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[发明专利]一种高压碳化硅功率模块内部局部放电检测系统及方法-CN202310147324.7在审
发明人：王来利;王海骅;闫飞飞;马定坤;袁天舒;张哲维;马良俊;聂延 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压碳化硅功率模块内部局部放电检测系统及方法，包括宽带光源、光纤隔离器、光纤环形器、单模3×3光纤耦合器、延迟光纤、第一单模1×2光纤耦合器、光纤传感器、第二单模1×2光纤耦合器、光功率计、第一单模光纤、第二单模光纤、第三单模光纤、第四单模光纤、第五单模光纤、第六单模光纤、光纤转接器、光纤转接器、平衡光电探测器、模拟低通滤波器、数据采集卡和上位机。本发明可以针对不同频段的局部放电信号调节光纤传感器本身的尺寸，以获得符合需求的检测信噪比；同时本发明不会受到电磁干扰的影响，可以应用在高压领域。
一种高压碳化硅功率模块内部局部放电检测系统方法

[发明专利]一种低寄生电感高散热性能的SiC双面冷却模块-CN202310074662.2在审
发明人：王来利;龚泓舟;李磊;聂延;袁天舒;马定坤;马良俊;甘永梅;张虹;贾立新;高凯 -专利权人：西安交通大学;国网上海市电力公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种低寄生电感高散热性能的SiC双面冷却模块，包括金属基板、功率端子正极、功率端子负极、交流端子、上半桥碳化硅MOS芯片、下半桥碳化硅MOS芯片、底层芯片、作为交流端子引出层的顶层DBC基板、作为负极端子引出层的中间层DBC基板、作为正极端子引出层的底层DBC基板和功率回路金属柱；上半桥碳化硅MOS芯片通过功率回路金属柱与顶层DBC基板的铜层连接；下半桥碳化硅MOS芯片通过功率回路金属柱与底层DBC基板的铜层连接。本发明采用多层堆叠双面结构，使得换流路径为垂直换流结构，不仅减小了换流回路面积，而且通过各层相反的电流流向产生了不错的负互感抵消，优化模块换流路径。
一种寄生电感散热性能 sic 双面冷却模块

[发明专利]高功率密度和绝缘增强的中高压SIC功率模块及制备工艺-CN202310077853.4在审
发明人：王来利;马良俊;马定坤;袁天舒;聂延;李磊;龚泓舟;张虹;贾立新;甘永梅 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种高功率密度和绝缘增强的中高压SIC功率模块及制备工艺，其模块包括正极负极电位DBC基板、直流正极电位端子、直流负极端子、上桥臂钼柱、上桥臂SiC MOSFET芯片、交流电位DBC基板、交流电位端子、下桥臂钼柱和下桥臂SiC MOSFET芯片，正极负极电位DBC基板和交流电位DBC基板相对设置，且相对的表面铜层上均涂覆有PI涂层，上桥臂SiC MOSFET芯片和下桥臂SiC MOSFET芯片的表面涂覆有PI涂层。本发明是基于平面封装和PI薄膜工艺的双面散热结构高功率密度封装模块，优化布局和PI薄膜的应用使模块能够在数十纳秒内切换6kV，同时振荡和电压过冲可以忽略不计且而由模块到芯片的功率利用率高达81％。
功率密度绝缘增强高压 sic 功率模块制备工艺

[发明专利]一种基于PTFE涂料的倒装SiC半桥模块及制备工艺-CN202310077176.6在审
发明人：王来利;马良俊;袁天舒;马定坤;聂延;龚泓舟;李磊 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种基于PTFE涂料的倒装SiC半桥模块及制备工艺，包括功率端子正极、功率端子负极、上层DBC基板、下层DBC基板、交流端子、上层MOSFET芯片和下层MOSFET芯片，功率端子正极和功率端子负极均与上层DBC基板的铜层连接，交流端子与下层DBC基板的铜层连接，上层DBC基板和下层DBC基板相对设置，且相对的一侧涂覆有PTFE涂层；上层DBC基板与下层DBC基板之间的垂直距离等于MOSFET芯片的厚度。本发明针对1200V以下电压等级的模块，可以提升模块散热性能，且兼容常规焊接工艺，制作不需要额外的成本，适合大规模市场应用。
一种基于 ptfe 涂料倒装 sic 模块制备工艺

[发明专利]一种SiCMOSFET多芯片并联子单元压接封装结构-CN202310077150.1在审
发明人：王来利;李磊;龚泓舟;马良俊;袁天舒;马定坤;聂延 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET多芯片并联子单元压接封装结构，包括双面DBC陶瓷板、弹性组合、栅极钼片端子、源极钼片端子、漏极钼片端子、单面DBC陶瓷板、SiC MOSFET芯片和散热器，多个SiC MOSFET芯片均与单面DBC陶瓷板表面连接，且露出SiC MOSFET芯片表面的栅极和源极；SiC MOSFET芯片的漏极电极与单面DBC陶瓷板相连，SiC MOSFET芯片的栅极电极分别通过四个栅极钼片端子引出，漏极钼片端子与单面DBC陶瓷板连接，栅极钼片端子与双面DBC陶瓷板上的栅极部分连接，源极钼片端子与双面DBC陶瓷板上的源极部分连接；单面DBC陶瓷板和双面DBC陶瓷板均采用Al2O3材料制成。本发明解决了传统层叠型封装无法适应硅器件的高温、高压、高频等要求的问题。
一种 sicmosfet 芯片并联单元封装结构

[发明专利]一种低寄生电感高散热性能的SiC模块及制作工艺-CN202210344054.4在审
发明人：王来利;吴世杰;赵成;温浚铎;杨俊辉;聂延;甘永梅 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种低寄生电感高散热性能的SiC模块及制作工艺，其SiC模块包括外壳以及自下而上叠放的金属底板、DBC板、PCB驱动板和碳化硅元件，所述金属底板、DBC板、PCB驱动板和碳化硅元件均设置于外壳内部；所述DBC板包括两个铜层和AlN层，所述AlN层位于两个铜层之间，所述碳化硅元件、铜层和PCB驱动板之间电气连接，所述DBC板上设有多个功率端子。本发明通过调整模块整体的布局可以极大减小模块整体的寄生电感，而通过替换DBC板中的陶瓷材料，增强了模块整体的散热能力。
一种寄生电感散热性能 sic 模块制作工艺

[发明专利]一种基于SiC MOSFET的1000A大容量半桥功率模块及制作工艺-CN202210297068.5在审
发明人：王来利;杨俊辉;赵成;袁天舒;吴世杰;聂延 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及电力半导体封装领域，尤其涉及一种基于SiC MOSFET的1000A大容量半桥功率模块及制作工艺，其功率模块包括外壳、铜基板、功率母排和三块DBC子单元，所述DBC子单元为半桥拓扑；所述DBC子单元包括DBC基板和至多十二个SiCMOSFET芯片，多个所述SiCMOSFET芯片对称并联设置于DBC基板上，所述功率母排与DBC基板连接；所述DBC基板上设有导电柱，所述导电柱用于连接外接驱动信号端子。本发明优化了现有技术中存在的SiC器件多芯片并联使用时电流分配不均的问题，降低了模块的寄生电感，提高散热能力，同时兼容传统的键合线工艺和焊接工艺，适宜于在工业生产中推广应用，获得的产品额定电流为1000A，实现了半桥功率模块电流容量的突破。
一种基于 sic mosfet 1000 容量功率模块制作工艺

[发明专利]一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块-CN202210297069.X在审
发明人：王来利;赵成;杨俊辉;袁天舒;吴世杰;聂延 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块，包括DBC基板、连接节点、对称设置于DBC基板上的上半桥臂和下半桥臂，所述DBC基板包括陶瓷层和两层导电层，所述陶瓷层设置于两层导电层之间；所述上半桥臂和下半桥臂均包括对称且并联设置的六枚SiC MOSFET芯片，在上半桥臂中，所述SiC MOSFET芯片的漏极与DC+节点连接，所述SiC MOSFET芯片的功率源极与AC节点连接，所述SiC MOSFET芯片的驱动源极与第一源极节点连接，所述SiC MOSFET芯片的栅极与第一栅极节点连接。本发明通过调整源极键合线参数以及布局的对称性，优化了传统功率模块中多芯片并联使用中存在的电流分配不均问题。
一种基于 sic mosfet 芯片并联模块

[实用新型]可反向插接的USB连接器-CN201820580543.9有效
发明人：刘庆升;聂延 -专利权人：深圳市中科兴达科技有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01R12/71 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可反向插接的USB连接器，包括有绝缘座、导电端子和金属外壳，导电端子镶嵌于绝缘座内，金属外壳包覆在绝缘座外且形成一插接口，所述绝缘座向前延伸有一舌板，该舌板是位于插接口内中心偏下方；所述舌板与金属外壳上表面的距离H1大于舌板与金属外壳下表面的距离H2；所述舌板上表面凹设有端子容置槽，该导电端子首端可弹动地设置于端子容置槽和插接口之间。通过将舌板反向设置，当母座连接器与电路板连接时使得舌板更靠近于电路板的一端，由此使得其结构更为紧凑；当此种母座连接器与产品安装时就可使得插接口可以设置于产品的正中间位置，从而使插拔更为方便，并且避免了以往不能将其设置在正中间的连接器不够美观的问题发生。
舌板金属外壳插接口绝缘座导电端子端子容置槽母座连接器反向插接连接器电路板本实用新型电路板连接舌板上表面产品安装反向设置向前延伸上表面下表面包覆插拔弹动首端紧凑美观镶嵌

[实用新型]具有侦测功能的USB连接器-CN201820585123.X有效
发明人：刘庆升;聂延 -专利权人：深圳市中科兴达科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01R13/516 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有侦测功能的USB连接器,包括有绝缘体、设置于绝缘体上的复数个连接端子、以及包覆于绝缘体外的金属外壳，该金属外壳与绝缘体之间围合形成一开口朝前的插接口，所述金属外壳在左侧面和右侧面的至少一面上开设有可以供侦测元器件插入到该插接口内的开口。通过在金属外壳左侧面和右侧面的至少一面上开设一可供侦测元件插入到插接口内的开口，当公座连接器插入到插接口内时，公座连接器会触碰侦测元件以识别公座连接器是否插入；因此在使用上相比以往缺少侦测元件设置空间的USB连接器更为安全可靠；从而提高了USB连接器的安全性能。而且该开口还可以供其他功能性装置插入，提高了其设置装置的灵活性。
绝缘体金属外壳插接口公座连接器开口侦测功能侦测元件左侧面本实用新型功能性装置安全性能触碰侦测连接端子设置空间设置装置元器件包覆复数围合侦测

[实用新型]具有开口的USB连接器-CN201820580542.4有效
发明人：刘庆升;聂延 -专利权人：深圳市中科兴达科技有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01R13/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有开口的USB连接器，包括有绝缘体、复数个连接端子以及包覆于绝缘体外的金属外壳，该金属外壳与绝缘体之间围合形成一开口朝前的插接口，所述金属外壳上下表面靠近插接口一端设置有弹片容置腔,所述弹片容置腔中设有弹片，并且至少有一弹片容置腔为无弹片的镂空状态形成开口。通过在金属外壳上下表面设置弹片容置腔，而且该弹片容置腔中设置有可以增加夹持力的弹片，并且还至少设置有一弹片容置腔为无弹片的镂空状态形成的开口。在保证母座连接器对公座连接器的夹紧力度的同时亦能提供功能性装置插入的空间，因此在使用上相比以往缺少功能性装置设置空间的USB连接器更为安全可靠；从而提高了USB连接器的安全性能。
弹片容置金属外壳开口绝缘体弹片功能性装置上下表面镂空状态插接口本实用新型母座连接器安全性能夹紧力度连接端子设置空间一端设置座连接器夹持力包覆复数围合保证

[实用新型]可稳固插接的USB母座连接器-CN201820582394.X有效
发明人：刘庆升;聂延 -专利权人：深圳市中科兴达科技有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01R13/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可稳固插接的USB母座连接器，包括绝缘体、复数个导电端子以及金属外壳，所述导电端子镶嵌于绝缘体内；所述金属外壳包覆于绝缘体外并形成一开口朝前的插接口，所述金属外壳的上下表面均设置有双弹片结构，该双弹片结构均是由第一弹片和第二弹片组成，并且该第一弹片和第二弹片向插接口内凸设有触点，至少在金属外壳的上表面或下表面双弹片的两触点之间形成前后距离差。通过在金属外壳上设置的双弹片结构，并且双弹片上设置形成前后距离差的触点；其采用此种具有前后距离差的触点可在公座连接器插入到母座连接器中时能够提供一种较为均衡的夹紧力，相比以往缺少此种前后距离差的触点使得其之间插接更为稳固。
弹片金属外壳触点前后距离绝缘体双弹片结构插接导电端子插接口稳固本实用新型公座连接器母座连接器上下表面夹紧力上表面下表面包覆复数内凸开口镶嵌均衡

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