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[发明专利]磷酸铁锂正极材料及其制备方法以及锂离子电池-CN202210784479.7在审
发明人：黄尚尉;陈晓军 -专利权人：衢州华友钴新材料有限公司;浙江华友钴业股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C01B25/45 文献下载
摘要：将铁源、锂源、磷源、碳源、溶剂、分散剂、掺杂物、烧结助剂混合成浆料；将浆料干燥形成颗粒，然后压制成片体；将片体烧结，得到磷酸铁锂材料；将磷酸铁锂材料制成粉末。烧结助剂抑制晶粒异常长大，促进致密化进程，降低烧结温度和缩短烧结时间，提高产能、降低成本；协同片体烧结，促进粉体颗粒的充分接触，加速烧结过程中的原子扩散，促进烧结致密化。而掺杂物，使烧结过程中形成体相掺杂，提高锂离子的迁移率，确保材料的电化学性能。
磷酸正极材料及其制备方法以及锂离子电池

[发明专利]一种批刮烧结砂真石漆及其制备方法-CN201710415550.3在审
发明人：江生锁;胡中源;董立志;刘洪亮 -专利权人：河北晨阳工贸集团有限公司
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C09D133/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种批刮烧结砂真石漆及其制备方法，本发明一种批刮烧结砂真石漆，所述批刮烧结砂真石漆包括按质量份计的如下组分水100‑180份，纤维素1‑3份，有机膨润土0.5‑2份，多功能助剂1‑5份，纯丙乳液120‑190份，分散剂1‑5份，防冻剂4‑9份，成膜助剂6‑11份，消泡剂0.5‑3份，防腐剂1‑5份，增稠剂0.5‑3份，烧结砂1‑700份。本发明产品硬度高，耐酸、耐碱性能良好，颜色稳定，批刮烧结砂真石产品吸水率低，抗裂防水性能良好。
一种烧结砂真石漆及其制备方法

[发明专利]低温烧结锂锌钛系微波介质陶瓷及其制备方法-CN201210381309.0无效
发明人：张平;王月;华燕波;夏往所;李玲霞 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-10-09 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温烧结锂锌钛系微波介质陶瓷，由Li2ZnTi3O8-mwt%MBS组成，其中，0≤m≤5，m为外加烧结助剂的质量百分比；所述MBS为42wt%MgO-45wt%B2O3-13wt%SiO2先按Li2CO3、ZnO、TiO2摩尔比配料，经球磨、烘干、900℃预烧、再加入烧结助剂二次配料、最后于860～940℃烧结，制得微波介质陶瓷。本发明成功地将烧结温度降至900℃，同时保持了其优异的微波介电性能，并且制备工艺简单、无污染，可应用于LTCC相关领域。
低温烧结锂锌钛系微波介质陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种基于硅烷钛酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法-CN200910161250.2有效
发明人：水淼;任元龙;舒杰;王青春;黄峰涛;宋岳 -专利权人：宁波大学
申请日： 2009-07-20 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：一种基于硅烷钛酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷的制造方法，其特征在于采用了硅烷钛酸酯双组份偶联剂键合的SiC-Al2O3-Y2O3体系，Al2O3和Y2O3为体系的烧结助剂，双组份偶联剂通过烷氧基的水解在主体SiC表面及助剂Al2O3、Y2O3表面形成牢固的化学键合，同时通过两种偶联剂之间的基团反应在主体碳化硅表层形成牢固而致密的烧结助剂包覆层；将主要原料碳化硅粉(0.5-5微米)、硅烷偶联剂A、钛酸酯偶联剂B、Al2O3、Y2O3(＜200纳米)烧结助剂通过分步高能球磨后经过过筛、成型、固化、高温烧结等主要工艺步骤，形成碳化硅陶瓷产品。该方法能在1800℃的低温下通过简单的工艺过程烧结制备得到相对致密度超过98％的致密碳化硅陶瓷，极大地降低了碳化硅生产过程的能源消耗。
一种基于硅烷钛酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法

[发明专利]一种基于硅烷铝酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法-CN200910161248.5有效
发明人：水淼;任元龙;舒杰;王青春;黄峰涛;宋岳 -专利权人：宁波大学
申请日： 2009-07-20 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：一种基于硅烷铝酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷的制造方法，其特征在于采用了硅烷铝酸酯双组份偶联剂键合的SiC-Al2O3-Y2O3体系，Al2O3和Y2O3为体系的烧结助剂，双组份偶联剂通过烷氧基的水解在主体SiC表面及助剂Al2O3、Y2O3表面形成牢固的化学键合，同时通过两种偶联剂之间的基团反应在主体碳化硅表层形成牢固而致密的烧结助剂包覆层；将主要原料碳化硅粉(0.5-5微米)、硅烷偶联剂A、铝酸酯偶联剂B、Al2O3、Y2O3(＜200纳米)烧结助剂通过分步高能球磨后经过过筛、成型、固化、高温烧结等主要工艺步骤，形成碳化硅陶瓷产品。该方法能在1800℃的低温下通过简单的工艺过程烧结制备得到相对致密度超过98％的致密碳化硅陶瓷，极大地降低了碳化硅生产过程的能源消耗。
一种基于硅烷铝酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法

[发明专利]一种基于硅烷硼酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法-CN200910226310.4无效
发明人：方锡成;郑岳青;水淼;舒杰;任元龙;王青春;黄峰涛;宋岳;方薛勇;董娟 -专利权人：奉化市中立密封件有限公司
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C04B35/63 文献下载
摘要：一种基于硅烷硼酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷的制造方法，其特征在于采用了硅烷硼酸酯双组份偶联剂键合的SiC-Al2O3-Y2O3体系，Al2O3和Y2O3为体系的烧结助剂，双组份偶联剂通过烷氧基的水解在主体SiC表面及助剂Al2O3、Y2O3表面形成牢固的化学键合，同时这两种偶联剂通过N-B配位键相互键合在主体碳化硅表层形成牢固而致密的烧结助剂包覆层；将主要原料碳化硅粉(0.5-5微米)、硅烷偶联剂A、硼酸酯偶联剂B、Al2O3、Y2O3(＜200纳米)烧结助剂通过分步高能球磨后经过过筛、成型、固化、高温烧结等主要工艺步骤，形成碳化硅陶瓷产品。该方法能在1800℃的低温下通过简单的工艺过程烧结制备得到相对致密度超过98％的致密碳化硅陶瓷，极大地降低了碳化硅生产过程的能源消耗。
一种基于硅烷硼酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法

[发明专利]一种基于硅烷铝锆双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法-CN200910252886.8无效
发明人：水淼;任元龙;舒杰;王青春;黄峰涛;宋岳 -专利权人：宁波大学
申请日： 2009-11-29 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：一种基于硅烷铝锆双组份偶联剂碳化硅陶瓷的制造方法，其特征在于采用了硅烷铝锆双组份偶联剂键合的SiC-Al2O3-Y2O3体系，Al2O3和Y2O3为体系的烧结助剂，双组份偶联剂通过羟基在主体SiC表面及助剂Al2O3、Y2O3表面形成牢固的化学键合，同时这两种偶联剂通过羧基与胺基相互键合在主体碳化硅表层形成牢固而致密的烧结助剂包覆层；将主要原料碳化硅粉(0.5-5微米)、硅烷偶联剂A、铝锆偶联剂B、Al2O3、Y2O3(＜200纳米)烧结助剂通过分步高能球磨后经过过筛、成型、固化、高温烧结等主要工艺步骤，形成碳化硅陶瓷产品。该方法能在1800℃的低温下通过简单的工艺过程烧结制备得到相对致密度超过98％的致密碳化硅陶瓷，极大地降低了碳化硅生产过程的能源消耗。
一种基于硅烷铝锆双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法

[发明专利]赛隆陶瓷烧结品的制造方法-CN201080006965.1无效
发明人：寒川喜光;中川胜则 -专利权人：株式会社IHI
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C04B35/599 文献下载
摘要：其特征在于，其包括如下的工序：制备如下成形材料，所述成形材料含有赛隆粉末A、烧结助剂B、和有机粘合剂C，所述赛隆粉末A为平均粒径0.01μm～3.0μm的粉末；所述烧结助剂B为选自Y、Yb、Al及Zr组成的组中的元素的氧化物，且以在赛隆粉末A和烧结助剂B的总计量中所占的比例为0.5～15重量％的量而含有该烧结助剂B，所述有机粘合剂C以5～30体积％的量含有平均分子量150000以下的聚乙烯醇缩丁醛，且以35～80体积％的量含有平均分子量5000以下的聚乙二醇，且以在成形材料总量中所占比例为30～70体积％的量而含有该有机粘合剂C；对该成形材料进行注射成形而得到成形体，对该成形体进行加热脱脂并烧结。
陶瓷烧结制造方法

[发明专利]用硅藻土制备孔隙性烧结材料的方法及由该方法制得的孔隙性烧结材料-CN201710543434.X在审
发明人：邹晓虎 -专利权人：邹晓虎
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C04B38/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用硅藻土制备孔隙性烧结材料的方法以及由该方法制得的孔隙性烧结材料。所述方法包括如下步骤(1)将烧结助剂与致孔剂分散在溶剂中制得烧结助剂悬浮液；(2)将无机纤维材料、孔隙控制剂和所述悬浮液加入到水中制得无机纤维浆料；(3)将所述无机纤维浆料过滤后压制以得到湿坯；(4)将所述湿坯在100℃至120℃的温度范围内干燥12至18小时以得到干坯；(5)将所述干坯烧结6至12小时，得到所述烧结材料。本发明的所述方法制得的烧结材料具有孔隙分布均匀、孔径一致并且结构强度高等优点，可以用于高达1200℃的工作环境。
硅藻土制备孔隙烧结材料方法法制

[发明专利]微粒多晶金刚石烧结体的制备方法-CN201110089094.0有效
发明人： A·E·瓦多尤;田岛逸郎 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C01B31/06 文献下载
摘要：本发明提供无需进行防止形成二次粒子的冷冻干燥、无需预先混合助剂的、适用于精加工切削工具材料、超精密加工工具材料等的微粒多晶金刚石烧结体的制备方法。该方法如下：在平均粒径4μm以下的金刚石粉末的层间经由含有碳酸盐和室温下为固体的C-H类有机物、优选选自聚乙烯、聚丙烯和聚苯乙烯中的一种以上的片进行层合，将其装入Ta制容器内，于7.7GPa以上的烧结压力和2000℃以上的烧结温度下烧结，无需将烧结原料金刚石粉末冷冻干燥，也无需使用剧毒物草酸二水合物，并且无需进行烧结助剂的预先混合，即可制备微粒多晶金刚石烧结体。
微粒多晶金刚石烧结制备方法

[发明专利]一种Si3-CN201810010141.X有效
发明人：郭伟明;吴利翔;牛文彬;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：Sub>N4梯度材料的制备方法，包括以下步骤：a)提供混合粉体A和混合粉体B；所述混合粉体A包括Si粉、TiO2粉和烧结助剂，其中，烧结助剂由摩尔比小于等于1的Al2O3和Re2O3组成；所述混合粉体B包括Si、TiO2和烧结助剂，其中，烧结助剂由摩尔比大于1的Al2O烧结本发明通过控制烧结助剂中Al2O3和Re2O3
一种 si base sub

[发明专利]一种口腔正畸用的牙齿托槽制备方法及制备得到的牙齿托槽-CN202010575568.1在审
发明人：徐迹;徐勇;刘文兰;张晓洁;刘君英;方宇翔 -专利权人：深圳市第二人民医院(深圳市转化医学研究院)
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种口腔正畸用的牙齿托槽制备方法及制备得到的牙齿托槽，所述的制备方法包括：复合基体粉料、复合烧结助剂、粘结剂和水混合制浆，浆液依次经成型和烧结后得到所述的牙齿托槽；所述的复合基体粉料包括氧化铝粉料和氧化锆粉料本发明采用复合基体粉料和复合烧结助剂制备得到了高弯曲强度、高硬度以及高透光率的牙齿托槽。
一种口腔正畸用牙齿制备方法得到

[发明专利]一种高硬度氮化硅陶瓷及其制备方法-CN202010338205.6有效
发明人：曾宇平;梁汉琴;魏悦;左开慧;夏咏锋;姚冬旭;尹金伟 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;山东威高海星医疗器械有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：ZrC、B4C和金刚石中的至少一种作为第二相，以Al2O3和稀土氧化物作为烧结助剂，以Li2O或/和LiF作为低温烧结助剂，经烧结后得到所述高硬度氮化硅陶瓷。
一种硬度氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种多孔砖的制备方法-CN201210231931.3无效
发明人：吴三群 -专利权人：浙江特拉建材有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C04B30/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多孔砖的制备方法，采用河道淤泥、页岩、建筑废料、烧结助剂，所述烧结助剂为颗粒直径为0.1mm以下的硅酸盐或生石灰或硅酸盐和生石灰的混合物，将各废料粉碎后按一定比例混合后做陈化和二次搅拌处理，然后制砖、入隧道窑干燥并烧结而成。
一种多孔制备方法

[发明专利]一种高导热碳化硅陶瓷材料及其制备方法-CN201510042604.7在审
发明人：夏云 -专利权人：安徽省和翰光电科技有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种高导热碳化硅陶瓷材料及其制备方法，其特征在于，由下列重量份的原料制成：碳化硅70-80、氮化硅9-12、不锈钢粉末4-6、钛粉6-8、聚合氯化铝2-3、硅烷偶联剂KH-5701-2、冰晶石粉4-5、石英3-4、烧结助剂2-4、去离子水80-100；本发明添加的不锈钢粉末增加了陶瓷的烧结致密度，降低了烧结温度，节约了资源，添加的氮化硅提高了陶瓷的硬度、导热性和绝缘性能，添加的烧结助剂提高了陶瓷的烧结性能，增加烧结密度，
一种导热碳化硅陶瓷材料及其制备方法