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[发明专利]幔源油气区域勘探方法-CN201910335628.X在审
发明人：李玉琪;惠荣 -专利权人：西安幔源油气勘探开发研究有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G01V11/00 文献下载
摘要：本发明涉及石油天然气勘探技术领域，公开了幔源油气区域勘探方法，包括以下步骤：S1、在目标范围内寻找深大断裂区域；S2、在目标范围内确定存在于地下深部的低速、低阻、低密体的空间范围；S3、在目标范围内寻找地幔柱或地幔枝；S4：将S1、S2及S3中得到的区域在空间坐标中进行投影，其投影重叠区域即为含油气区域。本发明提供的幔源油气区域勘探方法，能够快速有效地寻找油气区域，提高了找油效率及成功率。
油气勘探石油天然气勘探投影重叠区域含油气区域地下深部断裂区域空间坐标有效地低阻密体成功率投影

[发明专利]燃料处置区域无源过滤设计-CN201280026840.4在审
发明人： G·L·塞德拉克;L·G·马尔霍伦;M·A·赫瓦拉;J·D·斯特林 -专利权人：西屋电气有限责任公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： B01D45/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在核反应堆中具有废燃料池的燃料处置区域的无源过滤系统。无源过滤系统减少在废燃料池沸腾事件中产生的颗粒（如放射性颗粒）到大气中的排放。无源过滤系统包括排放路径、通风机构，该通风机构定位在燃料处置区域与排放路径之间。通风机构构造成将蒸汽和空气混合物从燃料处置区域释放到排放路径中。蒸汽和空气混合物包括颗粒。无源过滤系统还包括布置在排放路径中的空气过滤单元，并且这个单元具有至少一个无源过滤器。由于在燃料处置区域中产生的压差，蒸汽和空气混合物被迫通过至少一个无源过滤器。
燃料处置区域无源过滤设计

[发明专利]包括场效应晶体管的半导体器件及制造半导体器件的方法-CN201610275889.3有效
发明人： A.迈泽;T.施勒泽 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该场效应晶体管包括源极区域、漏极区域、体区域和在体区域处的栅电极。栅电极被配置用于控制形成在体区域中的沟道的导电性，并且栅电极被设置在栅极沟槽中。体区域沿源极区域和漏极区域之间的第一方向设置，第一方向平行于第一主表面。体区域具有沿第一方向延伸的脊形状，体区域邻近于源极区域和漏极区域。半导体器件进一步包括源极接触和体接触，源极接触电连接到源极端子，体接触电连接到源极接触和体区域。
包括场效应晶体管半导体器件制造方法

[发明专利]像素区域处理方法、装置以及像素区域切换方法和装置-CN201710178593.4在审
发明人：徐佳宏;朱吕亮 -专利权人：深圳市茁壮网络股份有限公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： G09G5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种像素区域处理方法、装置以及像素区域切换方法和装置，该像素区域处理方法包括生成源像素区域与目标像素区域的晶格划分维度；按照晶格划分维度对源像素区域进行划分，得到至少一个源晶格区域；并且，按照晶格划分维度对目标像素区域进行划分，得到至少一个目标晶格区域；针对各个源晶格区域，查找对应的目标晶格区域，并建立映射关系。基于发明公开的方法，保证了源晶格区域与目标晶格区域的个数和排布相同，解决了全屏大小比例不是整数的问题，使得目标像素点存在唯一确定的原始像素点的值进行填充。
像素区域处理方法装置以及切换

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010723363.3在审
发明人：严章英;王新泳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司;台积电（中国）有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底、有源区域、隔离结构、第一金属线、栅极结构、源极/漏极区域、源极/漏极接触件和第二金属线。有源区域从衬底的顶表面突出。隔离结构在衬底之上并且横向围绕有源区域。栅极结构在有源区域之上。源极/漏极区域在有源区域中。源极/漏极接触件在有源区域之上并且电连接到源极/漏极区域。第二金属线在栅极结构和源极/漏极接触件之上，其中，第二金属线与第一金属线垂直地重叠。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]包括交替的源极和漏极区域以及相应的源极和漏极金属带的半导体器件-CN201310616727.8有效
发明人： A·W·洛特菲;J·德姆斯基;A·菲根森;D·D·洛帕塔;J·诺顿;J·D·威尔德 -专利权人：英力股份有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法，在一个实施例中，半导体器件包括衬底1105和在衬底1105上被形成为交替图案的多个源极“s”区域和漏极“d”区域。半导体器件还包括多个栅极1150，在多个源极区域和漏极区域中的源极区域和漏极区域之间并且与其平行地形成于衬底1105之上。半导体器件还包括第一多个交替的源极金属带和漏极金属带1111、1121，形成于在衬底1105上方的第一金属层中，并且与多个源极区域和漏极区域中的相应源极区域和漏极区域平行并且形成电接触。
包括交替区域以及相应金属半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202010448329.X在审
发明人：王義欣;郑善允;高境鸿;周敬智;陈奕廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：例如，根据此方法制造的装置可能包括半导体基板、形成在基板上的多个栅极堆叠、由硅锗形成的多个源极/漏极区域、以及位于多个源极/漏极区域中的两个源极/漏极区域之间的浅沟槽隔离区域。多个源极/漏极区域中的每个源极/漏极区域位于相邻于多个栅极堆叠中的至少一个栅极堆叠。此外，浅沟槽隔离区域在基板中形成沟槽而不与所述的两个源极/漏极区域相交。
半导体装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201110064215.6无效
发明人：李卓泳;朴炳建;郑胤谟;朴种力;李东炫;李基龙;徐晋旭;郑珉在;孙榕德;苏炳洙;朴承圭;李吉远;郑在琓 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)，所述TFT包括基底和在基底上的有源区域，该有源区域包括在有源区域的相对端处的源极区域和漏极区域、至少一个与源极区域或漏极区域相邻的轻掺杂区域、多个沟道区域和在所述多个沟道区域中的两个沟道区域之间的高掺杂区域所述TFT包括在有源区域上的栅绝缘层和多栅电极，所述多栅电极包括在栅绝缘层上的多个栅电极，所述多个沟道区域设置在对应的栅电极下方，所述源极区域和漏极区域被设置为与所述多栅电极的最外部相邻。所述TFT包括在所述多栅电极上的第一层间绝缘层和源电极与漏电极，所述源电极与漏电极延伸通过第一层间绝缘层并与各自的源极区域和漏极区域接触。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、显示面板以及显示装置-CN201710282278.6有效
发明人：文亮 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明实施例提供的薄膜晶体管，包括：栅极；有源层，所述有源层包括源极区域、漏极区域和第一沟道区域；所述栅极在所述有源层上的投影区域为所述第一沟道区域，所述第一沟道区域位于所述源极区域与所述漏极区域之间；所述第一沟道区域靠近所述源极区域的一侧边缘包括朝向所述源极区域凸出的第一凸起，所述第一沟道区域远离所述源极区域的一侧边缘包括朝向所述源极区域凸出的第二凸起，本发明实施例提供的技术方案实现了TFT器件在开启状态时
薄膜晶体管显示面板以及显示装置

[发明专利]开关电路、采样保持电路以及固体摄像装置-CN201480032123.1有效
发明人：山崎晋;萩原义雄 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：开关电路具有：半导体层，其包括源极区域、漏极区域以及配置于所述源极区域和所述漏极区域之间的通道区域；栅极电极，其与所述通道区域对置配置；源极布线，其由导电率高于所述半导体层的第1材料形成，与所述源极区域相连接；漏极布线，其由导电率高于所述半导体层的第2材料形成，与所述漏极区域相连接；以及去耦布线，其由导电率高于所述半导体层的第3材料形成，配置于所述源极布线和所述漏极布线之间。根据所述栅极电极的电压，在第1期间内所述源极区域和所述漏极区域处于导通状态，在与所述第1期间不同的第2期间内，所述源极区域和所述漏极区域处于非导通状态。所述源极布线或所述漏极布线的电压在所述第2期间内变化。所述去耦布线的电压在所述第2期间内是恒定的。
开关电路采样保持电路以及固体摄像装置

[发明专利]晶体管及形成晶体管的方法-CN201580055886.2有效
发明人：卡迈勒·M·考尔道;古尔特杰·S·桑胡;钱德拉·穆利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有漏极区域及源极区域的晶体管。导电栅极位于所述源极区域与所述漏极区域之间。第一沟道材料位于所述栅极与所述源极区域之间。所述第一沟道材料是通过一或多种绝缘材料而与所述栅极隔开。第二沟道材料位于所述第一沟道材料与所述源极区域之间，且直接接触所述源极区域。所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。所述源极区域及所述漏极区域中的一者为空穴储集器区域，且另一者为电子储集器区域。隧道电介质材料可位于所述第一沟道材料与所述第二沟道材料之间。
晶体管形成方法

[发明专利]半导体装置-CN200610127219.3有效
发明人：菊地修一;中谷清史;大川重明 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在以往的半导体装置中，按照有源区域形成无源区域，由此存在难以在无源区域中得到所希望的耐压特性的问题。在本发明的半导体装置中，以椭圆形状配置有MOS晶体管(1)。椭圆形状的直线区域(L)用作有源区域，椭圆形状的曲线区域(R)用作无源区域。在无源区域中，按照曲线形状形成有P型的扩散层(3)。另外，在无源区域的一部分中，形成有P型的扩散层(4)。根据该结构，可以提高无源区域中的耐压特性，并且可以维持有源区域的电流能力。
半导体装置

[发明专利]一种实现高清和标清GUI双显示输出的方法-CN200710077503.9无效
发明人：李义才 -专利权人：深圳创维数字技术股份有限公司
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H04N5/445 文献下载
摘要：本发明提供了一种实现高清和标清GUI双显示输出的方法，包括下述步骤：确定HD和SD的OSD大小及OSD的更新方式；设计GUI系统中需要的资源，分别生成源区域及目标区域；把当前GUI画面数据中的各种元素绘制于源区域中；及将源区域中绘制完毕的GUI画面帧数据分别进行目标区域中GUI图形标准的图形变换，从而获取HD和SD双OSD区的当前画面帧数据。本发明以一种屏显区域或显示缓存区为源区域，在源区域上绘制GUI图形元素，通过图形变换，将源区域的GUI图形元素变换至目标区域。如此，不需要直接在目标区域绘制GUI图形元素，而只用一套GUI图形资源完成HD和SD的图形界面。
一种实现 gui 显示输出方法

[发明专利]一种制造鳍式金属氧化物半导体场效应晶体管的方法-CN201611269673.2在审
发明人：师沛 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造鳍式金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，包括提供一衬底，在衬底上形成浅沟槽隔离、鳍结构、栅结构和内偏移侧墙；在内偏移侧墙两侧的鳍结构上形成第一层外延源漏区域EpiSD；在第一层外延源漏区域上方、内偏移侧墙两侧形成第一层外侧墙；在第一层外侧墙两侧的第一层外延源漏区域上继续形成第二层外延源漏区域；在第二层外延源漏区域上方的第一层外侧墙两侧继续形成第二层外侧墙，可重复多次形成外延源漏区域和外侧墙，最终形成阶梯形的侧墙和外延源漏区域结构其中，所需的抬高源漏区域总厚度为所有外延源漏区域和所有外延源漏区域厚度之和，外侧墙总厚度为所有外侧墙和所有外侧墙厚度之和。
一种制造金属氧化物半导体场效应晶体管方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202010672620.5在审
发明人：安庆勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括：逻辑电路，其设置在具有单元区域和单元区域外部的外围区域的基板上；源极板，其被限定在逻辑电路上方；狭缝，其将源极板分成在单元区域中的单元源极板和在外围区域中的虚设源极板；以及存储器单元阵列，其被限定在单元源极板上。虚设源极板保持在恒定电压，而与存储器单元阵列和逻辑电路的操作无关。
半导体存储器装置