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[发明专利]3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法-CN201510919533.4有效
发明人：李亮;田维;武芳丽 -专利权人：苏州大学
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C25B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法，该异质结光电极材料由氧化铜(CuO)与氧化锌(ZnO)复合而成，该异质结光电极材料呈三维立体分枝状结构，该制备方法为在氧化铜纳米棒上合成氧化锌分枝状纳米棒，形成一个树枝状纳米结构，制备出3D分枝状半导体纳米异质结光阴极，这种电极，可以有效增加对太阳光的吸收，加速电子空穴对的有效分离，从而减少它们的复合并促进电荷的传输，优化传统单一半导体电极光电化转换效率
分枝状异质结光电极材料制备半导体纳米氧化锌树枝状复合空穴氧化铜纳米环境友好加速电子纳米结构三维立体有效分离转换效率电荷电极光解水光阴极纳米棒太阳光氧化铜电化半导体合成传输吸收应用优化

[发明专利]一种苦瓜状BiVO4/BiPO4异质结光催化材料及其制备方法和应用-CN201610160553.2有效
发明人：闫云辉;周建国;赵凤英;赵晓华;杜锦阁;李莉;刘林霞 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： B01J27/198 文献下载
摘要：本发明公开了一种苦瓜状BiVO4/BiPO4异质结光催化材料及其制备方法和应用，属于光催化材料技术领域。本发明的技术方案要点为一种苦瓜状BiVO4/BiPO4异质结光催化材料，是由粒径为20‑30nm的单斜白钨矿型BiVO4纳米晶和粒径为40‑50nm的单斜相独居石结构BiPO4纳米晶组成的长椭球形异质结颗粒本发明还具体公开了该苦瓜状BiVO4/BiPO4异质结光催化材料的制备方法和应用。本发明采用共沉淀水热法一步合成苦瓜状BiVO4/BiPO4异质结光催化材料，其具有接触良好的界面，利于光生载流子更好的分离；具有较大的比表面积，表现出较高的可见光光催化性能。
一种苦瓜 bivo sub bipo 异质结光催化材料及其制备方法应用

[发明专利]一种棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备方法-CN201911112204.3在审
发明人：李忠玉;张彤彤;孙卓;梁倩;周满;徐松 -专利权人：常州大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： B01J27/047 文献下载
摘要：本发明涉及一种棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备方法，包括步骤：硫化镉纳米棒的制备、钨酸铋的制备和棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备。本发明的有益效果是：该制备方法较为简单，制备条件容易控制，所制备的棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料具有无二次污染，光催化活性较好等优点，具有一定的应用价值。
一种硫化复合钨酸铋型异质结光催化材料制备方法

[发明专利]电容器、其制造方法及其使用方法-CN202310733657.8在审
发明人：马俊;邹文松 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明提供了一种电容器、其制造方法及其使用方法，电容器包括承载结构、异质结堆叠结构、第一电极和第二电极，异质结堆叠结构连接于承载结构，异质结堆叠结构包括多个相互层叠的异质结，每一异质结包括势垒层和沟道层，同一异质结中：势垒层和沟道层相互层叠从而在沟道层中形成二维电子气，沟道层位于势垒层背对承载结构的一侧；第一电极和第二电极连接于异质结堆叠结构背对承载结构的一侧表面；异质结堆叠结构还可以具有鳍状结构。
电容器制造方法及其使用方法

[发明专利]异质结薄膜、HF气敏半导体组件、制备方法和应用-CN202310913938.1在审
发明人：谭则杰;李鹏;田兵;樊小鹏;李立浧;韦杰;徐振恒;王志明;聂少雄 -专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01N27/16 文献下载
摘要：本申请涉及一种异质结薄膜、HF气敏半导体组件、制备方法和应用。该异质结薄膜包括InSbO3和SnS2构成的纳米棒状异质结结构，其中，在纳米棒状异质结结构中，InSbO异质结薄膜制备方法包括以下步骤：制备包含铟盐、锑盐和第一有机溶剂的前驱体A溶液，进行第一次水热反应，洗涤固体产物I，进行干燥和第一次烧结，生成InSbO3半导体物质半导体物质与包含锡盐和含硫添加剂的前驱体B溶液进行第二次水热反应，洗涤固体产物Ⅱ并干燥，形成InSbO3和SnS2构成的纳米棒状异质结结构该异质结薄膜具有较好的气敏特性且制备方法简单。
异质结薄膜 hf 半导体组件制备方法应用

[发明专利]花瓣状硫化镉氮化碳异质结纳米材料及其制备方法-CN201810135604.5在审
发明人：曹俊涛;刘洋;曾萍;王辉;董予翔;刘彦明 -专利权人：信阳师范学院
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明属于化合物制备技术领域，公开了一种花瓣状硫化镉/氮化碳异质结纳米材料，包括硫化镉和氮化碳，所述硫化镉为花瓣状硫化镉，所述氮化碳紧密地附着在花瓣状硫化镉表面形成异质结构，其光电活性优于单一的硫化镉或者氮化碳本发明采用固相反应法，将石墨型氮化碳附着在花瓣状硫化镉上，制备出花瓣状硫化镉/氮化碳异质结纳米材料，具有简单、快捷、重现好等优点。
硫化镉氮化碳花瓣状纳米材料异质结附着制备石墨型氮化碳固相反应法化合物制备表面形成光电活性异质结构重现

[发明专利]双金属硫化物异质结修饰隔膜及其制备方法和应用-CN202211441501.4在审
发明人：郭大营;王锦毅;陈锡安 -专利权人：温州大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01M50/451 文献下载
摘要：本发明双金属硫化物异质结修饰隔膜及其制备方法和应用，其技术方案是由一步水热法合成具有NiS2‑WS2异质结纳米片自组装构筑三维花状结构的双金属硫化物异质结材料；然后将双金属硫化物异质结材料制成浆料均匀涂覆在商业聚合物隔膜一侧表面，最终制得双金属硫化物异质结修饰隔膜，并应用在锂硫电池；本发明的双金属硫化物异质结修饰隔膜中的NiS2‑WS2异质结能够改善界面活性，增加表面催化活性位点，优化对多硫化物的吸附能力并促进催化转化，从而有效提高锂硫电池的倍率性能与循环稳定性能。
双金属硫化物异质结修饰隔膜及其制备方法应用

[发明专利]氧空位修饰的花状NiFe2-CN202310183101.6在审
发明人：陈燕;杨振宇;杨建栋;张文慧;林丰;付乌有 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B01J23/80 文献下载
摘要：本发明的氧空位修饰的花状NiFe2O4/ZnO异质结材料的制备方法及用途属于光催化材料制备的技术领域，首先用水热法制备结晶ZnO，然后将所得到的结晶ZnO与硝酸铁、硝酸镍采用共沉积法制备得到花状NiFe2O4/ZnO异质结材料；所制备的花状NiFe2O4/ZnO异质结材料可以作为催化剂用于光催化降解EE2或还原6价铬离子污染物原液。本发明首次合成出氧空位修饰的花状NiFe2O4/ZnO异质结材料，具有表面粗糙、比表面积较大、活性位点高等特点。本发明为进一步研究NiFe2O4/ZnO异质结复合材料在降解污染物方面的应用奠定了基础。
空位修饰 nife base sub

[发明专利]蒲公英状核壳结构Au@ZnO异质结光催化剂的制备方法-CN201310400997.5有效
发明人：秦瑶;杨金虎;金超;李影;李杰;时东陆 -专利权人：同济大学
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： B01J23/60 文献下载
摘要：本发明涉及蒲公英状核壳结构Au@ZnO异质结光催化剂的制备方法，在水溶液中，通过种子生长法得到以金纳米颗粒为内核，氧化锌纳米棒呈发散状生长在金核周围的蒲公英状的高级结构Au@ZnO异质结材料。与现有技术相比，本发明通过异质结构种子诱导首次在温和的水溶液体系中得到了Au纳米颗粒在里面ZnO在外面的高级核壳Au@ZnO异质结催化剂，这种结构使该材料具有稳定高效的光催化性能，制备方法简单、可重复性好
蒲公英状核壳结构 au zno 异质结光催化剂制备方法

[发明专利]花状氧化银/碳酸氧铋异质结及其制备方法和应用-CN202110786992.5有效
发明人：林元华;丁军平;许于帅 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B01J27/232 文献下载
摘要：本发明公开了一种花状Ag2O/Bi2O2CO3异质结及其制备方法和应用。:Sub>CO3混合均匀，在氮气气氛下煅烧，冷却，得到花状Ag2O/Bi2O2CO3异质结。本发明所述异质结的光生载流子分离和迁移效率高，具有很好的光吸收性能，所述异质结能够实现气相苯系物的高效光催化净化，本发明具有制备简单、环境友好、能耗低、成本廉的优点。
氧化银碳酸氧铋异质结及其制备方法应用

[发明专利]一种爆米花状ZnFe2-CN202110123748.0在审
发明人：李绍元;陶继尧;马文会;吴鉴;苗志超;刘琳;王飞;于洁;万小涵;魏奎先;伍继君 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： B01J27/043 文献下载
摘要：本发明涉及一种爆米花状ZnFe2O4/CdS/GO异质结光催化剂的制备方法，属于纳米催化剂技术领域。>O4纳米球为基底，循环进行镉离子吸附和硫化处理得到ZnFe2O4/CdS异质结光催化剂，再将ZnFe2O4/CdS异质结光催化剂与氧化石墨烯水热反应得到爆米花状ZnFe2O4/CdS/GO异质结光催化剂。制备方法具廉价、绿色，ZnFe2O4/CdS/GO异质结光催化剂具有良好的应用前景。
一种爆米花 znfe base sub

[发明专利]一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构-CN202210577918.7在审
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅异质结太阳电池技术领域，尤其涉及一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构。本发明提供了一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构，包括依次层叠设置的晶硅衬底和界面钝化层；在所述界面钝化层的表面进行线状选区设置载流子选择性接触表面场层，未设置载流子选择性接触表面场层的区域设置电学隔离层；所述载流子选择性接触表面场层能够取出所述晶硅衬底中的多子；所述载流子选择性接触表面场层的表面设置透明导电电极层；所述电学隔离层和透明导电电极层的表面设置栅状金属电极；所述栅状金属电极的栅线取向与所述透明导电电极层的线取向相垂直所述晶硅异质结太阳电池的迎光面结构可以很好的提高晶硅异质结太阳电池的短路电流密度。
一种晶硅异质结太阳电池光面结构

[发明专利]一种制备二维纳米材料同质结和异质结的方法-CN202310269326.3在审
发明人：陈瑶瑶;张钰;张全震;刘立巍;王业亮 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备二维纳米材料同质结和异质结的方法,首先利用分子束外延技术在超润滑基底上生长高质量的单层岛状二维材料，其次利用扫描隧道显微镜的针尖操纵技术,并采用平面拼接和层间堆叠这两种方式中的任意一种方式对二维材料进行处理，以在纳米尺度上实现对同质结和异质结的可控制备。本发明流程简单，能改良现有的同质结和异质结制备方法，获得高质量、无污染、界面原子结构精准可控、层间转角精确可调的二维材料同质结和异质结样品，适于推广应用。
一种制备二维纳米材料同质异质结方法

[发明专利]一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池-CN201610822290.7有效
发明人：高超;黄海宾;周浪;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池。包括前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、p型晶体硅重掺杂层、钝化层、金属栅状电极。其结构从迎光面开始依次为前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、p型晶体硅重掺杂层、钝化层、金属栅状电极。迎光面使用n型掺杂的TiOx与晶体硅形成异质结，而背面使用基于扩散的传统晶体硅制备工艺。TiOx可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压和转换效率。背面传统的晶体硅制备工艺可充分利用现有晶体硅太阳电池生产设备。
一种基于 si tiox 异质结双面晶体太阳电池

[实用新型]一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池-CN201621054523.5有效
发明人：高超;黄海宾;周浪;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池。包括前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、p型晶体硅重掺杂层、钝化层、金属栅状电极。其结构从迎光面开始依次为前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、p型晶体硅重掺杂层、钝化层、金属栅状电极。迎光面使用n型掺杂的TiOx与晶体硅形成异质结，而背面使用基于扩散的传统晶体硅制备工艺。TiOx可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压和转换效率。背面传统的晶体硅制备工艺可充分利用现有晶体硅太阳电池生产设备。
一种基于 si tiox 异质结双面晶体太阳电池

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