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[发明专利]高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法-CN202011588662.7有效
发明人：邓小川;胡睿;吴昊;刘瑞;姜春艳;严静融;张波 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;电子科技大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法，包括第一金属电极层、N+型衬底、N‑型漂移区、N型沟道和N型保护环；相邻N型沟道之间的N‑型漂移区内设有源区P+型保护环，相邻N型保护环之间的N‑型漂移区内设有终端P+型保护环，相邻N型沟道和N型保护环之间设有过渡区，相邻的N型沟道之间、N型过渡区和N型保护环之间、相邻N型保护环之间都为沟槽；本发明同时形成有源区肖特基金属下的沟道区域和终端区嵌入钝化层的N型保护环结构，能够在重复雪崩、高温高压、长时间老化等极端应力下保持稳定的阻断电压而不发生漂移，且提高器件可靠性的同时不牺牲器件其他电学参数。
高压 sic 肖特基二极管终端结构及其制备方法

[实用新型]三相高效电热水器-CN93235052.6无效
发明人：张清泉 -专利权人：张清泉
申请日： 1993-11-19 - 公布日： 1995-03-08 - 主分类号： F24H1/20 文献下载
摘要：系由金属外罩和内、外电极组装于设置在储水槽上的电极支座上，其内电极为三片一组，共三组，按顺序接于a、b、c三相电源，其外电极接零线，使相邻电极片之间形成平行板电场，经由加热和故障显示电路，漏电报警自动截断电源保护电路
三相高效电热水器

[实用新型]连接器、主机及气溶胶发生装置-CN202122688053.5有效
发明人：赵贯云;赵波洋;余渊豪 -专利权人：深圳市吉迩科技有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： A24F40/46 文献下载
摘要：本实用新型提供一种连接器、主机及气溶胶发生装置，主机包括：支架；第一电极板及第二电极板，分别设置在支架内；第一连接件，固定在支架上；第一连接件包括至少一第一沟道及至少一第二沟道；及第一电极及第二电极；第一电极收容在第一沟道内且与第一电极板电连接，第二电极收容在第二沟道内且与第二电极板电连接；第一电极能够在第一沟道内滑动，第二电极能够在第二沟道内滑动，以改变第一电极和第二电极的相对位置和相对距离。本实用新型提供的主机及气溶胶发生装置能够适配电极距离不同的不同型号的雾化器。
连接器主机气溶胶发生装置

[发明专利]薄膜晶体管装置及其制造方法-CN201180001792.9无效
发明人：永井久雄;堀田定吉;河内玄士朗 -专利权人：松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：将源电极(110)或漏电极(120)与硅层(130)及(140)层叠而成的膜厚是与将第1沟道层(150)和第2沟道层(160)层叠而成的膜厚相同的相同值或相同值的邻域值的范围内的膜厚，将第1沟道层(150)和第2沟道层(160)层叠而成的膜厚在源电极(110)及漏电极(120)之间的区域、以及源电极(110)及漏电极(120)的上方是相同膜厚，第1沟道层(150)和第2沟道层(160)沿着源电极(110)及漏电极(120)之间的形状在源电极(110)及漏电极(120)之间的区域凹陷，栅电极(180)具有与源电极(110)及漏电极(120)重叠的区域。
薄膜晶体管装置及其制造方法

[发明专利]具有凸型沟道的4H-SiC金属半导体场效应管-CN202210269960.2在审
发明人：贾护军;张云帆;朱顺威;王欢;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有凸型沟道的4H‑SiC金属半导体场效应管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层和N型沟道层，所述N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间形成凹陷的沟道表面，所述N型沟道上表面靠近源极帽层的一侧形成凸型沟道，所述凸型沟道表面设有栅电极，所述凸型沟道与漏极帽层之间形成凹陷栅漏飘移区，所述凸型沟道与源极帽层之间形成栅源飘移区，所述栅电极下形成部分向上凸起的缓冲层。
具有沟道 sic 金属半导体场效应

[发明专利]基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件-CN201710380274.1有效
发明人：周幸叶;冯志红;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;徐鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件，涉及微电子器件技术领域，自下而上包括衬底层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅介质层、钝化层、源电极、漏电极和栅电极；将AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件栅电极下方的异质结刻蚀形成纳米沟道，则纳米沟道两侧区域不存在二维电子气，栅电极包裹在纳米沟道的上方及两侧壁，由于栅电极从三个方向对沟道内的电子进行调制，栅控能力强，能够很好地抑制短沟效应。当纳米沟道的宽度很小时，沟道内的二维电子气被耗尽，器件实现增强型。采用凹槽栅结构，纳米沟道和凹槽栅共同作用，可以保证器件在实现增强型的同时具有较大的纳米沟道宽度，减小导通电阻。
基于纳米沟道凹槽增强 gan 晶体管器件

[实用新型]基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件-CN201720593804.6有效
发明人：周幸叶;冯志红;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;徐鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件，涉及微电子器件技术领域，自下而上包括衬底层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅介质层、钝化层、源电极、漏电极和栅电极；将AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件栅电极下方的异质结刻蚀形成纳米沟道，则纳米沟道两侧区域不存在二维电子气，栅电极包裹在纳米沟道的上方及两侧壁，由于栅电极从三个方向对沟道内的电子进行调制，栅控能力强，能够很好地抑制短沟效应当纳米沟道的宽度很小时，沟道内的二维电子气被耗尽，器件实现增强型。采用凹槽栅结构，纳米沟道和凹槽栅共同作用，可以保证器件在实现增强型的同时具有较大的纳米沟道宽度，减小导通电阻。
基于纳米沟道凹槽增强 gan 晶体管器件

[发明专利]一种用于电力施工的线盘便捷运输车-CN201810472683.9有效
发明人：梁瑞城 -专利权人：淮北市硕华机械设备有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： B65H75/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电力施工的线盘便捷运输车，其结构包括：左侧圆盘、固定转轴、万向轮、电缆截断装置、底座、右侧圆盘、固定架、显示屏、操作按钮、控制箱与扶手杆，电缆截断装置包括截断驱动机构、凸轮传动机构、截断机构、收卷驱动机构、收卷机构、电缆传输机构、装置外壳、装置底座、侧面开孔与上方开孔；本发明一种用于电力施工的线盘便捷运输车，解决传统的线盘运输车，在电力施工过程中，需要依靠人力将电缆收卷与截断电缆，造成施工人员劳动强度大，施工效率低的问题，能够实现方便收卷与截断电缆，从而减轻施工人员劳动强度与提高施工效率。
电力施工电缆运输车截断线盘截断装置施工效率收卷收卷驱动机构凸轮传动机构线盘运输车操作按钮侧面开孔电缆传输固定转轴截断机构驱动机构收卷机构装置底座装置外壳传统的扶手杆固定架控制箱万向轮开孔底座施工显示屏

[发明专利]一种双栅氧化层PES-LDMOS的制作方法-CN202210610220.0在审
发明人：廖永波;冯珂;刘仰猛;刘玉婷;徐璐;路远;黄乐天 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：包括以下步骤：S1：在P型衬底上进行离子注入；S2：离子注入形成P+区、N+源区、N+漏区；S3：通过刻蚀工艺，将多余部分进行刻蚀；S4：进行SiO2生长；S5：在沟道区上方生长栅介质层；S6：在栅介质层的上方淀积金属形成栅电极。该方法减少了沟道上方栅介质层中的固定空穴电荷，减弱了其对电子的吸引能力，从而减小了阈值电压Vth偏移量；其次沟道的P+区域，也可以有效抑制STI中寄生沟道的形成，抑制了泄漏电流路径，减小了关断电流Ioff。
一种氧化 pes ldmos 制作方法

[发明专利]氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法-CN202310217539.1在审
发明人：吴先民;方雪冰;梁帅;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法，其中，氮极性面氮化镓晶体管包括自下而上依次层叠设置的衬底层、键合层、支撑层、势垒层和材质为GaN的沟道层，沟道层的氮极性面朝上，且沟道层上方设置有栅电极和与沟道层形成欧姆接触的源电极及漏电极，源电极和漏电极分别位于沟道层相对的两侧，栅电极位于源电极和漏电极之间，且栅电极与沟道层通过材质为AlGaN的阻挡层连接，栅电极与阻挡层之间形成肖特基接触。本发明通过采用GaN作为沟道层，且GaN朝向电极的一面为氮极性面，氮极性面的每个晶胞具有三个悬挂键，在与金属形成欧姆接触时极大程度上降低了接触电阻，从而降低器件在工作状态下的自热效应，以降低晶体管的自热效应
极性氮化晶体管及其制造方法

[实用新型]一种IGBT驱动电路-CN201320354347.7有效
发明人：崔增良;杜鹏 -专利权人：山东朗进科技股份有限公司
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种IGBT驱动电路，包括光电耦合器、IGBT模块、正负电极和推挽电路，推挽电路包括并联的一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管，N沟道MOS管的集电极与正负电极的正电极连接，P沟道MOS管的集电极与正负电极的负电极连接，N沟道MOS管和P沟道MOS管的栅极通过第一电阻与光电耦合器的输出端VOUT连接，N沟道MOS管通过第二电阻与IGBT模块的栅极输入端连接，P沟道MOS管的发射极通过第三电阻与所述
一种 igbt 驱动电路

[发明专利]一种尿液检测装置及小便器-CN202010330012.6在审
发明人：李春林 -专利权人：重庆德方信息技术有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种尿液检测装置，其包括镜检模块，该镜检模块包括镜检电磁阀、压力传感器、计数池、截断电磁阀和图像采集模块；所述计数池的进口端与镜检电磁阀的出口端连通；所述计数池的出口端与截断电磁阀进口端连通，截断电磁阀与小便器连通；所述图像采集模块用于计数池内样本的图像进行采集。尤其重要的，当样本完全充满计数池后，停止向计数池输送样本，同时关闭镜检电磁阀和截断电磁阀，此时计数池中的样本处于静止状态，通过采集静止状态的样本图像，可以得到准确性较高的检测结果。
一种尿液检测装置小便器

[发明专利]微沟道电极及其微流控分析芯片-CN200610125095.5无效
发明人：赵兴中;刘侃;丁会江 -专利权人：武汉大学
申请日： 2006-11-22 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：一种微沟道电极，它基底的沟道中有电极，其特征在于：沟道中的电极由导电流体和导体孔针构成，导体孔针插在导电流体中。本发明的微沟道电极和微流控分析芯片，结构简单、便于制作、成本低廉，而且具有高深宽比，均一强电场达100KV/cm以上，适合于制作需要大面积均一电场的微流控分析芯片。在基底的沟道中通入不同的导电液体形成各种精度、响应速度不同的可集成于微沟道的电极。
沟道电极及其微流控分析芯片

[实用新型]一种基于牛仔裤的回收切割装置-CN202320197093.6有效
发明人：王广;王伟华;张俊平 -专利权人：山东碧海标志服装有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： D06H7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于牛仔裤的回收切割装置，包括进料架，所述进料架内侧安装有截断机构，所述截断机构包括滑轨、碎料屉、进料电机、传动轴、条形传送带、截断电机、截断刀组、限位杆、限位滚轮和出料坡，所述进料架内侧两端安装有两个滑轨，所述滑轨内部滑动嵌入有碎料屉，所述进料架进料端外侧表面通过电机座安装有进料电机，所述进料架进料端和出料端均嵌入安装有传动轴，本实用新型结构科学合理，使用安全方便，通过进料电机、条形传送带、截断电机和截断刀组的设置，使得本装置能够实现进料的自动化，能够减少人力的投入使用，同时截断刀组的设置使得后续的布条的形成变得更加顺利。
一种基于牛仔裤回收切割装置

[实用新型]一种指接木材梳齿机-CN202122388653.X有效
发明人：刘祥宏 -专利权人：东莞市新崚晟机械有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B27F1/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种指接木材梳齿机，包括机架，机架的一侧设有移动夹紧工作台和横向驱动机构，另一侧依次设有切线槽机构、截断机构以及梳齿机构，切线槽机构包括活动设于机架上的升降滑座和升降驱动组件，升降滑座上设有第一纵向滑座和第一纵向驱动组件，第一纵向滑座上设有切线槽电机，切线槽电机的转轴上设有切线槽锯片，截断机构包括活动设于机架上的第二纵向滑座和第二纵向驱动组件，第二纵向滑座上设有截断电机，截断电机的转轴上设有截断锯片，机架上还设有与移动夹紧工作台、横向驱动机构、切线槽机构、截断机构以及梳齿机构连接的控制系统。本实用新型可对切线槽机构和截断机构的位置实现智能化调节，精度高，调节方便，效率高。
一种木材梳齿

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