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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基板及其制造方法、电光装置用基板、电光装置和电子设备-CN200410004691.9有效
发明人：仓科久树 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-03-11 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明的特征在于：具有分别形成成膜图案的多个成膜层、分别在上述多个成膜层之间形成的层间膜、在上述层间膜中平坦化的层间膜之下的成膜层上形成的多个层间膜下侧布线图案、为了将上述多个层间膜下侧布线图案与上述平坦化的层间膜的上层的成膜图案之间连接而在上述平坦化的层间膜上形成的多个接触孔、以及在上述多个接触孔的下方的多个位置分别在上述多个层间膜下侧布线图案的下层的1个或1个以上的成膜层上形成的控制上述多个层间膜下侧布线图案的表面的位置的1个或1个以上的虚设图案。
及其制造方法电光装置用基板电子设备

[发明专利]一种膜层间与量子点发光二极管膜层间成膜的方法-CN202011551668.7在审
发明人：范嘉城 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种膜层间与量子点发光二极管膜层间成膜的方法。方法包括步骤：提供第一膜层；在所述第一膜层上沉积具有双亲表面的辅助膜层；在所述辅助膜层的双亲表面上沉积所需的第二膜层；其中，所述第一膜层的表面极性与所述第二膜层的表面极性不同。本发明通过在难以附着的两膜层间制备一层具有双亲表面的辅助膜层，使得无论是亲水性的第二膜层材料溶液，还是亲油性的第二膜层材料溶液，都能在辅助膜层上较好的成膜，这样原来不能较好附着的第二膜层通过辅助膜层变得都能很好的附着在第一膜层上，从而极大地改善了极性不匹配膜层间的成膜质量，为成膜材料的选择提供了更多的可能。
一种膜层间量子发光二极管膜层间成膜方法

[发明专利]基板及其制造方法、电光装置用基板、电光装置和电子设备-CN200410029496.1有效
发明人：仓科久树 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-03-19 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明的带检查元件的基板的特征在于，具备：分别形成成膜图案的多个成膜层；分别在上述多个成膜层之间形成的层间膜；由与上述多个成膜层中的至少1个成膜层的各成膜图案相同的材料在检查元件形成区域形成的检查元件图案；在平坦化的最上层的层间膜的上述检查元件形成区域形成的、使与上述检查元件图案连接的多个焊盘露出的开孔部；以及由与上述多个成膜层中的指定的成膜层的各成膜图案相同的材料在上述多个焊盘的下方形成的虚设图案。
及其制造方法电光装置用基板电子设备

[发明专利]一种金属布线上层间膜的二步淀积法-CN200310109531.6有效
发明人：施向东;姚亮 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2003-12-18 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明有关一种金属布线上层间膜的淀积方法，其采用二步淀积层间膜，解决层间膜埋入性差的问题，其具体步骤为：首先在芯片表面上进行层间膜淀积；第二步，选择性刻蚀层间膜；接着进行金属膜淀积及氮化钛/钛薄膜淀积，在芯片的表面及上述层间膜上形成金属淀积层及氮化钛/钛薄膜层；然后进行金属线刻蚀，选择性刻蚀淀积的氮化钛/钛薄膜层及金属层；最后采用一般等离子成膜方式进行第二次的层间膜淀积。由于采用上述方式，本发明的层间膜埋入性好，能解决金属空洞的问题，同时由于在第二步成膜时采用一般等离子成膜方式，减小等离子的损伤及热履历过程。
一种金属布线上层二步淀积法

[发明专利]彩膜层成膜装置和彩膜层成膜方法-CN201510115209.7有效
发明人：沈武林;林俊仪;方金钢 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明属于显示技术领域，具体涉及一种彩膜层成膜装置和成膜方法。该彩膜层成膜装置，包括用于对加工膜旋转成型的旋转单元和控制单元，还包括与所述控制单元电连接的色度监测单元，所述色度监测单元用于对所述加工膜的色度进行检测，以及比较所述加工膜的色度与预设色度的差值，进而利用该差值，通过所述控制单元调节所述旋转单元的速度来控制所述加工膜的厚度。该彩膜层成膜装置和彩膜层成膜方法，可以实时监控有色加工膜的色度，从而得到设定的加工膜厚度，从而有效提高有色膜成膜的生产效率，降低有色膜材料的损耗。
装置方法

[发明专利]电光装置的制造方法以及透明基板用热处理装置-CN200410091072.8无效
发明人：福原圭司 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-11-16 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：在成膜工序中，在透明基板上形成布线、电子元件以及显示用电极的至少某一种中的至少某一部分。在成膜工序前后，在层间绝缘工序中形成层间绝缘膜。在成膜工序以后或者层间绝缘工序以后，对于透明基板单片式地实施由加热炉加热的热处理，由此，成品率良好地高效地制造电光装置。
电光装置制造方法以及透明基板用热处理

[发明专利]半导体晶圆及半导体装置的制造方法-CN200810129612.5有效
发明人：富田和朗 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供可防止晶圆边缘部的膜剥落或图案断续的半导体晶圆及半导体装置的制造方法。在硅衬底(101)上，在用沟槽分离膜(500)分离的活性区上形成栅结构(400)，进而将接触层间膜(103)、低k通路层间膜即V层和低k布线层间膜即M层交替成膜而形成多层布线结构。在从第一层间膜(113)至第五层间膜(153)的精细层中除去M层的晶圆边缘部，但不除去V层的晶圆边缘部。另外，接触层间膜(103)的晶圆边缘部没有被除去。
半导体装置制造方法

[发明专利]低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法-CN201180011792.7无效
发明人：清水秀治;永野修次;大桥芳;加田武史;菅原久胜 -专利权人：大阳日酸株式会社;三化研究所股份有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明的低介电常数层间绝缘膜，通过等离子体CVD法形成，至少含有碳和硅，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为3.8以下。此外，本发明的低介电常数层间绝缘膜的成膜方法，具有通过等离子体CVD法使至少含有碳和硅的绝缘膜材料成膜的工序，作为所述绝缘膜材料不使用烃，在形成的低介电常数层间绝缘膜中，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为
介电常数绝缘方法

[发明专利]多层膜成膜方法、真空成膜装置及其控制装置-CN02106731.7无效
发明人：渡部尚;近藤隆彦;山川健司 -专利权人：新明和工业株式会社
申请日： 2002-03-04 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：一种多层膜的成膜方法、真空成膜装置及真空成膜装置的控制装置,在多层膜成膜时,用较短的时间完成所有层的成膜。用电子枪加热膜的原料而进行的两层以上的多层膜的成膜,通过向配置于真空腔内的基板蒸发膜的原料的主加热工序R2、R4及预热膜的原料的预热工序R1、R3来进行。在执行由多台电子枪中的某一台形成一层膜的主加热工序R2期间,利用另外的电子枪执行用于形成另一层膜的预热工序。
多层膜成膜方法真空装置及其控制

[发明专利]显示面板-CN201780039087.5有效
发明人：田中茂树;上田亮;黑住幸生;滨田诚次;高桥亮辅 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：液晶面板11具备：一对基板11a、11b；密封部11p，其隔在一对基板11a、11b间，以包围液晶层11c的形式配置在非显示区域NAA并密封液晶层11c；作为绝缘膜的平坦化膜20和第二层间绝缘膜22，其设置于阵列基板11b，配置成横跨显示区域AA和非显示区域NAA的形式；取向膜11o，其设置在阵列基板11b中比作为绝缘膜的平坦化膜20和第二层间绝缘膜22更接近液晶层11c的一侧，配置成横跨显示区域AA和非显示区域NAA的形式；划分部25，其由作为绝缘膜的平坦化膜20和第二层间绝缘膜22形成，配置在非显示区域NAA中与密封部11p重叠的位置，划分不配置取向膜11o的非配置取向膜区域NALA。
显示面板

[发明专利]有源矩阵基板、具备有源矩阵基板的液晶显示装置以及有源矩阵基板的制造方法-CN200880117216.9无效
发明人：中田幸伸 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-09-16 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：该方法包括如下工序：在非显示区域(周边区域)的形成端子部的区域中，在使源极金属膜(第2金属膜)成膜之前，除去层叠在栅极金属膜(第1金属膜)上的栅极绝缘膜GI(第1层间绝缘层)的至少一部分(工序(2))；以及在源极配线(信号配线)上使钝化膜Pas(第2层间绝缘层)成膜之后进行蚀刻，使得在显示区域中，除了TFT的漏极电极(16a)的一部分以外，钝化膜Pas和半导体层(i层)成为相同的图案(工序(4))。
有源矩阵具备液晶显示装置以及制造方法

[发明专利]溅射方法及溅射装置-CN200880003117.8无效
发明人：植田吉彦;茂山和基;福森弘司 -专利权人：株式会社大阪真空机器制作所;东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-01-25 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射方法及溅射装置，其构成简单，能够实现低温低损伤成膜，并且生产性高。本发明是在真空容器内在被成膜对象物上形成初期层后再在初期层上形成第二层的溅射方法，其特征在于，在所述真空容器内，将一对靶子配置为，其表面之间隔开间隔地相互面对，并且该表面朝向配置于靶子间的侧方的被成膜对象物倾斜，在所述一对靶子的对置面侧产生磁场空间而进行溅射，用该被溅射出的溅射粒子在被成膜对象物上形成初期层，再以比初期层的成膜速度快的成膜速度在被成膜对象物上形成第二层。
溅射方法装置

[发明专利]全氟离子交换溶合增强膜及其制备方法-CN200310119330.4有效
发明人：张永明;张建宏;刘传奇;张恒;刘燕刚;栾英豪 -专利权人：山东东岳高分子材料有限公司
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： C25B13/08 文献下载
摘要：制造用于电解的离子交换膜及其成膜方法，是由含有磺酸基团和/或羧酸基团的全氟离子交换树脂为成膜树脂，具有至少两层成膜树脂溶合为结构无界面的离子膜，而且膜中至少有一层全氟聚合物网布作为增强材料。同时可以在成膜树脂中加入全氟聚合物微纤增强。采用程序涂敷的方法形成离子交换层间无界面梯度膜，使得层间离子交换基团的浓度呈梯度变化，而且极大地改善了离子交换树脂和增强材料之间的界面特征。在实际应用中该种交换膜具有较低的膜电阻，可以提供较高的电流效率，而且具有极好的机械强度和尺寸稳定性，平整度高。
离子交换溶合增强及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610051420.8有效
发明人：小山润;大力浩二;冈崎奖;守屋芳隆;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的半导体器件包括设置在挠性衬底上的多个晶体管、设在所述多个晶体管之间的弯曲部分，以及被设置成用于覆盖所述栅电极的层间绝缘膜，每个所述晶体管都具有半导体膜、以与所述半导体膜之间具有栅绝缘膜的方式设置在所述半导体膜上的栅电极，其中所述弯曲部分是通过用具有比层间绝缘膜更低弹性模数的材料、比层间绝缘膜更低玻璃转化点的材料或者比层间绝缘膜更高可塑性的材料填充形成在层间绝缘膜中的开口而提供的。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]成膜方法-CN201310738255.3在审
发明人：戴丰源;刘日成;叶鸿链;李汉隆;马宏俊;曾顺吉 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： B05C3/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜方法，包括步骤：提供一成膜装置，包括收容治具、固定治具与紫外光固化部，收容治具采用透明材质制作形成并形成有容置槽；使固定治具吸附待成膜零件并悬设于容置槽内，待成膜零件与容置槽的槽壁间形成间隙；向间隙内填充无溶剂紫外光固化胶水，无溶剂紫外光固化胶水与待成膜零件之间的粘附力大于无溶剂紫外光固化胶水与收容治具之间的粘附力；使紫外光固化部固化无溶剂紫外光固化胶水从而在待成膜零件的表面形成膜层；以及将待成膜零件连带膜层一起与收容治具分离，得到表面形成有膜层的零件。
方法

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