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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]真空处理装置及真空处理方法-CN201280011137.6无效
发明人：佐竹彻 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明提供一种真空处理装置及真空处理方法，对照射对象物体照射电子束并加热，使照射对象物体中包含的特定成分气化，同时能够知道照射对象物体中包含的杂质的浓度。真空处理装置具有：真空槽（11）；以及电子枪（20），对配置在真空槽（11）内的照射对象物体照射电子束并加热，使上述照射对象物体中包含的特定成分气化，其中，具有：X射线测定装置（62），测定既定的能量范围内的X射线的能量和强度的关系；以及衰减过滤器（61），借助电子束的照射而从照射对象物体（50）放出的X射线入射，使入射的X射线衰减并通过并向X射线测定装置（62）入射。
真空处理装置方法

[发明专利]制造有机聚硅氧烷硬化物的方法、有机聚硅氧烷硬化物、叠层体、及光学零件-CN201880067333.2有效
发明人：吉武诚 -专利权人：陶氏东丽株式会社
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明是一种制造有机聚硅氧烷硬化物的方法，其包括如下工序：工序(i)：针对含有不照射高能量线而在本组合物中显示活性的第一硅氢化反应用催化剂，及如果不照射高能量线则不显示活性，但通过照射高能量线而在本组合物中显示活性的第二硅氢化反应用催化剂的组合物，不照射高能量线而使之进行硅氢化反应，获得在室温下具有流动性的稠化体或在室温下为非流动性但在100℃下显示流动性的热塑体；及工序(ii)：对所述工序(i)中所获得的稠化体或热塑体照射高能量线而获得硬化物
制造有机聚硅氧烷硬化方法叠层体光学零件

[发明专利]使用非接触型可重写感热式标签记录和擦除图象的方法-CN200310123116.6无效
发明人：月田达也;歌川哲之;川田智史 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2003-12-17 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： B41M5/30 文献下载
摘要：在标签表面的情况下用于记录的激光的吸收率为50％或更大，为记录而照射标签表面的激光具有700到1500纳米的波长和5.0到15.0毫焦耳/毫米²的照射能量，在记录期间激光的照射能量和激光的吸收率的乘积为3.0到14.0毫焦耳/毫米²，以及在擦除期间激光的照射能量和在标签表面的情况下激光的吸收率的乘积是在记录期间相应的乘积的1.1到3.0倍。
使用接触重写感热式标签记录擦除图象方法

[发明专利]一种半导体阵列式激光能量叠加照射装置-CN200610124621.6无效
发明人：李江;陈华春;李松 -专利权人：南宁松景天伦生物科技有限公司
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： A61N5/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体阵列式激光能量叠加照射装置，它包括激光管，其特征在于还包括：按2×3、2×4或2×5阵列排列设置多个激光管，并使相对应两个一对的激光管所产生的光斑有序重叠的凹形腔体。本发明的半导体激光能量叠加照射装置为激光治疗仪的一部分，接通驱动电路即可使半导体激光器工作，可以有效增加动脉血管表体处激光照射单位面积的能量，提高激光治疗仪的照射效果。
一种半导体阵列激光能量叠加照射装置

[发明专利]焊接构造体的对焊接头及其制造方法-CN201080054324.3无效
发明人：石川忠;本间竜一;市川和利 -专利权人：新日本制铁株式会社
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： B23K31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种焊接构造体的对焊接头（1A），具备：一对被焊接金属材（11A）；焊缝（12A），通过对上述一对被焊接金属材（11A）之间的对接部分照射第1高能量密度束而形成，照射侧的表面上的宽度是W；变质带（13A），通过向对焊接头（1A）的上述第1高能量密度束照射侧的表面照射第2高能量密度束而形成在上述表面上，具有与上述焊缝平行的带形状，为分别位于比上述焊缝的宽度方向中央靠左侧和右侧的一对，仅由热影响部和熔融凝固金属构成
焊接构造及其制造方法

[发明专利]处理装置、处理方法、计算机程序、记录媒体及控制装置-CN201980011153.7在审
发明人：松田壮史;长坂博之;白石雅之;江上茂树;山本岳洋 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： B29C64/153 文献下载
摘要：处理装置具备：将能量束照射至照射位置的照射装置、以及对上述照射位置供给材料的供给装置；并且使上述照射位置从第1物体上的第1位置移动至远离上述第1物体的第2位置而形成造形物。
处理装置方法计算机程序记录媒体控制

[发明专利]光能量矫正术-CN200510066570.1无效
发明人：张淑梅 -专利权人：张淑梅
申请日： 2005-04-28 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： A61F9/007 文献下载
摘要：一种光能量矫正术，包括：重睑形态定位：利用可试调光，在光能量作用下，按照标准，对重睑的形态进行定位；能量定位及焦距定位：在光照射及所具有的能量光作用下，定位光的参数，光密度可调，考虑被皮肤吸收的能量参数进行计算，并需要根据年龄、皮肤的厚薄及皮下脂肪的多少和不同来调整定位标准，确认无误后操作；光照角度定位：利用光照射的角度，决定矫正术的形态及睫毛上翘的程度；时间定位：在局部麻醉下光能量一次性以点状形式将表皮及皮下组织照射令到眼轮砸肌与睫板结合
能量矫正

[发明专利]造型系统、造型方法及计算机程序-CN202211167553.7在审
发明人：上野和树 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B22F12/00 文献下载
摘要：本发明提供一种造型系统、造型方法、计算机程序、记录媒体及控制装置，造型系统具备：造型装置，其进行造型处理，即，借由一面利用照射系统向对象物照射能量束，一面利用供给系统对能量束的照射区域供给造型材料而形成造型物；以及变更装置，其可变更能量束与对象物的相对位置；并且使对象物的第1区域所进行的造型处理的条件、与对象物的第2区域所进行的造型处理的条件不同。
造型系统方法计算机程序

[发明专利]造型系统-CN201880080527.6有效
发明人：上野和树 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： B23K26/34 文献下载
摘要：本发明提供一种造型系统、造型方法、计算机程序、记录媒体及控制装置，造型系统具备：造型装置，其进行造型处理，即，借由一面利用照射系统向对象物照射能量束，一面利用供给系统对能量束的照射区域供给造型材料而形成造型物；以及变更装置，其可变更能量束与对象物的相对位置；并且使对象物的第1区域所进行的造型处理的条件、与对象物的第2区域所进行的造型处理的条件不同。
造型系统

[外观设计]紫外能量计-CN202030550607.3有效
发明人：黄智达 -专利权人：深圳市致佳仪器设备有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： 10-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：紫外能量计。2.本外观设计产品的用途：用于检测温度和光线能量强度的检测仪器或测量仪器，用于检测紫外线等照射光线或照射光波的光照强度或光照能量等。
紫外量计

[发明专利]加工系统以及加工方法-CN201980096037.X在审
发明人：川井秀实 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： B23K26/70 文献下载
摘要：加工系统具有：壳体(6)，其在内部收纳物体(W)，该壳体(6)形成有能够供光通过的部分(62)；照射装置(211)，其照射对物体进行加工的加工光束(PL)；第1部件(651)，经由所述部分而朝向壳体的外部的来自照射装置的能量光束(EL)入射到该第1部件(651)；以及第2部件(652)，通过了第1部件的能量光束入射到该第2部件(652)，第1部件降低入射到第1部件的能量光束的强度，第2部件降低从第1部件入射到第2部件的能量光束的强度
加工系统以及方法

[发明专利]有机聚硅氧烷组合物、以及由其制作的半硬化物及硬化物-CN201880063874.8在审
发明人：吉武诚 -专利权人：陶氏东丽株式会社
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明提供一种硅氢化反应性组合物、以及使用其所获得的半硬化物及硬化物，该硅氢化反应性组合物在常温下具有充分的可使用时间，并且能够通过高能量射线照射而低温硬化，硬化中途的半硬化物稳定。本发明的组合物含有：(A)一分子中含有至少一个脂肪族不饱和一价烃基的化合物、(B)一分子中含有至少两个与硅原子键结的氢原子的化合物、(C)不照射高能量射线而在组合物中显示活性的第一硅氢化催化剂、及(D)若无高能量射线的照射便不显示活性但通过照射高能量射线而在组合物中显示活性的第二硅氢化催化剂。
有机聚硅氧烷组合以及制作硬化

[发明专利]一种半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法-CN200810103523.3有效
发明人：连贵君;熊光成;康香宁;张国义 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-04-08 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶蓝宝石支撑的准悬浮半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法，属于氮化镓衬底技术领域，该方法包括：采用紫外激光束由蓝宝石衬底处入射，照射蓝宝石衬底上的GaN外延薄膜；调整激光束能量密度，使照射到GaN外延薄膜上的激光束形成能量密度不同的阵列图形；照射能量密度高的GaN外延薄膜部分与蓝宝石衬底发生无损伤剥离，照射能量密度低的GaN外延薄膜部分仍然与蓝宝石衬底连接，制得准悬浮的半导体氮化镓外延薄膜衬底
一种半导体氮化外延薄膜衬底制备方法

[发明专利]光子计数CT装置以及估计受辐射量计算方法-CN201580047513.0有效
发明人：小岛进一;山川惠介 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：在光子计数CT装置中，与被照射的X射线的能谱形状无关，以简易的构成来高精度地估计被摄体的受辐射量。预先获得每个给定的能量范围的给定的强度的X射线所引起的受辐射量，并作为能带单位受辐射量数据来保持。若设定了拍摄条件，则根据设定的拍摄条件来照射，作为在无被摄体的状态下入射到检测器的X射线的能谱，获得每个能量范围的入射X射线的光子数(强度)。按照每个能量范围，将入射X射线的强度与能带单位受辐射量数据相乘，并将该结果关于整个能量范围来求和。由此来估计根据设定的拍摄条件而照射的照射X射线所引起的受辐射量。
光子计数 ct 装置以及估计辐射量计算方法

[发明专利]用于成像断层造影的方法和装置-CN200680026890.7有效
发明人： O·蒂深科;徐源;C·赫申 -专利权人： GSF－环境与健康研究中心有限公司;由高等教育局代表的俄勒冈大学代表的俄勒冈州
申请日： 2006-05-19 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： G06T11/00 文献下载
摘要：一种用于对物体(1)的研究区域(2)进行成像的方法，包括以下步骤：以沿着多个投影方向的至少一个能量输入波束(3)照射研究区域(2)，其中，所述至少一个能量输入波束(3)包括多个独立的能量输入波束成分，其中，将所述能量输入波束(3)形成为，使得所述能量输入波束成分中的至少两个具有不同的横截面，平行于所述多个投影方向之一的多个平行能量输入波束成分(5.1、5.2、5.3、…)的组(5)提供对研究区域(2)的连续照射
用于成像断层造影方法装置

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