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[发明专利]柔性IC基板覆铜表面粗糙度Ra的显微成像检测方法-CN201810858023.4在审
发明人：胡跃明;李璐;罗家祥 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开柔性IC基板覆铜表面粗糙度Ra的显微成像检测方法，该方法采用柔性IC基板显微成像系统及铜箔表面粗糙度Ra检测分析系统。其中，铜箔表面粗糙度Ra检测分析包括建立训练样本库、分割铜箔表面、提取图像特征、训练神经网络、计算铜箔表面粗糙度Ra模块。本发明利用神经网络建立图像纹理特征与铜箔表面粗糙度的关系，输入待检测的铜箔表面纹理特征参数，从而计算得到铜箔表面粗糙度Ra。本发明方法为非接触式检测方法，避免对铜箔表面的损伤，解决了柔性IC基板覆铜表面粗糙度Ra的快速检测难题。
铜箔表面粗糙度Ra 表面粗糙度Ra 覆铜检测分析显微成像检测非接触式检测提取图像特征图像纹理特征显微成像系统训练神经网络训练样本库快速检测神经网络纹理特征粗糙度损伤分割

[发明专利]固体氧化物型燃料电池用电解质片及其制造方法、以及固体氧化物型燃料电池用单电池和固体氧化物型燃料电池-CN201180017634.2有效
发明人：秦和男 -专利权人：株式会社日本触媒
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：本发明的固体氧化物型燃料电池用电解质片在至少一侧面的边缘部区域与上述边缘部区域以外的区域具有相互不同的表面粗糙度，利用激光光学式非接触三维形状测量装置进行测定而得到的上述边缘部区域的表面粗糙度Ra(b)为0.05μm以上且小于0.3μm，上述边缘部区域以外的区域的表面粗糙度Ra(i)为0.2μm以上且1.2μm以下，并且Ra(i)相对于Ra(b)的比(Ra(i)/Ra(b))大于1且小于等于4。此处，上述表面粗糙度Ra(b)和表面粗糙度Ra(i)为算术平均粗糙度，是依据德国标准“DIN-4768”而求得的表面粗糙度参数。
固体氧化物燃料电池用电解质片及其制造方法以及电池

[发明专利]压制成型用玻璃坯料和其制造方法以及光学元件的制造方法-CN201610411132.2在审
发明人：藤本忠幸;和田泰匡 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： C03B11/00 文献下载
摘要：根据本发明，提供压制成型用玻璃坯料(10)，该压制成型用玻璃坯料(10)具备表面粗糙度Ra为第1表面粗糙度Ra1的至少一个凸面(10a)、和配置于凸面的周围且表面粗糙度Ra为第2表面粗糙度Ra2的侧端面(11)，第2表面粗糙度Ra2小于0.10μm，并且第2表面粗糙度Ra2大于第1表面粗糙度Ra1。
压制成型玻璃坯料制造方法以及光学元件

[发明专利]硅酸盐材料的洁净工艺及其设备-CN201010151738.X有效
发明人：萨曼莎·坦;陈宁 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2004-07-22 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英衬底的处理方法，该方法包括：制备用于提供具有初始粗糙度的工作表面的衬底；然后超声酸蚀刻该工作表面使其粗糙度增加至少约10％。在本发明的一实施例中，初始表面粗糙度大于约10Ra，以及在另一实施方式中，初始表面粗糙度大于约200Ra。在再一实施例中，如果初始表面区域的粗糙度小于约200Ra，就要增加该区域的粗糙度使其大于约200Ra。在本发明的其它实施例中，工作表面的粗糙度增加至少约25％或者约50％。同时，随着表面区域粗糙度的增加，由于减少衬底上颗粒的污染而减少了表面的缺陷。
硅酸盐材料洁净工艺及其设备

[发明专利]硅酸盐材料的洁净工艺及其设备-CN200480027645.9有效
发明人：萨曼莎·坦;陈宁 -专利权人：晶粒精密清理仪器有限公司
申请日： 2004-07-22 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： C23F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英衬底的处理方法，该方法包括：制备用于提供具有初始粗糙度的工作表面的衬底；然后超声酸蚀刻该工作表面使其粗糙度增加至少约10％。在本发明的一实施例中，初始表面粗糙度大于约10Ra，以及在另一实施方式中，初始表面粗糙度大于约200Ra。在再一实施例中，如果初始表面区域的粗糙度小于约200Ra，就要增加该区域的粗糙度使其大于约200Ra。在本发明的其它实施例中，工作表面的粗糙度增加至少约25％或者约50％。同时，随着表面区域粗糙度的增加，由于减少衬底上颗粒的污染而减少了表面的缺陷。
硅酸盐材料洁净工艺及其设备

[发明专利]荫罩和荫罩用的基质材料-CN99125585.2无效
发明人：牧田明;松元丰 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 1999-10-20 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01J29/07 文献下载
摘要：本发明是关于高精细度孔板，是含有小孔侧表面中心线平均粗糙度Ra在0.25μm以下，大孔侧表面中心线平均粗糙度Ra比小孔侧表面中心线平均粗糙度Ra大0.25μm以上，而且大孔侧中心线表面粗糙度Ra在1μm
荫罩用基质材料

[发明专利]玻璃基板-CN201880073224.1在审
发明人：奥隼人;山本好晴;中塚弘树 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：玻璃基板(1)具有第一主表面(2)和第二主表面(3)。第一主表面(2)的表面粗糙度Ra为0.2nm以下，第二主表面(3)的中央区域(4)的表面粗糙度Ra为0.3nm以上且1.0nm以下，在第二主表面(3)的外周区域(5)中，设置有显示出比中央区域(4)的表面粗糙度Ra大0.2nm以上的表面粗糙度Ra的表面粗糙化区域(A)。
玻璃

[发明专利]热敏电阻元件及电子元器件-CN201580035880.9有效
发明人：井原木洋 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01C7/02 文献下载
摘要：热敏电阻元件具有坯体和覆盖坯体的外表面的一部分的第1、第2外部电极。坯体具有第1侧面到第4侧面。第1侧面与第2侧面位于彼此的相反侧。第3侧面与第4侧面位于彼此的相反侧。第1侧面的表面粗糙度和第2侧面的表面粗糙度相等，为Ra1。第3侧面的表面粗糙度和第4侧面的表面粗糙度相等，为Ra2。Ra1＜Ra2，且0.1μm≤Ra1≤0.4μm，且0.4μm≤Ra2。
热敏电阻元件电子元器件

[发明专利]GaN晶体衬底-CN200710092177.9无效
发明人：藤田俊介;笠井仁 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-04-02 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种GaN晶体衬底，具有其上生长晶体的晶体生长表面(10c)和与晶体生长表面(10c)相对的后表面(10r)。晶体生长表面(10c)具有至多10nm的粗糙度Ra(C)，以及后面表面(10r)具有至少0.5μm和至多10μm的粗糙度Ra(R)，以及该表面粗糙度Ra(R)与表面粗糙度Ra(C)的比率Ra(R)/Ra因此，可以在而不损害GaN晶体衬底上生长的半导体层的形态条件下，提供其中可区分其前和后表面的GaN晶体衬底。
gan 晶体衬底

[发明专利]磷化铟衬底和制造磷化铟衬底的方法-CN202010677512.7有效
发明人：藤原新也;樋口恭明 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：磷化铟衬底具有第一和第二主表面；第一主表面在中心位置处具有表面粗糙度Ra1，在四个位置处具有表面粗糙度Ra2至Ra5，四个位置沿第一主表面的外边缘等距地布置且位于从外边缘向内5mm的距离处，表面粗糙度Ra1至Ra5的平均值m1是0.4nm或更小并且标准偏差σ1是平均值m1的10％或更小；第二主表面在中心位置处具有表面粗糙度Ra6，在四个位置处具有表面粗糙度Ra7至Ra10，四个位置沿第二主表面的外边缘等距地布置且位于从外边缘向内5mm的距离处，表面粗糙度Ra6至Ra10的平均值m2是大于0.4nm且3nm或更小并且标准偏差σ2是平均值m2的10％或更小。
磷化衬底制造方法

[发明专利]表面具有微细凹凸构造的模具、表面具有微细凹凸构造的物品制造方法、物品用途、体现色彩差异的层积体以及面发光体-CN201180043672.5有效
发明人：佐伯裕美子;远藤晋旦;服部俊明;小并谕吉;古川浩二 -专利权人：三菱丽阳株式会社
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： B29C33/42 文献下载
摘要：一种具有凹凸构造的模具，该模具的凹凸构造的表面粗糙度Ra和线粗糙度Ra'的最大值Ra'（max）与最小值Ra'（min）满足下式（1）。0.13≦（Ra'（max）-Ra'（min））/Ra≦0.82（1）。
表面具有微细凹凸构造模具物品制造方法用途体现色彩差异层积以及发光体

[发明专利]静电潜像载体、静电潜像显影剂以及成像装置-CN200610168981.6有效
发明人：吉原宏太郎;高木正博;井上敏司;鹤见洋介;井口萌木 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2006-12-18 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： G03G9/10 文献下载
摘要：一种静电潜像载体，其具有核心颗粒和涂敷核心颗粒表面的树脂涂敷层，其中核心颗粒的表面粗糙度显示出满足表达式Sm≤2.0μm的表面粗糙度Sm和满足表达式Ra≥0.1μm的表面粗糙度Ra(与JISB0601相符)，静电潜像载体的表面粗糙度Ra(与JIS B0601相符)满足表达式Ra≤0.5μm，静电潜像载体的球度为0.975或更高。
静电载体显影剂以及成像装置

[实用新型]低表面粗糙度PP-R管材-CN201620228478.4有效
发明人：王军;彭晓翊;李白千;李超浪 -专利权人：日丰企业集团有限公司;日丰科技有限公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： F16L9/133 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低表面粗糙度PP‑R管材，该PP‑R管材由内到外依次为：低表面粗糙度内层和PP‑R外层。所述低表面粗糙度内层的厚度为0.1‑1.0mm，表面粗糙度Ra≤0.2μm。本实用新型的PP‑R管材既保持了PP‑R管的质轻、卫生性好、使用寿命长等优点；且内表面粗糙度低(表面粗糙度Ra≤0.2μm)，水垢难以聚集，有效降低微生物的滋生，保证水质卫生。
表面粗糙 pp 管材

[发明专利]装饰片和装饰板-CN201680056212.9有效
发明人：新原勇平 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： B32B7/022 文献下载
摘要：本发明提供一种在最外表面具有表面保护层的装饰片，其特征在于，(1)由上述表面保护层的表面的沿着任意方向测定的算术平均粗糙度Ra(i)和沿着相对于该任意方向垂直的方向测定的算术平均粗糙度Ra(ii)算出的Ra(i)/Ra(ii)的值为0.62以上1.63以下，(2)由上述表面保护层的表面的沿着任意方向测定的粗糙度曲线要素的平均长度RSm(i)和沿着相对于该任意方向垂直的方向测定的粗糙度曲线要素的平均长度RSm(ii)算出的RSm(i)/RSm(ii)的值为0.75以上1.33以下，(3)上述表面保护层的表面的算术平均粗糙度Ra为0.40μm以下，且粗糙度曲线要素的平均长度RSm为22.90μm以上。
装饰

[发明专利]电极-CN201310695841.4无效
发明人：岩崎拓哉;原田康宏;稻垣浩贵;高见则雄 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01M4/64 文献下载
摘要：第一区域具有表面粗糙度Ra₁。第二区域具有表面粗糙度Ra₂。活性材料包含层被第二区域所支持。第一区域的表面粗糙度Ra₁小于第二区域的表面粗糙度Ra₂。
电极

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