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[发明专利]薄膜晶体管基底及其制造方法和具有该基底的显示面板-CN200710139128.6有效
发明人：尹铢浣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管基底包括栅电极、栅极绝缘图案、沟道图案、第一有机绝缘图案、源电极和漏电极。栅电极形成在底部基底上。栅极绝缘图案形成在栅电极上并且比栅电极小。沟道图案形成在栅极绝缘图案上，并且沟道图案比栅电极小。第一有机绝缘图案形成在底部基底上，以覆盖沟道图案、栅极绝缘图案和栅电极。
薄膜晶体管基底及其制造方法具有显示面板

[发明专利]场效应晶体管-CN202011501211.5在审
发明人：李珉贤;薛珉洙;赵连柱;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种场效应晶体管包括基板、在基板上且在第一方向上彼此间隔开的源电极和漏电极、多个沟道层、围绕所述多个沟道层中的每个的栅绝缘膜、以及围绕栅绝缘膜的栅电极。所述多个沟道层中的每个具有接触源电极和漏电极的端部。所述多个沟道层在远离基板的第二方向上彼此间隔开。所述多个沟道层包括2D半导体材料。
场效应晶体管

[发明专利]包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法-CN201410433124.9有效
发明人：李载昊;卞卿溵;宋俔在;申铉振;李珉贤;柳寅敬;朴晟准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：石墨烯器件是其中石墨烯被用作沟道的场效应晶体管(FET)。源电极和漏电极不直接接触石墨烯沟道，通过掺杂半导体而形成的结接触分离地设置在石墨烯沟道和源电极之间以及石墨烯沟道和漏电极之间。因此，在其中电压不施加到栅电极的截止状态中，由于在石墨烯沟道和结接触之间的势垒，载流子不会移动。结果，石墨烯器件在截止状态可以具有低电流。
包括分离接触石墨器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202110333814.7在审
发明人：金成吉;姜景文;徐周延;洪慧垠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：栅电极，彼此间隔开并在衬底上；穿透栅电极的沟道结构，每个沟道结构包括沟道层、在沟道层与栅电极之间的栅极电介质层、填充沟道层中的空间的沟道绝缘层和在沟道绝缘层上的沟道垫；以及分隔区域，穿透栅电极并彼此间隔开，其中栅极电介质层相比于沟道层进一步向上延伸，使得栅极电介质层的内侧表面的一部分接触沟道垫，沟道垫包括：下垫，在沟道层的上端和栅极电介质层的内侧表面上并在栅极电介质层的内侧表面之间具有第一凹陷
半导体器件

[实用新型]电缆生产设备-CN201920166764.6有效
发明人：戴礼松;刘文成;侯玉龙 -专利权人：安徽德尔电气集团有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电缆生产设备，包括工作台板，工作台板的顶部中心处开设有截断窗口和让位窗口，截断窗口的顶部设置有铰接座，铰接座上转动连接有上切刀体，且上切刀体位于截断窗口的上方，工作台板的顶部左侧后端设置有防护机箱，防护机箱的内腔设置有截断电机，截断电机的右侧动力输出端连接有驱动轴，驱动轴的右侧固接有三叶盘，且三叶盘的底部伸入让位窗口的内腔，三叶盘的右侧前端固接有联动柱，联动柱的右侧转动连接有联动板条，且联动板条的顶部与上切刀体的右侧壁后端相转接，本实用新型结构设计合理，便于对电缆的截断加工，减少对作业员身体产生的危害，降低劳动强度，提高工作效率，有利于电缆大量的截断加工工作。
截断工作台板上切刀电缆生产设备本实用新型防护机箱转动连接铰接座联动板联动柱驱动轴固接内腔让位电机电缆动力输出端顶部设置顶部中心工作效率转接右侧壁伸入加工

[发明专利]具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法-CN201510223664.9有效
发明人：贾护军;张航;邢鼎;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于场效应晶体管技术领域，旨在提供一种具有宽沟道深凹陷且能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法；采用的技术方案为：自上而下设置有4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别设置有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层的表面分别设置有源电极和漏电极，N型沟道层中部且靠近源极帽层的一侧设置有阶梯状的栅电极，栅电极和N型沟道层两侧形成左侧沟道和右侧沟道，栅电极的低栅面与N型沟道层表面平齐，栅电极低栅面正下方的P型缓冲层上设置有凹槽。
栅电极场效应晶体管凹陷漏极帽层源极帽层缓冲层低栅沟道制备表面平齐击穿电压频率特性输出电流半绝缘阶梯状靠近源宽沟道漏电极源电极衬底极帽

[发明专利]一种基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器-CN201811624877.2在审
发明人：梁凌燕;肖溪;曹鸿涛;裴郁;段宏筱 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器，包括薄膜晶体管，所述晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极；所述沟道层为非晶氧化镓基薄膜；所述薄膜晶体管为底栅结构，所述衬底上设有栅电极，栅电极外覆盖有栅介质层，栅介质层上部分覆盖有沟道层，沟道层的两端部分别设有源电极和漏电极；或，所述薄膜晶体管为顶栅结构，所述衬底覆盖有沟道层，沟道层上部分覆盖有栅介质层，栅介质层的两端部分别设有源电极和漏电极，栅介质层上设有栅电极。
栅介质层沟道层深紫外光栅电极衬底薄膜晶体管电探测器基薄膜漏电极氧化镓源电极晶体管非晶覆盖两端部底栅结构顶栅结构响应度功耗制备照射兼容

[发明专利]发光二极管芯片、显示面板以及电子设备-CN201980004150.0在审
发明人：林雅雯;黄嘉宏;杨顺贵;黄国栋 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种发光二极管芯片(72)、显示面板(7)和电子设备(8)，该发光二极管芯片(72)包括：第一半导体层(21)、第二半导体层(22)、第一电极(3)和第二电极(4)，第一电极(3)与第一半导体层(21)电连接，第二电极(4)与第二半导体层(22)电连接，第一电极(3)为包围第二电极(4)设置的环形结构，第一电极(3)和第二电极(4)之间形成环形的第一沟道(5)，第一电极(3)上设置有至少一个第二沟道(6)，至少一个第二沟道(6)贯穿第一电极(3)内侧和外侧并与第一沟道(5)连通，第一沟道(5)与第二沟道(6)连通有利于发光二极管芯片(72)焊接时产生的助焊剂清理，进一步减少短路的情况。
发光二极管芯片显示面板以及电子设备

[发明专利]一种模拟生物信号的半导体器件-CN202111137703.5在审
发明人：李少青;周维亚;夏晓刚;王艳春;解思深 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明提供了一种模拟生物信号的半导体器件，包括栅、源和漏电极，源、漏电极与栅电极之间存在电解质，源、漏电极之间存在沟道。沟道材料为Li4+kTi5O12(0≤k≤3)，栅电极材料为金属锂。在器件工作时，沟道的电压或表观电阻视栅电极信号的不同表现为：沟道的电压或表观电阻先高于对应的静息值，随时间增加逐渐降低至低于静息值；或沟道的电压或表观电阻先低于对应的静息值，随时间增加逐渐升高至高于静息值；其中，栅电极信号为施加于栅电极与源电极之间的调控信号，静息值为半导体器件未接受到栅电极信号时沟道处于平衡态时的对应的电压或表观电阻。
一种模拟生物信号半导体器件

[发明专利]使用氧化物半导体的薄膜晶体管和显示器-CN200980103882.1有效
发明人：阿米达·高亚;板垣奈穗;岩崎达哉 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-01-30 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括在衬底上形成的栅电极、栅极绝缘层、沟道层、源电极和漏电极，其中：该沟道层含有铟、锗和氧；并且该沟道层具有0.5-0.97的由In/(In+Ge)表示的组成比。
使用氧化物半导体薄膜晶体管显示器

[发明专利]氧化镓场效应晶体管的制备方法-CN202210470521.8在审
发明人：吕元杰;刘宏宇;王元刚;付兴昌;方园;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化镓场效应晶体管的制备方法，包括：提供一衬底；在衬底上外延生长n型氧化镓沟道层；在n型氧化镓沟道层的两端分别沉积源电极和漏电极；在n型氧化镓沟道层的预设沟道区域内制备光刻掩膜图形；对n型氧化镓沟道层进行刻蚀，得到多个不连续的刻蚀凹坑，相邻刻蚀凹坑相靠近的两侧壁在n型氧化镓沟道层上形成鳍状台面；鳍状台面的两个侧壁从源电极侧以相互远离的方式向漏电极侧延伸；利用介质保护，对鳍状台面区域进行热氧退火处理；在鳍状台面的上表面和两个侧壁以及靠近源电极的n型氧化镓沟道层上沉积栅电极。本发明通过制备斜的Fin沟道，使得栅电极具有更高的表面积与体积比，具有更好的栅控能力，从而提高器件的击穿特性。
氧化场效应晶体管制备方法

[发明专利]显示装置、半导体装置-CN200710136692.2有效
发明人：佐藤瑞季 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-07-20 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的技术要点如下：在形成在相邻的像素电极(或元件的电极)之间的布线下方形成具有多栅结构的TFT的沟道形成区域。另外，将多个沟道形成区域的沟道宽度的方向设定为与在所述像素电极形状中的长边方向平行。另外，通过使沟道宽度的长度大于沟道长度的长度，来扩大沟道形成区域的面积。
显示装置半导体装置

[发明专利]环绕栅沟道碳化硅场效应晶体管及其制作方法-CN202310971611.X有效
发明人：张腾;魏则鲁;黄润华;柏松;杨勇 -专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种环绕栅沟道碳化硅场效应晶体管及其制作方法，晶体管包括在第二导电类型沟道层上沿着栅条方向周期性分布，贯穿第二导电类型沟道层并接触沟槽的第二导电类型沟道层刻蚀窗口，位于沟槽内表面的第一栅介质层、位于第二导电类型沟道层的上表面的第二栅介质层和位于第二导电类型沟道层刻蚀窗口内壁上的第三栅介质层；填充沟槽内的第一栅电极、覆盖部分第二栅介质层上表面的第二栅电极和填充第二导电类型沟道层刻蚀窗口的第三栅电极；本发明采用环绕栅沟道设计，利用上下双层栅电极实现超薄沟道的栅控导通，可获得超高的沟道迁移率，极大程度降低器件的导通电阻。
环绕沟道碳化硅场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]声纳设备断电后实现储能电容自动放电的装置-CN201410719596.0有效
发明人：林挺清;祝鸿浩;刘亮 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七二六研究所
申请日： 2014-12-01 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明涉及声纳系统，公开了一种声纳设备断电后实现储能电容自动放电的装置，包括：控制放电的两个耦合的三极管V3和V4，V4的集电极通过电阻R5和R1、V3的集电极通过电阻R3和R2与储能电容C1～Cn的正极端连接；V3的集电极通过电阻R6和R4与P沟道场效应管V2的栅极连接，P沟道场效应管V2的源极与储能电容C1～Cn的正极端连接，漏极通过限流电阻R8接地。
储能电容声纳设备集电极电阻自动放电正极端放电断电带电状态设备维修声纳系统限流电阻栅极连接接地三极管耦合的漏极源极

[发明专利]显示装置、显示面板及其制造方法-CN202280000913.6在审
发明人：杨盛际;陈小川;董学;王辉;张大成;黄冠达;卢鹏程;焦志强 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;云南创视界光电科技有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：显示面板包括驱动背板(BP)、第一电极层(FE)、像素定义层(PDL)、发光层(OL)和第二电极(CAT)，第一电极层(FE)设于驱动背板(BP)一侧面，且包括多个第一电极(ANO)；像素定义层(PDL)与第一电极层(FE)设于驱动背板(BP)的同一侧面，且露出各第一电极(ANO)；像素定义层(PDL)包括沿背离驱动背板(BP)的方向层叠的填充层(PBR)和截断层(PCL)，填充层(PBR)的厚度小于第一电极层(FE)；截断层(PCL)设有位于第一电极(ANO)以外的分隔槽(SES)，分隔槽(SES)的侧壁设有第一截断槽(CUS1)；发光层(OL)覆盖截断层(PCL)和第一电极层(FE)；第二电极(CAT)覆盖发光层
显示装置显示面板及其制造方法