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- [发明专利]用于访问存储器单元的时序链-CN202110011490.5有效
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E·卡曼
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美光科技公司
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2021-01-06
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2022-09-09
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G11C11/16
- 本申请涉及用于访问存储器单元的时序链。一种方法可包含在存储器单元阵列下方的逻辑电路系统处实施一些延迟。存储器阵列逻辑可表示阵列逻辑电路系统下方的CMOS。存储库组逻辑可生成第一存储器操作和对应于第一操作与第二操作之间的时序的较长延迟。所述第一操作可表示访问操作、预充电操作等。所述存储器阵列逻辑可关于所述第一操作被发信号通知,且可生成与所述第一操作的一或多个子操作相关联的一或多个较小延迟。除其它实例之外,所述较小延迟可以是可调的,其可支持存储器器件或控制器以基于不同过程、不同存储器单元特性或不同温度以不同时序实施操作或子操作。
- 用于访问存储器单元时序
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