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[发明专利]磁性随机存取存储器-CN201710454316.1有效
发明人：金灿景;姜东锡;金惠珍;朴哲佑;孙东贤;李润相;姜尚范;吴泂录;车秀镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开了一种磁性随机存取存储器(MRAM)、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
磁性随机存取存储器

[发明专利]磁性随机存取存储器-CN201310185288.X有效
发明人：金灿景;姜东锡;金惠珍;朴哲佑;孙东贤;李润相;姜尚范;吴泂录;车秀镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开了一种磁性随机存取存储器（MRAM）、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
磁性随机存取存储器

[发明专利]半导体存储器装置和相关的操作方法-CN201310215130.2无效
发明人：李润相;姜东锡;姜尚范;金燦景;朴哲佑;孙东贤;吴泂录 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了半导体存储器装置和相关的操作方法。一种半导体存储器装置包括单元阵列，该单元阵列包括一个或多个存储体组，其中，该一个或多个存储体组的每一个包括多个存储体，并且该多个存储体的每一个包括多个自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)单元。该半导体存储器装置进一步包括：源极电压生成部件，用于向连接到该多个STT-MRAM单元的该每一个的源极线施加电压；以及命令解码器，用于解码来自外部来源的命令，以便对于该多个STT-MRAM单元执行读取和写入操作。该命令包括行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)、芯片选择信号(CS)、写入启用信号(WE)和时钟启用信号(CKE)中的至少一个信号的组合。
半导体存储器装置相关操作方法

[发明专利]包括硫族化物材料的一次可编程器件及其操作方法-CN200710127820.7无效
发明人：郑椙旭;孔晙赫;吴泂录 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-07-03 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：提出了一种对一次可编程器件进行编程的方法。将衬底中设置的开关器件导通，并且向与开关器件电连接的熔丝施加编程电流从而切断熔丝。所述熔丝包括：第一电极，与开关器件相连；第二电极，与第一电极间隔开；以及硫族化物图案，设置在第一电极与第二电极之间。还公开了相关的一次可编程器件、相变存储器件和电子系统。
包括硫族化物材料一次可编程器件及其操作方法

[发明专利]相可变存储器件及其读取方法-CN200610163200.4有效
发明人：赵佑荣;崔炳吉;金杜应;吴泂录;赵柏衡;鲁有桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-29 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：公开了一种相可变存储器件以及读取数据的相关方法。存储器件由存储单元、高电压电路、预充电电路、偏置电路、以及读出放大器组成。每一个存储单元包括相可变材料和与位线相连的二极管。高电压电路根据电源提供高电压。预充电电路在将位线充电到电源电压之后，将位线升高到高电压。偏置电路借助于高电压向位线提供读取电流。读出放大器借助于高电压将位线的电压与基准电压相比较，并且从存储单元读取数据。存储器件能够减少预充电操作期间高电压电路的负荷，从而确保在读出期间足够的读出裕度。
可变存储器件及其读取方法

[发明专利]相变随机存取存储器及控制其读取操作的方法-CN200610172989.X无效
发明人： 吴泂录;朴茂熙;金杜应 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-10-16 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：提供相变随机存取存储器，其包括：包含多个相变存储单元的存储器阵列；和分别连接到相变存储单元的字线，其中在读取操作中，连接到所选相变存储单元的字线的电压在至少两个具有不同电压电平的电压级之间转换。
相变随机存取存储器控制读取操作方法

[发明专利]随机存取存储器、升压电荷泵和产生写驱动电压的方法-CN200610159878.5有效
发明人：姜尚范;金杜应;吴泂录;李光振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种相变随机存取存储器，包括存储器单元阵列块，该阵列块包括多个相变存储器单元、列译码器和行译码器、列选择器和写驱动器。该存储器还包括写升压单元，该单元具有用于升高第一电压来产生用于驱动写驱动器的写驱动电压的多个内部电荷泵，其中根据在写操作期间选择的相变存储器单元的数量来改变在写操作期间激活的内部电荷泵的数量。该存储器还包括用于升高第一电压来产生用于驱动列译码器的列驱动电压的列升压单元，和用于升高第一电压来产生用于驱动行译码器的行驱动电压的行升压单元。
随机存取存储器升压电荷产生驱动电压方法

[发明专利]半导体存储器件中的布设结构及其布设方法-CN200610075344.4有效
发明人： 吴泂录;姜尚范;金杜应 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-04-10 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种具有分级结构的半导体存储器件中的线布设结构和方法。在具有全局字线和局部字线、以及全局位线和局部位线的半导体存储器件中，所有的全局字线、局部字线、全局位线和局部位线分别设置在至少三层之中的导电层处；全局字线、局部字线、全局位线和局部位线中的至少两种一起平行设置在一层导电层上。构成半导体存储器件的信号线设置在分级结构中，由此可以获得有利地具有高集成度、高速度和高性能的半导体存储器件。
半导体存储器件中的布设结构及其方法

[发明专利]有增强的位线和/或字线驱动能力的非易失性存储器设备-CN200610071461.3有效
发明人：赵栢衡;金杜应;郭忠根;赵佑荣;吴泂录 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-03-24 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变随机存取存储器(PRAM)设备，其包括多个行和列的PRAM存储器单元以及至少一个电耦合到一列PRAM存储器单元的局部位线。第一和第二位线选择电路被提供来提高可以使用位线信号来存取和驱动至少一条局部位线的速率。这些第一和第二位线选择电路被配置成在从该列中的所选一个PRAM存储器单元读取数据的操作期间将至少一条局部位线的第一和第二末端电连接到总位线。
增强驱动能力非易失性存储器设备

[发明专利]具有多位单元阵列结构的磁阻随机存取存储器-CN200510003456.4有效
发明人：金惠珍;赵佑荣;吴泂录 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多位单元阵列结构的磁随机存取存储器(RAM)，其包括形成在衬底上的访问晶体管、第一至第三可变电阻元件和第一至第三电流供给线。该第一至第三可变电阻元件布置在位线和访问晶体管之间并且在电气上彼此相连。该第一至第三电流供给线与该第一至第三可变电阻元件交替堆叠。该第一至第三可变电阻元件具有相同的电阻。
具有单元阵列结构磁阻随机存取存储器

[发明专利]存储单元阵列偏置方法以及半导体存储器件-CN200610005029.4有效
发明人：赵栢衡;金杜应;郭忠根;姜尚范;赵佑荣;吴泂录 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： G11C11/4197 文献下载
摘要：提供了一种在数据写入操作期间偏置存储单元阵列的方法和一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元，其中，存储单元的第一端连接到多条第一线中的对应第一线，且存储单元的第二端连接到多条第二线中的对应第二线；以及偏置电路，用于将选择的第二线偏置到第一电压，并且将未被选择的第二线偏置到第二电压。
存储单元阵列偏置方法以及半导体器件

[发明专利]高密度的相随机存取存储器-CN200410046553.7有效
发明人： 吴泂录;赵栢衡;金杜应;赵佑荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-06-02 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种包括多个存取晶体管和由多个存取晶体管共享的可变相薄膜的相随机存取存储器，每个存取晶体管包括漏极区。可变相薄膜通过第一电极连接到位线，并且通过多个第二电极中的至少一个连接到每个对应的漏极区。
高密度相随存取存储器

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