专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]种子的金属覆层方法及金属覆层种子-CN201380011752.1有效
  • 吉川清信;山根健史;中村真喜男 - 株式会社久保田
  • 2013-03-01 - 2017-01-18 - A01C1/06
  • 提供一种能够尽可能抑制将种子覆层时的伴随着氧化的发热、并且以较少的铁粉量对于种子附着强度良好的金属覆层种子。此外,提供一种即使是处置性比较好的粒度较大的铁粉也不会增加铁粉量、对于种子的附着强度良好的金属覆层种子。一种使以铁为主成分的金属粉体附着到种子上而将种子覆层的种子的金属覆层方法,具备事前覆层工序,使能够保持金属粉体的保持物质附着到种子上而覆层;和金属覆层工序,使金属粉体附着到事前覆层工序后的种子上而覆层
  • 种子金属覆层方法
  • [发明专利]用于将覆层施加到至少一个电子器件上的方法和覆层载体-CN202280007731.1在审
  • 苏布拉马尼安·拉维钱德兰;格哈德·霍尧什 - TDK电子股份有限公司
  • 2022-08-02 - 2023-08-11 - B05C19/00
  • 描述一种用于将覆层施加到至少一个电子器件(1、30)上的方法,所述方法包括以下步骤:A)提供覆层载体(20),其具有:‑主底座(21),‑具有凹部(23)的覆层底座(22),‑具有另一凹部(25)的可移动的储备容器(24);B)将覆层材料(29)填入到储备容器(24)的凹部(25)中;C)将储备容器(24)沿着覆层载体(20)的纵轴线(X)移置,使得覆层底座(22)的凹部(23)用覆层材料(29)填充;D)提供至少一个电子器件(1、30)并且至少将电子器件(1、30)的部分沉入到在覆层底座(22)的凹部(23)中提供的覆层材料(29)中,以构成电子器件(1、30)的覆层(6)。此外,描述一种用于测量温度的传感器装置(1),其具有覆层(6),所述覆层借助之前所描述的方法施加。此外,描述一种用于将覆层(6)施加到至少一个电子器件(1、30)上的覆层载体(20)。
  • 用于覆层施加至少一个电子器件方法载体
  • [实用新型]一种锂离子电池用纳米纤维复合隔膜-CN202021085912.0有效
  • 徐志远 - 连城徐氏新能源有限公司
  • 2020-06-13 - 2021-01-12 - H01M50/414
  • 本实用新型涉及复合隔膜技术领域,尤其为一种锂离子电池用纳米纤维复合隔膜,包括第一微孔陶瓷涂覆层,其特征在于:所述第一微孔陶瓷涂覆层的底端外侧设置有第一小孔陶瓷涂覆层,所述第一小孔陶瓷涂覆层的底端外侧设置有纳米纤维复合隔膜,所述纳米纤维复合隔膜的底端外侧设置有第二小孔陶瓷涂覆层,所述第二小孔陶瓷涂覆层的底端外侧设置有第二微孔陶瓷涂覆层,所述第一微孔陶瓷涂覆层与第二微孔陶瓷涂覆层的厚度均为2‑5μm,本实用新型中,通过设置的第一微孔陶瓷涂覆层、第一小孔陶瓷涂覆层、第二小孔陶瓷涂覆层、第二微孔陶瓷涂覆层,可以避免锂离子电池在高温的情况下发生纳米纤维复合隔膜出现收缩的问题。
  • 一种锂离子电池纳米纤维复合隔膜
  • [实用新型]一种充气式保温毯-CN202121579257.9有效
  • 余丽辉 - 台州恩泽医疗中心(集团)
  • 2021-07-12 - 2021-12-14 - A61F7/08
  • 一种充气式保温毯,包括上包覆层和下包覆层,所述上包覆层和下包覆层均由柔性材料制成,所述上包覆层和下包覆层之间具有充气腔,所述上包覆层和下包覆层还通过若干排缝线连接在一起,每排缝线中相邻的缝线之间形成通气通道,所述上包覆层和下包覆层连接的边缘处设置有充气嘴,所述充气腔充气后,上包覆层和下包覆层形成的整体呈弧形状。
  • 一种充气式保温
  • [发明专利]半导体装置-CN201980101142.8在审
  • 河原弘幸 - 三菱电机株式会社
  • 2019-10-15 - 2022-05-13 - H01S5/323
  • 本申请发明所涉及的半导体装置具备:半导体基板;n型的第1包覆层,设置于半导体基板之上;n型的第2包覆层,设置于第1包覆层之上;活性层,设置于第2包覆层之上;p型的第3包覆层,设置于活性层之上;表面电极,设置于第3包覆层之上;背面电极,设置于半导体基板之下;以及p型的扩散抑制层,设置于第1包覆层与第2包覆层之间。
  • 半导体装置

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