/14 文献下载
摘要：本发明主要涉及一种以超临界流体处理生物医用材料的方法，用于解决现有生物医用材料的问题，该以超临界流体处理生物医用材料的方法的步骤包括：于一个反应腔室内通入超临界流体，该超临界流体掺杂氢同位素的化合物、有机金属化合物或卤素、氧、硫、硒、磷、砷、其化合物，于该超临界流体维持超临界态的温度范围及压力范围下，使该超临界流体对该反应腔室内的至少一种生物医用材料进行改质处理。
生物医用材料超临界流体处理超临界流体反应腔有机金属化合物室内超临界态改质处理临界流体氢同位素改质掺杂

[发明专利]处理基板的方法-CN202010672057.1在审
发明人：金度宪;崔基勋;许瓒宁;姜基文 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种处理基板的方法。在一个实施例中，将超临界流体供应至腔室中的处理空间，从而处理所述处理空间中的基板。在排放所述处理空间的情况下，将所述超临界流体供应到所述处理空间。当排放所述处理空间时供应的所述超临界流体的温度，高于供应到所述处理空间用于处理所述基板的所述超临界流体的温度。
处理方法

[发明专利]用于原位开采油页岩的装置和方法-CN201910671700.6在审
发明人：汪友平;张乐;苏建政;龙秋莲;牛骏;王益维;孟祥龙;高诚;陈瞰瞰 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： E21B43/241 文献下载
摘要：该装置包括：流体注入机构，所述流体注入机构构造为能从地面处通过加热井而向地层中注入介质流体，流体存储机构，所述流体存储机构容纳有非超临界状态的介质流体；以及流体处理机构，所述流体处理机构构造为能接收来自于所述流体存储机构的所述非超临界状态的介质流体，将所述非超临界状态的介质流体转变为超临界状态的介质流体，并将所述超临界状态的介质流体输送向所述流体注入机构，所述超临界状态的介质流体的温度足以用来获取地层中的产物。
用于原位开采油页岩装置方法

[发明专利]一种强化超临界流体组合介质分离混合组分中有机物的方法-CN202210649001.3在审
发明人：冯彦洪;瞿金平;何和智 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B01D11/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种强化超临界流体组合介质分离混合组分的方法，属于超临界流体技术领域。本发明将混合组分、助溶剂置于一个反应容器中，将混合组分悬于助溶剂液位线以上，向反应容器内通入超临界流体，进行超临界流体分离；所述超临界流体分离过程中，在超临界流体组合介质的超临界温度范围内周期性改变分离温度本发明通过利用超临界流体组合介质特征参数具有跟随温度发生变化的特性，能够在低能耗的条件下获得较高分离得率，缩短分离处理时间，有效地提高了混合组分在超临界流体环境中的分离效率。
一种强化临界流体组合介质分离混合组分有机物方法

[发明专利]超临界流体制造装置和基板处理装置-CN201711249381.7有效
发明人：清原康雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种超临界流体制造装置和基板处理装置。超临界流体制造装置能够吸收在超临界流体制造装置内流动的处理流体的压力变动或脉动，并且能够防止缓冲罐中滞留微粒的不良情况。超临界流体制造装置(70)具备气体供给线(71a)、冷却器(72)、泵(74)、缓冲罐(80)、加热装置(75)以及超临界流体供给线(71c)。在缓冲罐(80)的规定位置设置有供来自泵(74)的处理流体流入的流入口(83)，在与流入口(83)不同的位置设置有供处理流体流出的流出口(84)。缓冲罐(80)具有用于贮存来自泵(74)的处理流体的缓冲罐主体(85)以及对被送入到缓冲罐主体(85)中的处理流体进行加热的加热器(86)。
临界流体制造装置处理

[发明专利]低温材料优质化方法及其处理装置-CN201110456029.7无效
发明人：陈柏颕 -专利权人：陈柏颕
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：一种低温材料优质化方法，包含一第一超临界流体清洗步骤、一恒温处理步骤，及一第二超临界流体清洗步骤，第一超临界流体清洗步骤是先将一待处理材料置于真空环境中，再以超临界状态的流体清洗该待处理材料，恒温处理步骤是将清洗后的待处理材料暴露于压力在70～400atm且温度在摄氏100～450度的环境下，第二超临界流体清洗步骤是以超临界状态的流体清洗经过恒温处理步骤的待处理材料。借此，在相对低温及高压环境下进行恒温处理，使待处理材料能够进行类似于微细颗粒化的过程与再结晶化的过程，得到均匀度、覆盖性佳的高质量材料。本发明也提供一种低温材料优质化处理装置。
低温材料优质方法及其处理装置

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN202180087813.7在审
发明人：墨周武;折坂昌幸 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种基板处理装置以及基板处理方法，在腔室内的处理空间通过超临界状态的处理流体对基板进行处理，在腔室内比基板更靠下方的位置，配置对腔室内进行加热的加热器，将基板搬入至处理空间，并通过加热器进行加热，在将处理流体供给至处理空间并通过超临界状态的处理流体充满处理空间后，将处理流体从处理空间排出。针对从超临界状态的处理流体被导入至处理空间时起的规定的期间，使加热停止。能够一边将腔室内维持为适合超临界处理的温度，一边抑制成为乱流的原因的处理流体的温度变化，从而能够良好地进行对于基板的超临界处理。
处理装置以及方法

[发明专利]一种超临界流体色谱分离方法及装置-CN202111105590.0在审
发明人：金郁;戴莹萍;傅青;柯燕雄 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种超临界流体色谱分离方法及装置，超临界流体色谱分离方法包括：将样品放置于预分离装置中；将预分离装置的一端与色谱柱柱前管路连接，预分离装置的另一端与超临界流体制备色谱柱连接；以超临界二氧化碳作为提取溶剂，对样品进行预分离，将预分离后目标组分加载至超临界流体制备色谱柱；将色谱柱柱前管路连接至所述超临界流体制备色谱柱；以超临界二氧化碳和改性剂为流动相，分离目标组分。本申请所采用的超临界流体色谱分离方法，能够一步完成样品的提取、前处理、上样和分离，解决超临界流体色谱中样品溶解试剂的强度和粘度与流动相不匹配的问题，消除上样溶剂和样品中杂质对超临界流体色谱分离的干扰。
一种临界流体色谱分离方法装置

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