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[发明专利]含硅材料的磁力分离-CN03801839.X有效
发明人： J·E·赫尔曼;J·A·布林桑;D·W·斯诺德格拉斯;细川秀彦 -专利权人：陶氏康宁公司;陶氏康宁东丽硅氧烷株式会社
申请日： 2003-01-13 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： C07F7/16 文献下载
摘要：使用磁选器装置处理来自氯代硅烷反应器的含硅材料，以除去含硅磁力内的受磁力影响的组分。在其中含硅材料是供生产硅基化合物用原料的方法中，除去这种组分提供含硅材料的提高反应性，所述含硅材料例如基本烷基卤代硅烷如二甲基二氯硅烷、甲基氢化二氯硅烷和其它氯代硅烷如三氯硅烷，所述氯代硅烷可用于制备有价值的含硅产品
材料磁力分离

[发明专利]乙烯基含氯硅烷的制备方法-CN201110456469.2有效
发明人：汪玉林;廖端友;鲁家华;冯攀;郑云峰 -专利权人：浙江新安化工集团股份有限公司;浙江开化合成材料有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C07F7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种乙烯基含氯硅烷的制备方法，包括以下步骤：将含氢氯硅烷和乙炔在催化剂的作用下于所述第一反应塔的填料表面进行反应，得到含乙烯基含氯硅烷的初产物，将所述初产物和乙炔输入内装填料的第二反应塔中，反应后精馏，得到乙烯基含氯硅烷，所述第一反应塔和第二反应塔中乙烯基含氯硅烷的质量百分含量分别为1～15％和5～60％。本发明通过控制第一反应塔和第二反应塔中乙烯基含氯硅烷的质量百分含量，有效的减少混合物中含氢氯硅烷和乙烯基含氯硅烷的二次加成反应的发生几率，因此，该方法的产物选择性高，二次加成副产物少。实验结果表明，本发明的乙烯基含氯硅烷选择性大于98％、二次加成产物小于2％。
乙烯基硅烷制备方法

[发明专利]一种去除含碳杂质的方法和装置、以及多晶硅生产系统-CN202210920619.9有效
发明人：李聚安;蔡云和;胡启红;詹丽;马永露;王廷海;郭洪星 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开一种去除含碳杂质的方法，包括：对含有三氯氢硅、甲基氯硅烷的物料进行物理吸附处理，吸附分离出含碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅和含有碳杂质甲基氯硅烷、三氯氢硅的吸附物；对所述吸附物进行脱附处理，得到再生料；将所述再生料中的碳杂质甲基氯硅烷中的甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷，得到混合料；对混合料进行精馏分离，分离出混合料中的碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅。本发明还公开一种去除含碳杂质的装置、以及多晶硅生产系统。本发明能够深度分离三氯氢硅与甲基氯硅烷，去除含碳杂质，可用于处理多晶硅生产中的精馏排残物料，对精馏排残物料回收再利用，降低硅耗率，避免碳杂质在多晶硅生产系统中富集，确保多晶硅品质。
一种去除杂质方法装置以及多晶生产系统

[发明专利]一种含氯硅烷废气的回收处理装置-CN201410166914.5有效
发明人：张旭 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种含氯硅烷废气的回收处理装置，包括氯硅烷回收单元、氯硅烷淋洗单元和尾气放空单元，所述氯硅烷回收单元与氯硅烷淋洗单元相连，用于将含氯硅烷废气中的部分氯硅烷气体回收，并将剩余废气输送至氯硅烷淋洗单元；所述氯硅烷淋洗单元还与尾气放空单元相连，用于将所述剩余废气中的余下氯硅烷气体和氯化氢气体淋洗下来，以清除所述剩余废气中的氯硅烷气体和氯化氢气体，并将清除了氯硅烷气体和氯化氢气体的剩余废气输送至尾气放空单元；所述尾气放空单元用于将所述清除了氯硅烷气体和氯化氢气体的剩余废气放空。本发明所述回收处理装置既能充分回收废气中的氯硅烷资源，又能对废气中无法回收的氯硅烷进行无污染处理。
一种硅烷废气回收处理装置

[发明专利]一种去除氯硅烷中含碳杂质的反应精馏提纯方法及装置-CN201911424079.X在审
发明人：黄国强;张明鑫 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除氯硅烷中含碳杂质的反应精馏提纯方法及装置，属于多晶硅生产技术领域。其中反应精馏塔装置包括精馏段、反应段、提馏段，精馏段装填三段填料，提馏段装填有填料，精馏段、提馏段中填料为规整填料；反应段中设置有结构催化剂，提馏段设置氯供体物质循环装置，氯硅烷粗料从精馏段中下部进料，氯供体物质从反应段上部进料，在反应段氯硅烷粗料中含碳杂质甲基二氯硅烷与氯供体在催化剂作用下反应生成高沸点物质甲基三氯硅烷，甲基三氯硅烷最终从塔底采出，高纯氯硅烷从精馏段中上部侧线采出。本发明解决现有工艺条件难以彻底去除氯硅烷中含碳杂质的问题，操作简单，投资费用低，产品氯硅烷的纯度可达99.999％。
一种去除硅烷中含碳杂质反应精馏提纯方法装置

[发明专利]一种含双键硅烷偶联剂及其制备方法-CN202010556376.6在审
发明人：籍建亚 -专利权人：籍建亚
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明公开一种含双键硅烷偶联剂及其制备方法；该含双键硅烷偶联剂由氯硅烷与炔烃在氧化石墨烯负载二亚胺钯催化剂催化下，反应生成含双键的氯硅烷，所得到的含双键的氯硅烷在酸性条件下，发生醇解得到含双键硅烷偶联剂；本发明得到的含双键硅烷偶联剂的制备方法安全无毒，操作简便，产率较高，且催化剂可重复利用；同时，含双键硅烷偶联剂可以和多种无机材料黏结，在制备聚合物材料时，双键可以和聚合物发生交联反应，制备各种功能性材料
一种双键硅烷偶联剂及其制备方法

[发明专利]一种具有高效消泡性能的含氟硅油的制备方法-CN200910232533.1有效
发明人：杨柏忠 -专利权人：江苏赛欧信越消泡剂有限公司
申请日： 2009-12-07 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： B01F17/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高效消泡性能的含氟硅油及其制备方法，丙烯酸和含氟脂肪醇在催化剂作用下发生酯化反应合成含氟脂肪醇丙烯酸酯，含氟脂肪醇丙烯酸酯和甲基二氯氢硅烷进行硅氢加成反应得到含氟二氯硅烷，含氟二氯硅烷与二甲基二氯硅烷在金属氧化物作用下发生脱氯环化反应，最后在封端剂六甲基二硅氧烷的作用下，经开环聚合反应得到含氟硅油。该含氟硅油具有较低的表面张力，作为油性消泡剂具有优良的消泡抑泡效果。
一种具有高效性能硅油制备方法

[发明专利]一种含不同取代基的烯丙基氯硅烷的制备方法-CN200710156444.4无效
发明人：李志芳;杨成军;来国桥;华西林;许文东 -专利权人：杭州师范大学
申请日： 2007-11-05 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明公布了一种以过渡金属铟为催化剂的含不同取代基的烯丙基氯硅烷的制备方法。本发明中，在过渡金属铟催化下，通过二氯硅烷或三氯硅烷与不同取代基的烯丙基溴的偶联反应，合成含不同取代烯丙基的氯硅烷。本发明的优点是：反应条件温和，能够安全地合成含不同取代烯丙基的氯硅烷，产品单一，几乎没有副反应发生等。本发明所制备的化合物在化工中是一种重要的化工原料和试剂。
一种不同取代丙基硅烷制备方法

[发明专利]一种含氟硅油的制备方法-CN201810328345.8在审
发明人：李迎莹 -专利权人：上海瑞彼实业有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C08G77/385 文献下载
摘要：本发明公开了一种含氟硅油的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)首先将含氟丙烯酸酯、双烯基丙烯酸酯和无水乙醇混合制得初级含氟硅油；(2)然后将初级含氟硅油放入反应釜中，再已氯铂酸为催化剂，进行搅拌；(3)然后进行升温；(4)然后将初级含氟硅油和甲基二氯氢硅烷反应得到含氟二氯硅烷；(5)将含氟二氯硅烷、二甲基二氯硅烷和三甲基氯硅烷水解共平衡制得乙烯基笼型倍半硅氧烷侧基硅油；(6)最后通过侧基上乙烯基笼型倍半硅氧烷结构中乙烯基与全氟碘烷发生单电子转移反应制备得到高效的含氟硅油
含氟硅油制备乙烯基笼型倍半硅氧烷含氟二氯硅烷侧基二甲基二氯硅烷甲基二氯氢硅烷双烯基丙烯酸酯含氟丙烯酸酯三甲基氯硅烷全氟碘烷生产效率无水乙醇制造成本转移反应单电子反应釜氯铂酸乙烯基放入硅油水解催化剂平衡

[发明专利]对氯硅烷精馏提纯工序的废气和废液进行处理的方法-CN201310542662.7有效
发明人：曾亚龙;平述煌;闫日春;李仕勇;陆大军;王金;赵生艳;罗平;李涌;辜锋;李俊朝;张云华 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： B01D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了对氯硅烷精馏提纯工序的废气和废液进行处理的方法，其包括：在氯硅烷精馏提纯工序的精馏塔系统中，将塔顶低沸物杂质含量最高的精馏塔内的高杂质废气排出，并将塔釜高沸物杂质含量最高的精馏塔内的高杂质废液排出；收集未排出高杂质废气的精馏塔内的含氯硅烷废气，并输送至填料式氯硅烷冷凝储存设备；将未排出高杂质废液的精馏塔内的含氯硅烷废液收集至氯硅烷回收罐；将冷凝液输送至该氯硅烷回收罐；将该氯硅烷回收罐中的混合液体泵送至吸附床，获得氯硅烷液体。该方法能够在保障电子级多晶硅生产系统稳定运行的同时，最大限度的回收与利用氯硅烷精馏系统废气废液中的氯硅烷，氯硅烷回收率可达95%以上，且节能降耗、科学环保。
硅烷精馏提纯工序废气废液进行处理方法

[发明专利]基于巯基-烯点击反应的α-碳上连有硫醚键并含不同官能基的三烷氧基硅烷及制备-CN201811066854.4有效
发明人：贝逸翎;高艳红;朱庆增;冯圣玉 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种α‑碳上连有硫醚键并含不同官能基的三烷氧基硅烷的制备方法。该方法以氯甲基三氯硅烷与醇钠反应制备了氯甲基三烷氧基硅烷，之后氯甲基三烷氧基硅烷在催化剂的作用下与硫脲进行反应制得α‑巯甲基三烷氧基硅烷；通过光引发的巯基‑烯点击反应，使得α‑巯甲基三烷氧基硅烷与含双键化合物相连，得到α‑碳上连有硫醚键并含不同官能基的三烷氧基硅烷。该方法的原料之一为工业副产物氯甲基三氯硅烷，为氯甲基三氯硅烷开辟了高效利用的途径，环保节能，减少了有毒催化剂的使用，符合绿色环保的理念；本发明的原料和反应试剂易得，产物易分离纯化，符合原子经济；制备工艺简单
基于巯基点击反应碳上连有硫醚键不同官能三烷氧基硅烷制备

[发明专利]乙烯基含氯硅烷的合成方法-CN98105072.7无效
发明人：李凤仪;兰支利;刘文明 -专利权人：南昌大学
申请日： 1998-03-07 - 公布日： 2001-11-07 - 主分类号： C07F7/14 文献下载
摘要：本发明为乙烯基含氯硅烷的合成方法，通过在反应体系中加入聚乙烯基硅氧烷保持催化剂的反应活性，用乙炔鼓泡含氢氯硅烷使反应物充分混合，控制反应内含氢氯硅烷和产物乙烯基含氯硅烷的量，及反应体系中的Ｈ＃-[２]Ｏ、醇类及胺类化合物的量，使催化剂活性好且稳定，乙烯基含氯硅烷选择性〉９５％，二次加成物含量〈３％，Ｒ＃-[4-n-1]SiCl＃-[n+1]含量<３％，方法简单，条件温和。
乙烯基硅烷合成方法

[发明专利]用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的方法及装置-CN202010113277.0有效
发明人：杨典;万烨;赵雄;孙强;王芳;付强;裴蕾;张征 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的方法及装置。其中，该方法包括以下步骤：S1，将三氯氢硅原料在精馏装置中脱去高沸点组分和低沸点组分，得到精馏三氯氢硅；S2，将精馏三氯氢硅送入吸附装置中去除甲基氯硅烷，得到高纯氯硅烷；其中，吸附装置中填充有富含氨基的树脂型吸附剂和铂系催化剂应用本发明的技术方案是利用与甲基氯硅烷具备亲和力的富含氨基的树脂型吸附剂，在铂系催化剂作用下，将甲基氯硅烷杂质去通过吸附工艺去除掉，从而将多晶硅生产过程中精馏产品的总含甲基氯硅烷杂质含量降低到50ppb以下，生产出高纯度4N以上，含碳杂质＜50ppb的高纯氯硅烷。
用于高纯硅烷生产去除杂质方法装置

[发明专利]含稠环基聚硅烷制备方法-CN200510061319.6有效
发明人：来国桥;李美江;刘志芳;吕素芳;邱化玉;刘勇 -专利权人：杭州师范学院
申请日： 2005-10-31 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： C08F283/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种含稠环基聚硅烷制备新方法，本发明需要解决的技术问题是，提供一种操作简单、安全，聚硅烷聚合度较高，所得共聚物分离较方便的含稠环基聚硅烷制备新方法。本发明方法，乙烯基硅烷共聚物B在高沸点溶剂α－氯萘中，氮气保护下与稠环基环戊二烯酮A发生加成反应，在聚硅烷的侧链中引入稠环基，得含稠环基聚硅烷产品。本发明的乙烯基硅烷共聚物B还可以通过烷基乙烯基二氯硅烷，烷基苯基二氯硅烷和/或二烷基二氯硅烷聚合而得。
含稠环基聚硅烷制备方法

[发明专利]一种反应精馏去除三氯氢硅中甲基二氯硅烷的装置和方法-CN201811381032.5在审
发明人：王红星;陈锦溢;华超;刘洋;李飞 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及反应精馏去除三氯氢硅中甲基二氯硅烷的装置和方法，由四氯化硅预处理装置(A)、含甲基二氯硅烷的三氯氢硅原料预处理装置(B)和反应精馏塔(C)组成。分别经过预处理后的四氯化硅与含甲基二氯硅烷的三氯氢硅原料在反应精馏塔内进行氯原子再分配反应，并通过反应精馏的分离作用，从塔顶采出反应产物三氯氢硅，塔釜采出过量的四氯化硅和生成的甲基三氯硅烷。为了保证甲基二氯硅烷的完全转化，四氯化硅适当过量。本发明流程简单，甲基二氯硅烷转化率高。
甲基二氯硅烷三氯氢硅四氯化硅反应精馏反应精馏塔去除过量原料预处理装置甲基三氯硅烷预处理预处理装置再分配反应分离作用氯原子塔顶塔釜转化保证

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