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[发明专利]一种管道多节球形内检测器-CN202210519567.4有效
发明人：苏禹铭;耿浩;杨理践;王国庆;石萌;郑福印;高鹏飞;李佳音 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01N27/82 文献下载
摘要：本发明涉及燃气管道检测领域，公开一种管道多节球形内检测器，包括至少两个并排设置的球形结构，球形结构的直径等于管道的直径，任意相邻两个球形结构之间均通过柔性连接件连接；缺陷检测装置，缺陷检测装置设置于球形结构内部，缺陷检测装置用于检测管道的缺陷；缺陷定位装置，缺陷定位装置设置于球形结构内部，缺陷定位装置用于确定缺陷的位置；供电装置，供电装置设置于球形结构内部，缺陷检测装置和缺陷定位装置均与供电装置电连接。本发明提供的管道多节球形内检测器能够在城镇燃气管道中具有良好通过性、且能够实现管道缺陷内检测。
一种管道球形检测器

[发明专利]含缺陷焊接结构的概率剩余寿命预测方法及系统-CN202111249311.8在审
发明人：王宗正;刘韶庆;韩晓辉;李宁;赵子豪;鞠增业;汪认;马龙 -专利权人：中车青岛四方机车车辆股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明属于焊接结构寿命预测技术领域，提供了一种含缺陷焊接结构的概率剩余寿命预测方法及系统。其中，该方法包括基于含缺陷焊接结构载荷工况及量化并规则化的缺陷形式，构建含缺陷焊接结构的全局有限元模型和关键部位的子有限元模型，计算当前应力场强度因子；获取基于断裂力学试验的含缺陷焊接结构的应力场强度因子门限值以及基于损伤力学试验的含缺陷焊接结构的临界缺陷长度；比较当前应力场强度因子与应力场强度因子门限值：若前者小于后者，则缺陷安全；否则，基于运营里程与缺陷长度的关系，当缺陷长度达到临界缺陷长度时，运营里程则是含缺陷焊接结构在设定存活率下的剩余寿命。
缺陷焊接结构概率剩余寿命预测方法系统

[发明专利]含缺陷的复合材料胶接修补结构的强度预测方法及系统-CN202210682720.5在审
发明人：陶翀骢;徐瑶;裘进浩;季宏丽;张超 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种含缺陷的复合材料胶接修补结构的强度预测方法及系统，方法包括基于复合材料胶接修补结构，构建样本数据集；构建神经网络模型，并采用样本数据集对神经网络模型进行训练，得到含缺陷的复合材料胶接修补结构强度预测模型；基于所述含缺陷的复合材料胶接修补结构强度预测模型，得到包含大量样本数据的缺陷‑强度数据集；基于缺陷‑强度数据集和损伤指数，得到各类别的缺陷‑强度叠加图，并基于缺陷‑强度叠加图，得到平均缺陷‑强度叠加图；获取含缺陷的复合材料胶接修补结构中的缺陷特征信息图像，并基于平均缺陷‑强度图对含缺陷的胶接结构的强度快速预测。能够对包含外表不可见脱粘损伤的修补结构进行快速且可视化的强度预测。
缺陷复合材料修补结构强度预测方法系统

[发明专利]一种具有陡峭过渡和改善阻带的低通滤波器-CN201410567302.7有效
发明人：汪欢文;高扬华;陆海良;郁钢;单宇翔 -专利权人：浙江中烟工业有限责任公司
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有陡峭过渡和改善阻带的低通滤波器，该滤波器包括介质板、导带、互补型矩形开口缺陷微带结构、开路枝节、脊线、接地板和哑铃型缺陷地结构，互补型矩形开口缺陷微带结构包括第一互补型矩形开口缺陷微带结构和第二互补型矩形开口缺陷微带结构，第一互补型矩形开口缺陷微带结构和第二互补型矩形开口缺陷微带结构分别设置在导带的两侧，每个互补型矩形开口缺陷微带结构由两个开口方向相反的内侧环型缝隙和外侧环型缝隙构成；开路枝节包括第一开路枝节、第二开路枝节和第三开路枝节，脊线包括第一脊线和第二脊线，哑铃型缺陷地结构包括第一哑铃型缺陷地结构和第二哑铃型缺陷地结构，本发明改善了阻带宽度，通带内的损耗低。
一种具有陡峭过渡改善滤波器

[发明专利]分析缺陷设计结构的扫描方法-CN202310615325.X在审
发明人：王敏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种分析缺陷设计结构的扫描方法，提供扫描机台以及待测器件，扫描机台导入有待测器件的设计文件信息，设计文件信息包括多种尺寸信息；根据设计文件信息中不同的图形设置对应的缺陷结构分析；利用扫描机台获取待测器件的扫描结果，判断扫描结构的缺陷是否与至少一种尺寸信息相关；若是，则利用扫描机台重新分析扫描结构，扫描结构的缺陷的数量百分比位于任一种尺寸信息对应的设计尺寸范围，则输出扫描结构并发出缺陷报警；若否，则结束扫描并输出扫描结果本发明可以对扫描缺陷的结构进行快速的分析，增加缺陷分析的维度；根据缺陷的结构分析结果，可以帮助快速追溯缺陷的来源以及缺陷的产生机理，提高缺陷分析效率。
分析缺陷设计结构扫描方法

[发明专利]结构缺陷识别的拓扑优化方法-CN202011491689.4有效
发明人：付君健;李帅虎;杜义贤;田启华;周祥曼 -专利权人：三峡大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了结构缺陷识别的拓扑优化方法，该方法以待测结构有限元模型单元的伪密度为设计变量，以待测结构与含缺陷结构位移响应误差的平方为拓扑优化的目标函数，开展结构的有限元分析以获得实时的结构位移响应，通过推导目标函数关于设计变量的导数，开展缺陷识别的拓扑优化迭代求解，当目标函数收敛至最小值时即可完成缺陷识别。本发明采用拓扑优化方法实现结构的缺陷识别，将缺陷识别问题转换成反问题求解，具有严谨的数学理论。本发明可进行结构缺陷的定位和定形识别，不需要先验信息，不受缺陷数量影响，结构缺陷显示直观。
结构缺陷识别拓扑优化方法

[发明专利]实现缺陷模均匀分布的方法、结构以及光学器件-CN200910190685.X无效
发明人：欧阳征标;林密;曹恩文 -专利权人：深圳大学
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明属于光通信和激光器技术领域，涉及一种在带中间缺陷层的折射率周期分布的多层结构中实现缺陷模均匀分布的方法和实现缺陷模均匀分布的结构以及具有该结构的光学器件。一种实现缺陷模均匀分布的结构，该结构为带中间缺陷层的折射率周期分布的多层结构，其特征在于，所述中间缺陷层中的介质包括色散介质，所述中间缺陷层中的介质产生的色散量与缺陷层外的折射率周期分布的多层结构产生的色散量大小相等本发明的结构简单而紧凑。
实现缺陷均匀分布方法结构以及光学器件

[发明专利]一种基于语法结构变更分析的软件缺陷溯源方法-CN202010574986.9有效
发明人：刘烃;郑庆华;贺安成;崔笛;马雪;池剑磊 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于语法结构变更分析的软件缺陷溯源方法，首先，对缺陷修复提交使用语法结构变更分析，确定导致缺陷产生的缺陷代码；其次，使用语法结构变更分析方法解析缺陷文件的历史提交，获取缺陷文件在被修复之前插入的代码模块；最后，通过比较缺陷代码和缺陷文件历史插入代码的相似性，确定缺陷代码的引入提交。本发明基于语法树差异分析技术，提出了基于语法结构变更分析的软件缺陷溯源方法，本方法的目标是给定一次缺陷修复提交，最终确定这个缺陷被引入软件系统的提交。该方法能够消除语法无关的代码修改噪声对缺陷溯源的影响，同时避免了传统缺陷溯源方法在大规模代码上建立映射关系不准确的问题，进而提升缺陷溯源结果的准确度。
一种基于语法结构变更分析软件缺陷溯源方法

[发明专利]半导体测试结构及缺陷检测方法-CN202110594601.X有效
发明人：翁文毅;李光中 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体测试结构及缺陷检测方法，将至少一条字线悬空，剩余的所述字线接地，利用电子束缺陷检测设备检测半导体测试结构即可以判断节点接触结构是否具有电性缺陷并定位电性缺陷的位置，且还可以判定发生的电性缺陷的类型，不需要借助其他的缺陷分析手段；并且，所述半导体测试结构可与正常的器件同步制备而成，因此无需特意设计掩模板等结构，也无需改变正常的器件的制备流程；进一步地，缺陷检测方法可以在形成节点接触结构之后立即进行缺陷检测，在线上作实时的缺陷分析，使得缺陷检测具有实时性，可防止大批量不良品的产生。
半导体测试结构缺陷检测方法

[发明专利]一种文本代码相结合的缺陷原因自动分类方法-CN201811346186.0有效
发明人：周澄;李斌;孙小兵;陈定山 -专利权人：扬州大学
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06F16/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种文本代码相结合的缺陷原因自动分类方法，包括以下步骤：首先提取缺陷报告中的文本内容及附录中的patch文件，之后进行数据清洗形成缺陷数据集；选取状态为VERIFIED FIXED且附有patch文件的缺陷，构建待分类缺陷集；抽取待分类缺陷集中缺陷的文本内容并进行自然语言处理，之后对其进行类别标注，构建缺陷原因分类集；从patch文件中抽取缺陷修复前、后的diff代码，获取缺陷修复中修改的diff代码对应的缺陷修改结构类别；利用深度学习方法对缺陷原因分类集进行训练，获取缺陷原因自动分类器。本发明通过深度学习模型挖掘缺陷报告的语义信息和diff结构特征，能准确预测缺陷的原因类别，明确发生缺陷的可疑代码结构，从而更准确的引导后续的缺陷定位和缺陷修复。
一种文本代码相结合缺陷原因自动分类方法

[发明专利]多层结构屏幕的异物缺陷区分方法、电子设备及存储介质-CN202111047559.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州高视半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本申请是关于一种多层结构屏幕的异物缺陷区分方法。该方法包括：将待测的多层结构屏幕的显示画面切换为白色画面；在M个方向的表面光源的切换照射下对多层结构屏幕进行拍摄，使得待测缺陷在白色画面中产生阴影，得到M个目标检测图像；分别根据M个目标检测图像获取待测缺陷的缺陷主体轮廓以及缺陷阴影轮廓；根据缺陷主体轮廓确定第一灰度直方图，并根据缺陷阴影轮廓确定第二灰度直方图；根据第一灰度直方图以及第二灰度直方图确定缺陷主体轮廓与缺陷阴影轮廓之间的推土距离EMD；将EMD与预设阈值对比，根据对比结果确定待测缺陷的缺陷类型本申请提供的方案，能够准确区分待测缺陷的缺陷类型，降低多层结构屏幕的异物缺陷误判率。
多层结构屏幕异物缺陷区分方法电子设备存储介质

[发明专利]一种基于缺陷地结构的移相器-CN202310492848.X在审
发明人：李璐;钱慧珍 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明公开一种基于缺陷地结构的移相器，该移相器包括介质基板、缺陷地结构以及微带结构；缺陷地结构设置在介质基板的一侧；微带结构设置在所述介质基板背离所述缺陷地结构的一侧，所述微带结构为边缘耦合结构；所述微带结构和所述缺陷地结构共同限定出所述缺陷地结构在工作频率下的阻抗匹配；由于缺陷地结构能够改变微带线的分布电感和分布电容，具有慢波效应，可实现移相器的小型化；同时微带结构为形成边缘耦合结构，能够优化工作频率下的阻抗匹配，实现较宽的带宽范围，以实现移相器的良好的S参数。
一种基于缺陷结构移相器

[实用新型]一种具有陡峭过渡和改善阻带的低通滤波器-CN201420614193.5有效
发明人：汪欢文;高扬华;陆海良;郁钢;单宇翔 -专利权人：浙江中烟工业有限责任公司
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有陡峭过渡和改善阻带的低通滤波器，该滤波器包括介质板、导带、互补型矩形开口缺陷微带结构、开路枝节、脊线、接地板和哑铃型缺陷地结构，导带设置在介质板的正面，接地板设置在介质板的背面；互补型矩形开口缺陷微带结构包括第一互补型矩形开口缺陷微带结构和第二互补型矩形开口缺陷微带结构，第一互补型矩形开口缺陷微带结构和第二互补型矩形开口缺陷微带结构分别设置在导带的两侧，开路枝节包括第一开路枝节、第二开路枝节和第三开路枝节；脊线包括第一脊线和第二脊线；哑铃型缺陷地结构包括第一哑铃型缺陷地结构和第二哑铃型缺陷地结构
一种具有陡峭过渡改善滤波器

[实用新型]一种用于缺陷牙修复的铸瓷贴面-CN202122453971.X有效
发明人：卫海川;谭红军 -专利权人：陕西精益齿科技术有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： A61C5/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于缺陷牙修复的铸瓷贴面，所述铸瓷贴面用于将缺陷牙修复至受损前的完整结构，所述铸瓷贴面具有与所述缺陷牙贴合的配合结构。所述配合结构包括所述铸瓷贴面上具有贴合所述缺陷牙前表面的贴面部、及将所述缺陷牙顶端包裹的环状凹槽结构的挂靠部。该铸瓷贴面通过配合结构将其整体贴合紧固在受损的缺陷牙上，以使得该缺陷牙恢复至受损前的完整结构，并具有受损前的相同的使用效果，避免了常规需要将该缺陷牙拔除、种植新的义齿所造成的治疗费用，以及减少患者所经受的疼痛，具有快速修复缺陷牙至完整结构的优点。
一种用于缺陷修复贴面

[实用新型]层压板预制分层缺陷结构-CN201220340543.4有效
发明人：曹景斌;刘秀芝;殷宏;胡伟;陈龙;王松 -专利权人：哈尔滨飞机工业集团有限责任公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： B32B3/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及复合材料领域，提供一种层压板预制分层缺陷结构，包括上部铺层、下部铺层和内部预置缺陷，在下部铺层上表面的中央放置内部预置缺陷，上部铺层覆盖在内部预置缺陷和下部铺层之上，上部铺层与下部铺层上表面粘接，所述内部预置缺陷为上下叠放粘接的2层聚四氟乙烯薄膜。采用本实用新型结构进行层压结构预制分层缺陷时大大提高了层压结构内部预制缺陷的尺寸稳定性，解决了在结构成型前就将所需要的分层缺陷提前预制的问题，保证了相关带分层缺陷层压结构试验的顺利进行。
层压板预制分层缺陷结构