专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体测试结构及缺陷检测方法-CN202110594601.X有效
  • 翁文毅;李光中 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2021-05-28 - 2022-09-09 - H01L23/58
  • 本发明提供了一种半导体测试结构及缺陷检测方法,将至少一条字线悬空,剩余的所述字线接地,利用电子束缺陷检测设备检测半导体测试结构即可以判断节点接触结构是否具有电性缺陷并定位电性缺陷的位置,且还可以判定发生的电性缺陷的类型,不需要借助其他的缺陷分析手段;并且,所述半导体测试结构可与正常的器件同步制备而成,因此无需特意设计掩模板等结构,也无需改变正常的器件的制备流程;进一步地,缺陷检测方法可以在形成节点接触结构之后立即进行缺陷检测,在线上作实时的缺陷分析,使得缺陷检测具有实时性,可防止大批量不良品的产生。
  • 半导体测试结构缺陷检测方法
  • [实用新型]半导体测试结构-CN202121180980.X有效
  • 翁文毅;李光中 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2021-05-28 - 2021-11-05 - H01L21/66
  • 本实用新型提供了一种半导体测试结构,将至少一条字线悬空,剩余的所述字线接地,利用电子束缺陷检测设备检测半导体测试结构即可以判断节点接触结构是否具有电性缺陷并定位电性缺陷的位置,且还可以判定发生的电性缺陷的类型,不需要借助其他的缺陷分析手段;并且,所述半导体测试结构可与正常的器件同步制备而成,因此无需特意设计掩模板等结构,也无需改变正常的器件的制备流程;进一步地,缺陷检测方法可以在形成节点接触结构之后立即进行缺陷检测,在线上作实时的缺陷分析,使得缺陷检测具有实时性,可防止大批量不良品的产生。
  • 半导体测试结构
  • [发明专利]多层王冠型金属-绝缘体-金属电容器结构及其制作方法-CN201510669703.8有效
  • 车行远;翁文毅 - 力晶科技股份有限公司
  • 2015-10-13 - 2018-10-26 - H01L23/64
  • 本发明公开一种多层王冠型金属‑绝缘体‑金属电容器结构及其制作方法,该多层王冠型金属‑绝缘体‑金属电容器结构包含有一基底,其中设有一导电区域;一金属层间介电层,设于基底上;一电容沟槽,贯穿金属层间介电层,显露出导电区域;一电容下电极结构,设于电容沟槽内,包括一第一下电极及一第二下电极,其中第一下电极环绕着第二下电极,且第一下电极直接接触导电区域;一导电支撑底座,位于电容沟槽内,固定并电连接第一下电极及第二下电极的底部;一电容介电层,顺形的设置在第一下电极、第二下电极及导电支撑底座的表面上;以及一电容上电极,设置在电容介电层上。
  • 多层王冠金属绝缘体电容器结构及其制作方法
  • [发明专利]图案形成方法-CN201410319742.0在审
  • 翁文毅;翁子文 - 力晶科技股份有限公司
  • 2014-07-07 - 2015-12-30 - H01L21/02
  • 本发明公开一种图案形成方法,包括下列步骤。提供晶片,晶片包括多个晶片内部管芯与多个晶片边缘管芯。在各晶片内部管芯上形成第一图案,且在各晶片边缘管芯上形成第二图案,其中第一图案的形成方法包括进行至少两次曝光制作工艺,第二图案的形成方法包括进行上述至少两次曝光制作工艺中的至少一次,且形成第二图案所进行的曝光制作工艺次数少于形成第一图案所进行的曝光制作工艺次数。
  • 图案形成方法

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