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[发明专利]一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN201410409636.1有效
发明人：张启龙;周珏辉;刘进壮;杨辉 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明属于材料科学领域，旨在提供一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明中温烧结低介微波介质陶瓷材料的化学表达式为(1-x)Mg₂SnO₄–xLFV，其中：复合烧结助剂LFV为LiF-Fe₂O_{本发明的有益效果是：加入复合烧结助剂LFV，在陶瓷烧结过程中助剂熔化，形成液相，同时Fe离子进入Mg₂SnO₄晶格，共同促进烧结传质过程，显著降低Mg₂SnO₄陶瓷材料的烧结温度，可在1025-1075℃下致密烧结。}
一种烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种AlON透明陶瓷伪烧结剂与应用及透明陶瓷的制备方法-CN202011295269.9有效
发明人：卢铁城;冯钊;齐建起;黄旭;陈丹;廖志君;承刚 -专利权人：四川大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明公开了AlON透明陶瓷伪烧结剂与应用及透明陶瓷的制备方法，属于一种不需要添加烧结助剂通过快速无压烧结制备AlON透明陶瓷的新技术。本发明中所述的伪烧结剂为Al2O3，具体为γ‑Al2O3粉体经球磨细化处理后，通过添加一定量γ‑Al2O3均匀混合后干压成型制备AlON陶瓷生坯，生坯经冷等静压后采用快速无压烧结的方法即可获得高透明的本发明方法有效避免了作为烧结助剂的杂质对AlON陶瓷本身的物理化学性质的破坏和传统掺杂烧结工艺对烧结助剂量敏感造成的不稳定性，且所得AlON透明陶瓷的光学透过率可高达81％以上。
一种 alon 透明陶瓷烧结应用制备方法

[发明专利]氧化锆增韧氧化铝陶瓷的低温液相烧结的方法-CN02111742.X无效
发明人：黄晓巍;黄校先;王士维 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2002-05-17 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化锆增韧氧化铝陶瓷的低温液相烧结方法。其特征在于用TiO₂、MnO₂和CaO-Al₂O₃-SiO₂玻璃作为复合烧结助剂，于1350-1420℃保温2小时烧结，可获得强度为422～619MPa，韧性为5.24～7.15MPam^1/2的致密烧结体。引入的复合烧结助剂的添加量(外加)分别为ZTA的0.5～2wt％，0.5～2wt％和0.5～3wt％；另一个特征是添加的复合烧结助剂和3Y-TZP与Al₂O₃该方法不仅显著降低了氧化锆增韧氧化铝陶瓷的烧结温度，其力学性能与高温固相烧结相当；同时对粉料、设备均无特别要求，采用一般的精细陶瓷制备工艺和设备，因而工艺步骤简单，适合于工业化生产。
氧化锆氧化铝陶瓷低温烧结方法

[发明专利]氮化硼烧结体、复合体及它们的制造方法、以及散热构件-CN202180022035.3在审
发明人：武田真;五十岚厚树 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C04B35/583 文献下载
摘要：本发明提供氮化硼烧结体，其为包含氮化硼粒子和气孔的氮化硼烧结体，且压缩弹性模量为1GPa以上。还提供氮化硼烧结体的制造方法，其具有：氮化工序，将碳化硼粉末在氮气氛下进行烧成而得到包含碳氮化硼的烧成物；和烧结工序，进行包含烧成物和烧结助剂的配合物的成型及加热，从而得到包含氮化硼粒子和气孔的氮化硼烧结体，烧结助剂含有硼化合物及钙化合物，相对于烧成物100质量份而言，配合物包含合计1～20质量份的、硼化合物及钙化合物。
氮化烧结复合体它们制造方法以及散热构件

[发明专利]一种烧结生产用混合水预处理方法-CN202011310822.1在审
发明人：杨淑兰 -专利权人：潍坊海扬磁水处理设备有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种烧结生产用混合水预处理方法，包括如下步骤，将水通过催化磁水处理器进行磁化处理，形成磁化水；在磁化水中混合加入MBC‑Z型功能性助剂，MBC‑Z型功能性助剂为水溶液，其浓度控制在30％～50％之间；混合水喷加到一次混料机内的烧结混合料中。本发明改善了烧结料混合、造粒效果，降低了混合料含水量、强化了焦粉煤粉燃烧反应、提高了烧结料层透气性，从而实现提高烧结矿产量、降低烧结矿固体燃料消耗的目的。
一种烧结生产混合预处理方法

[发明专利]氮化硼烧结体、复合体及它们的制造方法、以及散热构件-CN202180017371.9在审
发明人：武田真;五十岚厚树 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C04B35/5835 文献下载
摘要：本发明提供氮化硼烧结体，其包含氮化硼粒子和气孔，其中，气孔的平均细孔径小于2μm。本发明提供氮化硼烧结体的制造方法，其具有：氮化工序，将碳化硼粉末在氮加压气氛下进行烧成而得到包含碳氮化硼的烧成物；烧结工序，进行包含烧成物和烧结助剂的配合物的成型及加热而得到包含氮化硼粒子和气孔的氮化硼烧结体，烧结助剂含有硼的氧化物及碳酸钙，相对于烧成物100质量份，配合物包含硼化合物及钙化合物合计1～20质量份。
氮化烧结复合体它们制造方法以及散热构件

[发明专利]透明AlN烧结体及其制法-CN201780073409.8有效
发明人：小林义政;小林博治;饭田和希;大和田岩 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：透明AlN烧结体的制法的第一工序中，首先，在包含板面为c面、纵横尺寸比为3以上的板状AlN粉末的AlN原料粉末中混合烧结助剂，得到混合物，将该混合物成型，制作成型体。第二工序中，对成型体的表面进行加压，同时，在非氧化气氛下，对成型体进行热压烧成，得到取向AlN烧结体。第三工序中，在非氧化气氛下，对取向AlN烧结体进行常压烧成，除去源自于烧结助剂的成分，由此，得到透明AlN烧结体。
透明 aln 烧结及其制法

[发明专利]以氧化铜为添加剂降低铌酸钕微波介质陶瓷烧结温度的方法-CN201210352791.5无效
发明人：张平;宋振坤;王涛;夏往所;李玲霞 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C04B35/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过CuO掺杂改善NdNbO4系烧结温度微波介质陶瓷，由NdNbO4-m wt%组成，其中，0烧结助剂的质量百分比；所述NdNbO4为Nd：Nb=1.15：1。先将Nb2O5，Nd2O3按摩尔比配料，经球磨、烘干、900℃预烧、再加入烧结助剂二次配料、最后于950~1100℃烧结，制得微波介质陶瓷。本发明制备工艺简单，过程无污染，在介电常数和谐振频率温度系数基本保持不变的同时，在原有烧结温度1250℃基础上降低了NdNbO4的烧结温度近275℃。
氧化铜添加剂降低铌酸钕微波介质陶瓷烧结温度方法

[发明专利]一种管式陶瓷膜支撑体的制备方法-CN201410045415.0有效
发明人：刘旭红;杨秋业;黄斌;倪黎 -专利权人：刘旭红;杨秋业;黄斌;倪黎
申请日： 2014-02-07 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：一种管式陶瓷膜支撑体的制备方法，首先称取Al₂O₃粉与陶瓷烧结助剂，Al₂O₃粉和陶瓷烧结助剂的质量比为90～99.9：0.1～10，所述的陶瓷烧结助剂中含有二氧化钛、氧化镁、二氧化硅，将Al₂O₃粉与陶瓷烧结助剂混合，然后加入有机粘结剂和水，搅拌均匀，并调节挥发水分至物料呈泥状，将泥料经真空练泥机练泥，然后用挤管机配上相应地磨具，挤出支撑体生坯，支撑体生坯经烘干、烧结，即为陶瓷膜支撑体。
一种陶瓷膜支撑制备方法

[发明专利]中介电常数低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202111666367.3有效
发明人：张彩霞;李进;石珊;童建喜;李爱华 -专利权人：嘉兴佳利电子有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种中介电常数低温烧结微波介质陶瓷材料，包括：主相陶瓷材料Ba5‑xNb4O15‑x和烧结助剂A，其中0≤x≤1.5；烧结助剂A占Ba5‑xNb4O15‑x质量分数的1～15wt％；烧结助剂A为ZBS玻璃、CuO中的一种或多种以及aRO‑bAl2O3‑cB2O3‑dSiO2复合物，或仅为aRO‑bAl2O3‑cB2O3‑dSiO2复合物，其中R为本发明提供的中介电常数低温烧结微波介质陶瓷材料，通过复合物为助剂降低其在流延过程中与PVA、PVB等有机物发生交联反应风险；通过非化学计量比调整材料综合频率温度系数，降低添加第二相陶瓷材料导致性能恶化及降温困难的风险
介电常数低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种制备高热导率、高强度氮化硅陶瓷的方法-CN201310129987.2无效
发明人：林森;曾宇平 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高热导率、高强度氮化硅陶瓷的方法，所述方法包括：将α-Si₃N₄粉体和烧结助剂按比例混合均匀，然后依次进行干压成型和等静压处理，制得坯体；所述的烧结助剂是以Yb₂O₃为主烧结助剂，以Y₂O₃、Lu₂O₃、Nd₂O₃、Er₂O₃、MgO中的至少一种为辅烧结助剂的混合物；将制得的坯体埋入Si₃N₄粉体中，在惰性气氛下于1650℃～1850℃进行气压烧结，然后随炉冷却至室温。
一种制备高热强度氮化陶瓷方法

[发明专利]陶瓷聚光腔材料、陶瓷聚光腔及其制造方法-CN02159468.6有效
发明人：彭建中;郑元善;张洪波 -专利权人：中国建筑材料科学研究院
申请日： 2002-12-31 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： H01S3/093 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷聚光腔材料，由掺杂激活剂的氧化铝粉与烧结助剂组成，其中，所述掺杂激活剂的氧化铝粉为95.06－95.73重量份，烧结助剂为4.26－4.89重量份；所述掺杂在氧化铝粉中的激活剂为稀土氧化物；本发明同时公开了用上述材料制造陶瓷聚光腔的方法以及陶瓷聚光腔，主要是通过添加激活剂，对氧化铝改进，之后再与烧结助剂混合、制生坯、烧结成型。
陶瓷聚光材料及其制造方法

[发明专利]一种高电阻率软磁铁氧体材料的制备方法-CN201911041600.1有效
发明人：王涛;徐林东 -专利权人：安徽朗基新材料科技有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电阻率软磁铁氧体材料的制备方法，包括以下步骤：步骤一，烧结助剂的制备：将玻璃粉先研磨过120‑160目，然后与碱土金属碳酸盐按照重量比2:3混合加入到乙醇溶剂中，随后以100‑200r/min的转速进行搅拌30‑40min，最后再超声10‑20min，最后离心、干燥，得到烧结助剂。本发明烧结助剂在材料烧结过程中，碳酸钙分解可促进基体产生气孔，玻璃粉在高温下呈流动状态，再经过高压压制处理后，渗透到基体中，从而在基体中形成玻璃电阻层，该电阻层并非简单喷涂工艺所能达到的。
一种电阻率磁铁材料制备方法

[发明专利]一种陶瓷结合剂及其制备方法和陶瓷结合剂磨具-CN202210083428.1有效
发明人：赖玮;张韬;胡名卫;张明;于阳辉;代小元 -专利权人：苏州中材非金属矿工业设计研究院有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B24D3/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷结合剂，其特征在于，包括烧结助剂；所述烧结助剂为添加有碱土金属氧化物的膨润土，所述碱土金属氧化物为氧化钙和/或氧化镁；其中，以质量百分比计，所述碱土金属氧化物的总量占膨润土总量的2～本发明将含有碱土金属氧化物的黏土矿物膨润土作为烧结助剂加入到陶瓷结合剂的制备工艺中，有利于降低烧结温度，提高陶瓷结合剂的强度，提高生产效率，降低成本，突破制备陶瓷结合剂的传统工艺技术，同时也扩大了黏土矿物膨润土的应用范围
一种陶瓷结合及其制备方法磨具

[发明专利]烧结助剂、陶瓷组合物、陶瓷、陶瓷电子部件和陶瓷电子部件的制备方法-CN200610171943.6无效
发明人：茂野交市;胜村英则;加贺田博司 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-09-20 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： C04B35/63 文献下载
摘要：用于添加在陶瓷基材中的、与上述陶瓷基材共同烧成而制备烧结陶瓷材料的烧结助剂。该烧结助剂含有氧化铜、氧化钛和氧化铌。使用该烧结助剂，抑制陶瓷基材特性劣化的同时能够得到烧成温度低的陶瓷材料。
烧结助剂陶瓷组合电子部件制备方法