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[发明专利]基于三维缺陷地结构的串并联混合互连技术-CN201010119903.3无效
发明人：刘海文;史丽云;王杉 -专利权人：华东交通大学
申请日： 2010-03-08 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：一种基于三维缺陷地结构的串并联混合互连技术，所述串并联混合互连技术通过控制缺陷结构上方的微带线的断开与闭合，实现三维缺陷地结构的串联连接和并联连接，采用了接地板集成波导技术。随着缺陷地部分(31、32)上面的微带线(11、12)的断开与闭合，滤波器的传输特性由带通便为带阻特性；通过改变缺陷地的大小，可以控制谐振频率。本发明适用密集的集成电路中使用。
基于三维缺陷结构串并联混合互连技术

[发明专利]一种金属-电介质薄层粘结或涂层结构的界面缺陷检测方法及装置-CN201510128677.8在审
发明人：王成江 -专利权人：三峡大学
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种金属-电介质薄层粘结或涂层结构的界面缺陷检测方法，该方法为：在待测试品两侧施加一定的电场，待测试品上有缺陷的地方将率先出现局部放电现象，通过监测放电信号，可以判断待测试品是否存在缺陷，并进行缺陷定位一种金属-电介质薄层粘结或涂层结构的界面缺陷检测装置，包括带可调高压发生器的高压电极，待测试品的金属面紧贴高压电极，局放监测系统与高压电极电气相连，从高压侧探测缺陷放电信号，接地电极紧贴于待测试品的非金属面本发明提供的一种金属-电介质薄层粘结或涂层结构的界面缺陷检测方法及装置，可以解决薄层结构或涂层的界面缺陷检测困难的问题，检测的可靠性较高，且不会影响或损坏试品的电气及机械性能。
一种金属电介质薄层粘结涂层结构界面缺陷检测方法装置

[发明专利]一种用于复合材料结构超声检测的R角试块及制作方法-CN201811199279.5在审
发明人：吴晓红;张越;杨扬 -专利权人：成都飞机工业（集团）有限责任公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明公开一种用于复合材料结构超声检测的R角试块及制作方法，所述R角试块为一个“R角层压板阶梯”的结构，在五个厚度台阶中中间厚度区和近表厚度区分别预制了人工缺陷，以模拟实际工作中可能自然产生的分层缺陷。人工缺陷缺陷共10个，其中试块外形尺寸为长300mm，两边各宽50mm，R角曲率半径为5mm，缺陷尺寸为3mm×3mm，缺陷呈错位等间隔排布。本发明的R角试块能真实的模拟分层缺陷，可以用于超声检测方法对不同结构、不同厚度整体化复合材料结构检测适用性的验证研究、缺陷的定量评定分析，还可以用于实际工作时对检测设备有效性的验证，从而保证产品质量。
试块复合材料结构超声检测分层缺陷人工缺陷厚度区验证等间隔排布检测设备层压板整体化预制制作错位两边评定检测分析保证研究

[发明专利]半导体缺陷定位的方法-CN201210496240.6有效
发明人：郭贤权;许向辉;顾珍 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：一种半导体缺陷定位的方法，包括：步骤S1：获得半导体缺陷的斑点图像；步骤S2：形成工作台视窗图像；步骤S3：获得边缘反差化斑点图像和边缘反差化工作台视窗图像；步骤S4：将所述边缘反差化斑点图像和所述边缘反差化工作台视窗图像进行匹配，找出缺陷位置和周边结构样貌；步骤S5：将前层结构过滤，并将周边结构样貌之信息导入扫描电子显微镜；步骤S6：将拍摄的半导体缺陷图像和导入的周边结构样貌进行匹配，定义扫描缺陷位置；步骤S7：重复步骤S1～S6，定义最终扫描缺陷位置。本发明无需人工手动调整偏差，可准确、快捷的定位，且避免人工检测中因缺乏经验、缺陷不易被察觉、偏差值过大等因素造成的真实缺陷未能被目检的后果，提高产品良率和稳定性，降低人力成本。
半导体缺陷定位方法

[实用新型]一种用于复合材料结构超声检测的R角试块-CN201821669092.2有效
发明人：吴晓红;张越;杨扬 -专利权人：成都飞机工业（集团）有限责任公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本申请公开一种用于复合材料结构超声检测的R角试块及制作方法，所述R角试块为一个“R角层压板阶梯”的结构，在五个厚度台阶中中间厚度区和近表厚度区分别预制了人工缺陷，以模拟实际工作中可能自然产生的分层缺陷。人工缺陷缺陷共10个，其中试块外形尺寸为长300mm，两边各宽50mm，R角曲率半径为5mm，缺陷尺寸为3mm×3mm，缺陷呈错位等间隔排布。本申请的R角试块能真实的模拟分层缺陷，可以用于超声检测方法对不同结构、不同厚度整体化复合材料结构检测适用性的验证研究、缺陷的定量评定分析，还可以用于实际工作时对检测设备有效性的验证，从而保证产品质量。
试块复合材料结构超声检测分层缺陷人工缺陷厚度区验证等间隔排布检测设备层压板整体化申请预制错位两边评定检测制作分析保证研究

[发明专利]半导体器件的缺陷结构定位方法-CN201710534678.1有效
发明人：崔志强;洪海燕 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的缺陷结构定位方法。定位方法包括：对待测半导体器件进行电学测试，获取第一电性曲线；根据所述第一电性曲线获取缺陷结构所在的异常层；去除位于所述异常层上的部分叠层结构；其中，所述部分叠层结构与所述异常层之间保留预设层数的中间层；采用亮点定位获取所述缺陷结构所在的目标位置区域；对所述缺陷结构进行剖面分析。上述定位方法通过去除位于所述异常层上的部分叠层结构，就可以避免或减轻位于所述异常层上的部分叠层结构(上层结构)对后续的亮点定位分析造成的影响，进而提高缺陷结构定位的精确度，提高分析成功率。
半导体器件缺陷结构定位方法

[实用新型]混凝土面板坝的水下裂缝缺陷修补结构-CN202222711078.7有效
发明人：王浩宇;张帅;冯燕明;周钧;裴海淇;杨姗姗;覃珊珊;蔡卓森;蔡莹冰;周鹏程 -专利权人：中国电建集团昆明勘测设计研究院有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： E02B3/16 文献下载
摘要：混凝土面板坝的水下裂缝缺陷修补结构，属于混凝土面板缺陷修复技术领域，尤其涉及一种适用于混凝土面板坝水下裂缝缺陷修补技术。本实用新型由三个部分构成，分别为加强结构、衔接结构和复合土工膜结构；加强结构位于衔接结构下部，复合土工膜结构覆盖于混凝土面板上，并位于衔接结构之上。本实用新型的修补结构，在不放空库水位条件下，利用环氧混凝土、土工膜双重防渗体系以及混合料加强结构对防渗体系的支撑对混凝土面板水下裂缝缺陷进行水下修补，不仅牢固可靠、修补效果好，而且适用性强，同时避免降水位修补带来的灌溉、发电等效益损失，具有显著的经济社会效益，可在混凝土面板坝水下缺陷修复技术领域广泛推广。
混凝土面板水下裂缝缺陷修补结构

[实用新型]用于高速水流泄洪建筑物结构缝的缺陷处理结构-CN201520907389.8有效
发明人：游湘;周钟;张旻;鲁毅 -专利权人：中国电建集团成都勘测设计研究院有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： E02B3/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种缺陷处理结构，尤其是一种用于高速水流泄洪建筑物结构缝的缺陷处理结构。本实用新型提供了一种修复缺陷结构缝的用于高速水流泄洪建筑物结构缝的缺陷处理结构，包括混凝土体和结构缝，结构缝位于混凝土体的交界处，还包括填充结构，填充结构内填充有填充物，填充结构分成上中下三段，上段的横截面呈矩形，中段的横截面为上小下大的梯形，下段的横截面与结构缝的横截面相同；填充结构的下段与结构缝连通，填充结构的上段开口位于混凝土体的迎水面。利用填充结构来修复有缺陷的结构缝，从而使得混凝土体的迎水面得到修复和防护，避免结构缝在高速水流冲刷下冲蚀和空蚀。
用于高速水流泄洪建筑物结构缺陷处理

[发明专利]感测器封装结构的缺陷检测方法-CN202010014626.3在审
发明人：阮羿澄;陈翰星 -专利权人：胜丽国际股份有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种感测器封装结构的缺陷检测方法，其包括：以一影像撷取设备在一高度方向上分别对一感测器封装结构的至少三个待测区进行对焦与拍摄，并取得每个所述待测区的一缺陷影像，并且多个所述缺陷影像沿着所述高度方向排成一列并且具有不同的灰阶值；将在多个所述缺陷影像中具有最大灰阶值的所述缺陷影像判定为一参考缺陷影像，而其余的任一个所述缺陷影像则定义为一待确认缺陷影像；通过将所述最大灰阶值乘上一预设灰阶值比例以得到一预测灰阶值，并确认所述待确认缺陷影像的所述灰阶值与所述预测灰阶值之间的一差值是否落在一误差范围之内，据以区分位在多个所述待测区上且沿着所述高度方向排列的多个缺陷各是属于假缺陷或是真实缺陷。
感测器封装结构缺陷检测方法

[发明专利]判断晶圆良率损失的方法-CN202010563067.1在审
发明人：赵韦韦;王恺;沈萍 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种判断晶圆良率损失的方法，包括以下步骤：通过晶圆测试来生成晶圆map图；获得所述晶圆表面上的各个缺陷结构，并定义该缺陷结构的坐标；将所述缺陷与晶圆map图对比，根据预设分析方式分析坐标中所述缺陷对良率损失影响本发明可以针对性的分析对良率影响高的缺陷，对缺陷进行针对性的改善，从而可以快速的提高产品的良率。
判断晶圆良率损失方法

[发明专利]一种长输油气管道全缺陷组合超声阵列无损扫查方法-CN201910908718.3在审
发明人：李亚平;徐春广;刘保余;曹旦夫;彭云超;庞平;蔡朝辉;淦邦;韩烨;成文峰;裘冬平;李培禄;侯学瑞;倪广地;马凯军;王萌萌;陈昱含;庄君;袁龙春;丁苏宁 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石化管道储运有限公司;北京理工大学
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： G01N29/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种长输油气管道全缺陷组合超声阵列无损扫查方法，包括阵列扫查组合超声探头装置结构的布置方法和所有类型缺陷的定量方法；其中，阵列扫查组合超声探头装置结构的布置方法和所有类型缺陷的定量方法实现管壁内部的气孔、夹杂和与管轴平行的周向缺陷、管道内外壁腐蚀情况、管壁内部径向和轴向裂纹缺陷的检测与定量。本发明实现管壁内部的气孔、夹杂和与管轴平行的周向缺陷、管道内外壁腐蚀情况、管壁内部径向和轴向裂纹缺陷的检测与定量。
管壁扫查组合超声探头管道内外壁裂纹缺陷周向缺陷装置结构管轴夹杂轴向平行腐蚀长输油气管道组合超声检测无损

[发明专利]一种用于GIS气室内缺陷试验模拟用便捷更换结构-CN202111333837.4在审
发明人：高凯;徐鹏;傅晨钊;田昊洋;任茂鑫;金立军;邓瑾怡;周刚捷 -专利权人：国网上海市电力公司;同济大学;华东电力试验研究院有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于GIS气室内缺陷试验模拟用便捷更换结构，该结构包括弹性绝缘带、设置在绝缘带下表面用以粘贴在导体或绝缘件上的粘性绝缘材料层以及分别与弹性绝缘带配合用以模拟GIS内导体及绝缘件表面附着金属颗粒缺陷的金属颗粒、用以模拟GIS内导体及绝缘件表面毛刺尖端放电缺陷的金属尖端以及用以悬浮体缺陷的金属悬浮片，与现有技术相比，本发明具有模拟多种缺陷、降低气室内缺陷局部放电模拟试验误差、布置简单、缺陷安置准确、类型更换便捷等优点
一种用于 gis 室内缺陷试验模拟便捷更换结构

[发明专利]在光学记录介质上记录数据的方法-CN200810081211.7有效
发明人：黄盛凞;高祯完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-04-14 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G11B20/18 文献下载
摘要：提供一种在光学记录介质上记录数据的方法，所述光学记录介质包括导入区、数据区、导出区、临时缺陷管理区以及缺陷管理区，所述方法包括：选择缺陷管理开/关模式，所述缺陷管理开/关模式允许记录设备识别在数据被记录到所述记录介质中的同时缺陷管理是否将被执行；将临时盘定义结构记录在设置于导入区或导出区中的临时缺陷管理区中，所述临时盘定义结构包括在缺陷管理开/关模式被选择之后在数据区中分配的备用区的大小的信息。
光学记录介质数据方法

[发明专利]缺陷检测分类方法、装置、电子设备及存储介质-CN202011633792.8在审
发明人：蔡东佐;林子甄;郭锦斌;简士超 -专利权人：富泰华工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及图像检测领域，提供一种缺陷检测分类方法、装置、电子设备及存储介质。所述方法包括：将待检测图像输入至训练好的自编码器，获得与所述待检测图像对应的重构图像；基于过滤小噪声重构误差的缺陷判断准则，判断所述待检测图像是否存在缺陷；当判定所述待检测图像存在缺陷时，分别计算所述待检测图像与多个标记缺陷类别的范本图像的结构相似性数值，确定最高的结构相似性数值对应的范本图像所标记的缺陷类别，将所述待检测图像分类至所确定的缺陷类别。本发明可提高对图像进行缺陷检测和分类的效率。
缺陷检测分类方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种利用缺陷调控法制备锂离子电池电极材料的方法-CN201710671250.1在审
发明人：徐友龙;孙孝飞 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：一种利用缺陷调控法制备锂离子电池电极材料的方法，在制备锂离子电池电极材料的过程中，利用“制造结构缺陷—再部分修复缺陷”的思路引入结构缺陷设计，通过调控材料结构缺陷来增加材料中电子和离子的迁移率从而实现改性其电化学性能缺陷调控法操作简单，与现有生产工艺兼容，易于移植，便于推广到多种材料体系甚至负极材料中，是一种非常有前景的实用化锂离子电池电极材料制造方法。
一种利用缺陷调控法制锂离子电池电极材料方法