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[实用新型]高致密抗压包装膜-CN202220572907.5有效
发明人：陈轶 -专利权人：无锡市华泰医药包装有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高致密抗压包装膜，包装膜基体为多层膜复合结构，致密抗压膜复合到聚乙烯薄膜底基膜外侧，致密抗压膜外层涂覆有致密凝胶层和垫隔粉剂层，耐酸防腐蚀膜复合在致密抗压膜外侧，耐酸防腐蚀膜外层涂覆有防腐涂层，透亮保护膜复合在耐酸防腐蚀膜外侧，透亮保护膜内层涂覆有抗静电涂层。通过上述方式，本实用新型能够具备良好的抗压特性，通过复合上致密抗压膜和透亮保护膜进行内置双重保护，致密抗压膜外层涂覆有致密凝胶层和垫隔粉剂层能整面抗压，而透亮保护膜透亮同时外层抗压抗刺，而致密抗压膜和透亮保护膜之间的耐酸防腐蚀膜能防止腐蚀试剂穿透
致密抗压包装

[发明专利]发热体、雾化组件及电子雾化装置-CN202110758794.8在审
发明人：吕铭;段银祥;朱明达;熊玉明 -专利权人：深圳麦克韦尔科技有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： A24F40/46 文献下载
摘要：本申请提供一种发热体、雾化组件及电子雾化装置，发热体包括致密基体、发热膜和保护膜；致密基体包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面；致密基体上设置有多个微孔，微孔为通孔，微孔用于将气溶胶生成基质导引至第一表面；发热膜形成于第一表面上；保护膜形成于发热膜远离致密基体的表面，保护膜的材料为耐气溶胶生成基质腐蚀的金属合金。通过上述设置，提供一种由致密基体形成的发热体，以满足用户对雾化效果需求。
发热雾化组件电子装置

[发明专利]稀土类磁铁-CN200580000402.0有效
发明人：坂本健;内田信也;田中美知;中山靖之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-07-19 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：具有含有稀土类元素的磁铁基体(10)、和在磁铁基体(10)上形成的保护膜(20)。保护膜(20)从磁铁基体(10)侧顺序地积层第1保护膜(21)、第2保护膜(22)和第3保护膜(23)。这些保护膜为多晶状，例如采用金属的镀膜构成。它们的平均晶粒粒径是第1保护膜(21)及第3保护膜(23)的比第2保护膜(22)的小。通过将第1保护膜(21)微晶化，能够提高保护膜(20)与磁铁基体(10)的界面的致密性，能够减少针孔数。
稀土磁铁

[实用新型]基于自组装分子膜保护的厚膜电路-CN201220162909.3有效
发明人：白云峰 -专利权人：东莞市简创电子科技有限公司
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本实用新型的基于自组装分子膜保护的厚膜电路，包括基片，及设置在基片上表面的正面电极，及设置在基片上的保护层，及设置在正面电极上表面的保护膜；所述的保护膜是一层稀薄且致密的分子膜。由于电极部分采用自组装分子膜进行了有效保护。该分子保护膜是一层稀薄、致密且不被肉眼所发现的透明分子膜，该分子膜不改变厚膜电路电极原有的电气性能和外观，其抗氧化、抗硫化能力大大提升，所获得的厚膜电路质量稳定、性能较可靠。
基于组装分子保护电路

[发明专利]改善MOCVD反应工艺的部件及改善方法-CN201510084011.7在审
发明人：贺小明;郭世平 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善MOCVD反应工艺的部件及改善方法，改善机理是在MOCVD反应腔内的不锈钢部件主体表面涂覆一层致密的保护膜，所述保护膜成分全部为MOCVD沉积工艺过程中所需气体的元素组成，或者不会与保护膜的成分包括由铝、镓、镁中的至少一种及氮、氧中的至少一种构成的化合物或者为不与MOCVD工艺中的气体反应的其他化学特性稳定的材料。所述保护膜不会在MOCVD工艺中与反应气体反应或者给MOCVD反应腔增加污染物，因而缩短MOCVD生产工艺的初始化工艺时间，提高MOCVD设备的生产效率。保护膜具有疏松度为零的致密组织，保护膜的厚度范围为1纳米-0.5毫米。
改善 mocvd 反应工艺部件方法

[发明专利]一种改善铝用炭阳极抗氧化性能的方法-CN200810115453.3无效
发明人：罗钟生;罗英涛;苏自伟 -专利权人：中国铝业股份有限公司
申请日： 2008-06-24 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C25C3/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善铝用炭阳极抗氧化性能的方法，其特征在于是在铝电解炭阳极表面喷涂一薄层铝保护膜，铝保护膜表面生成一层致密的氧化物薄膜。本发明的方法，利用现有的喷铝技术在炭阳极表面喷涂一薄层铝保护膜，机理主要是在铝保护膜表面能生成一层致密的氧化物薄膜，可有效地减少空气对炭阳极的氧化损失，延长了炭阳极在铝电解槽上的使用寿命，操作简便而且不带入其它的污染性杂质
一种改善铝用炭阳极氧化性能方法

[实用新型]一种液晶显示屏FOG绑定位保护结构-CN201820888052.0有效
发明人：蒲大杭;吴德生 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液晶显示屏FOG绑定位保护结构。该结构包括芯片绑定位保护膜层（1）、柔性线路板绑定位保护膜层（2）以及绑定位连接保护膜层（3）；所述芯片绑定位保护膜层（1）覆盖在芯片（4）表面；所述柔性线路板绑定位保护膜层（2）覆盖在柔性线路板（5）的绑定位表面；所述绑定位连接保护膜层（3）将芯片绑定位保护膜层（1）与柔性线路板绑定位保护膜层（2）连接，并对芯片（4）的绑定位以及柔性线路板（5）的绑定位进行包围；所述芯片绑定位保护膜层（1）、柔性线路板绑定位保护膜层（2）以及绑定位连接保护膜层（3）均为致密的氟化液膜层。本实用新型有利于对IC、FPC及周围金属走线进行更好的保护，节约成本。
保护膜层柔性线路板芯片定位连接本实用新型液晶显示屏定位保护致密定位表面金属走线氟化液覆盖膜层包围节约

[发明专利]一种极薄散热膜及其制作方法-CN201611006435.2有效
发明人：郑永德;祝琼 -专利权人：广州宏庆电子有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种极薄散热膜及其制备方法，本发明涉及电子材料领域。该散热膜包括上保护膜层；下保护膜层；以及位于所述上保护膜和下保护膜层之间的至少一个散热层组，其中，所述散热层组包括散热金属膜层和叠加在所述散热金属膜层上的用于横向传热的散热胶膜层，本申请的散热膜操作简单，形成的膜层轻薄致密，适用于各种电子产品和通信设备。
一种散热及其制作方法

[发明专利]一种保护膜固化形成方法-CN202111172330.5在审
发明人：孟昊 -专利权人：深圳市云合谷科技有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B32B37/10 文献下载
摘要：本发明涉及包装保护材料加工制造技术领域，具体提出了一种保护膜固化形成方法，并涉及到一种多层保护膜涂布复合设备，包括机架、双面涂胶机构、引导辊组组件、胶合压紧机构和单面涂胶机构；本发明提供的复合设备可完成多层结构的硅胶PET保护膜的复合成型加工，并提高了双层PET薄膜层胶合的致密性和光滑性，避免了保护膜细微褶皱的产生，提高了保护膜的复合成型质量。
一种保护膜固化形成方法

[发明专利]一种光学保护膜用涂布机-CN202211303135.6在审
发明人：吴保桦 -专利权人：江西桦安新型材料有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B05C9/04 文献下载
摘要：本发明涉及光学保护膜制备领域，具体涉及一种光学保护膜用涂布机，包括涂覆装置与防护壳，所述涂覆装置与防护壳侧边贴合，所述涂覆装置与防护壳侧壁连接，所述涂覆装置包括受装壳：还包括：连接在受装壳上的涂抹机构，本发明通过利用多组换向辊使两组涂抹机构能够分别对布匹的两面进行单独涂料，同时利用压辊与刮板的配合使布匹上的光学保护涂料呈现出薄薄的一层，从而能在布匹的两面均呈现出薄而致密的光学保护膜，以解决现有的光学保护膜用涂布机只能对布匹的单面进行覆膜、加工效率低下且难以形成薄而致密的防护膜的问题。
一种光学保护膜用涂布机

[发明专利]一种在无晶圆的真空反应腔内镀膜的方法及晶圆处理方法-CN201910677224.9有效
发明人：耿振华;刘身健;刘志强;张洁 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种在无晶圆的真空反应腔内镀膜的方法及晶圆处理方法，该镀膜方法包含以下步骤：步骤1：向无晶圆的真空反应腔内输送沉积气体并点燃等离子体，在暴露于等离子体的真空反应腔内壁及内部部件表面沉积一定厚度的保护膜；步骤2：向无晶圆的真空反应腔内输送刻蚀气体并点燃等离子体，等离子体对步骤1沉积的保护膜进行修饰处理；步骤3：重复步骤1‑步骤2若干次以得到高致密度的保护膜。本发明通过重复沉积‑刻蚀的方式在真空反应腔内表面所形成致密的保护膜，从而减小晶圆表面颗粒的尺寸和数量，工艺简单，易于实现。
一种无晶圆真空反应镀膜方法处理

[发明专利]高温超导体表面保护膜及涂覆方法-CN94113341.9在审
发明人：曹必松;何艾生;张春波 -专利权人：清华大学
申请日： 1994-12-30 - 公布日： 1995-10-04 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及高温超导体表面保护膜及其涂覆方法。选用有机高分子化合物有机玻璃作为保护材料，采用离心甩膜工艺进行多次重复甩膜，可获得将高温超导材料于水中保护40小时左右的效果，所用工艺使保护膜均匀致密，厚度可控，且简单省钱。
高温超导体表面保护膜方法

[发明专利]高温超导体表面保护膜及涂覆方法-CN94113340.0无效
发明人：曹必松;何艾生;张春波 -专利权人：清华大学
申请日： 1994-12-30 - 公布日： 1995-10-04 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明涉及高温超导体表面保护膜及其涂覆方法。选用有机高分子化合物聚酰亚胺作为保护材料，采用离心甩膜工艺进行多次重复甩膜，可获得将高温超导材料于水中保护40小时左右的效果，所用工艺使保护膜均匀致密，厚度可控，且简单省钱。
高温超导体表面保护膜方法

[发明专利]一种具有钝化保护膜的量子点复合转光材料-CN202111182324.8有效
发明人：陈焰;胡广齐;叶炜浩;梁敏婷 -专利权人：佛山安亿纳米材料有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有钝化保护膜的量子点复合转光材料：包括基底和沉积于基底表面的钝化保护膜；基底为内部填充有量子点的聚硅氧烷微球；钝化保护膜由氮化物和/或氧化物构成，构成钝化保护膜的物质为玻璃态物质、结晶态物质中的至少一种由于表面具有钝化保护膜，使得本发明提供的分子沉积膜具有良好的均一性和致密性，能够对量子点基底起到长效而有力的保护作用。
一种具有钝化保护膜量子复合材料

[实用新型]一种贴压有覆盖保护膜的刚性电路板-CN202122633985.X有效
发明人：陈显正;黄章农;荀宗献 -专利权人：珠海杰赛科技有限公司;广州杰赛电子科技有限公司;广州杰赛科技股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种贴压有覆盖保护膜的刚性电路板，其包括刚性电路基板、第一覆盖保护膜和第二覆盖保护膜；刚性电路基板的正面和背面均设有外层线路；第一覆盖保护膜贴压在刚性电路基板的正面；第二覆盖保护膜贴压在刚性电路基板的背面本实用新型所提供的贴压有覆盖保护膜的刚性电路板，避免了现有的电路板通过丝印油墨阻焊方式制作保护层导致的丝印阻焊油墨出现的厚度不均匀，线路发红，阻焊气泡致密性差等问题，更是避免后制程出现油墨变色、附着力差脱落等质量风险，同时采用覆盖保护膜的制作保护层的方式可以简化制作流程，节约生产成本，提高生产效率。
一种贴压有覆盖保护膜刚性电路板

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