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[发明专利]一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法-CN201710131738.5有效
发明人：徐强;夏志良;严萍;李广济;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法，其中，所述沟槽版图结构包括：沟槽开口，沟槽开口包括字线台阶区沟槽开口和阵列区沟槽开口；位于相邻两条沟槽开口之间的沟槽孔开口；其中，字线台阶区沟槽开口与阵列区沟槽开口相接，沿垂直于沟槽开口长度延伸方向上，字线台阶区沟槽开口的宽度大于阵列区沟槽开口的宽度。由于将字线台阶区沟槽开口的宽度进行增大处理，使得字线台阶沟槽底部的尺寸增加，在沉积金属过程中，字线台阶区的金属堆积厚度，相对于未增加宽度的字线台阶区沟槽底部金属堆积厚度较薄，从而在后续从沟槽中分离金属的步骤中，使得金属能够有效分离，从而避免了金属栅和金属栅之间的漏电。
一种沟槽版图结构半导体器件及其制作方法

[发明专利]金属互连结构的形成方法-CN201410554555.0在审
发明人：刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种金属互连结构的形成方法。包括，在半导体基底表面，以及半导体基底的沟槽内形成金属籽晶层后，在金属籽晶层表面形成遮挡层；之后去除沟槽底部的遮挡层，露出沟槽底部的金属籽晶层，而保留覆盖于沟槽侧壁的遮挡层。后续在金属籽晶层上继续形成金属层过程中，基于沟槽侧壁上覆盖有遮挡层，而无法在沟槽的侧壁上继续形成金属层，因而只能由沟槽底部露出的金属籽晶层上，由下至上逐渐形成金属层，直至填充满沟槽，从而可有效避免在沟槽内未填充满金属层的条件下，沟槽的开口过早闭合，致使在沟槽内的金属层中形成空隙的缺陷，进而提高后续形成于沟槽内的金属互连结构的性能和后续形成的半导体器件的性能。
金属互连结构形成方法

[发明专利]半导体装置-CN201610880643.9有效
发明人：郑元根;李厚容;全宅洙;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一沟槽和第二沟槽；衬里图案，分别沿着第一沟槽和第二沟槽的侧表面的一部分并沿着第一沟槽和第二沟槽的底表面；逸出功金属，分别在第一沟槽和第二沟槽中并在衬里图案上；第一阻挡金属，在第一沟槽中并在逸出功金属上，并具有第一厚度；第二阻挡金属，在第二沟槽中并在逸出功金属上，并具有比第一厚度厚的第二厚度；以及第一填充金属，在第一阻挡金属上。
半导体装置

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201910436105.4在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括以下步骤：提供基底，在基底的一侧形成金属栅极沟槽；沿着金属栅极沟槽的宽度延伸方向切割金属栅极沟槽以形成切割沟槽；在金属栅极沟槽内金属栅极沟槽与切割沟槽重叠部分的投影区域内沉积隔离材料，及在切割沟槽的其余区域沉积隔离材料；在金属栅极沟槽的其余区域沉积金属栅极材料以形成金属栅极结构。本发明提供的半导体器件及其形成方法，有效地避免了现有技术中先在基底上形成金属栅极，然后刻蚀该金属栅极形成切割沟槽，而金属栅极的硬度较大，比较难刻蚀，不易形成隔离结构的问题；或者，先形成隔离结构，再形成金属栅极，金属栅极两侧会有基底残留，导致半导体器件的性能不佳的问题。
一种半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体制造方法和半导体结构-CN202011025749.3在审
发明人：李南照;高建峰;刘卫兵;李俊杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体制造方法和半导体结构，包括如下步骤：在半导体基板上形成金属层沟槽；在所述金属层沟槽上沉积金属保护层和旋涂硬掩模；在所述金属层沟槽下形成金属层连接结构；去除旋涂硬掩模和金属保护层，填充金属，形成金属层。通过在金属层沟槽上沉积金属保护层和旋涂硬掩模，使沉积金属保护层覆盖金属层沟槽；再在金属层沟槽下形成金属层连接结构，能够减少等离子处理工艺在金属层沟槽导致的介电常数变化，从而改善半导体元件的性能。
半导体制造方法结构

[实用新型]一种可周转式临建成品排水沟-CN201520702636.0有效
发明人：刘洋洋;邹宇;陈吉光 -专利权人：中建八局第二建设有限公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： E03F5/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可周转式临建成品排水沟，涉及建筑施工领域，其结构包括金属沟槽与其顶端设置的盖板，所述金属沟槽的上端敞口且该敞口成倒凸形，盖板大小与金属沟槽上端敞口形状相配合，其特征在于，金属沟槽的下部也为敞口型，在金属沟槽的下部设置有上部敞口的活动槽，该活动槽的两个侧壁套接在金属沟槽的下部，活动槽的两个侧壁内表面与金属沟槽下部侧壁的外表面相接触，且活动槽与金属沟槽之间滑动连接，使得活动槽可以相对于金属沟槽上下移动位置
一种周转建成排水沟

[发明专利]用于半导体结构的金属特征的自底向上填充（BUF）-CN201580080097.4在审
发明人： S·B·克伦德宁;M·M·米坦;T·E·格拉斯曼;F·格里吉欧;G·M·克洛斯特;K·N·弗拉休尔;F·格瑟特莱恩;R·胡拉尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：描述了用于形成半导体结构的金属特征的自底向上填充方式和所得到的结构。在示例中，一种半导体结构包括设置于层间电介质(ILD)层中的沟槽。沟槽具有侧壁、底部和顶部。U形金属种子层设置在沟槽的底部并沿着沟槽的侧壁，但大体上位于沟槽的顶部下方。金属填充层设置在U形金属种子层上并将沟槽填充到沟槽的顶部。金属填充层沿沟槽的侧壁的位于U形金属种子层上方的部分与ILD层的电介质材料直接接触。
用于半导体结构金属特征向上填充 buf

[发明专利]金属填充沟槽的方法-CN201310036612.1有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属填充沟槽的方法，包括：提供沟槽，在所述沟槽底部和侧壁形成润湿金属层；形成所述润湿金属层后，在所述沟槽内填充牺牲材料层，所述牺牲材料层将所述沟槽完全填充；刻蚀所述牺牲材料层，直至暴露出部分沟槽侧壁的润湿金属层；使暴露的所述润湿金属层反应形成绝缘层或在暴露的所述润湿金属层上形成绝缘层；形成所述绝缘层后，清除剩余的所述牺牲材料层；采用第一沉积法沉积金属层，所述金属层高度不大于刻蚀中未暴露的润湿金属层高度；采用第二沉积法继续沉积金属层，直至完全填充所述沟槽。该方法能够在金属填充高深宽比的沟槽时，实现无间隙填充。
金属填充沟槽方法

[发明专利]沟槽型MOSFET终端-CN202211107410.7在审
发明人：杨科;苏毅;常虹 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了沟槽型MOSFET终端，涉及半导体功率器件技术领域。包括：源极区金属层，栅极区金属层，截止区金属层，依次设置在第一导电外延层内的接地沟槽，悬空沟槽和截止区沟槽；所述源极区金属层通过第四接触孔与位于所述接地沟槽的第一多晶硅层接触；所述截止区金属层通过第五接触孔与位于所述截止区沟槽的栅氧化层接触；所述悬空沟槽位于所述截止区沟槽与所述接地沟槽之间；所述截止区金属层通过第六接触孔与位于所述截止区沟槽一侧的第一导电类型源区接触。
沟槽 mosfet 终端

[发明专利]用于具有掺杂浓度水平梯度的互连结构的铜种子层-CN201310482454.2在审
发明人：牛成玉;A·H·西蒙;黄洸汉;Y-Y·王 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：在电介质层中开出沟槽。然后使用阻挡层和金属种子层对所述沟槽加衬。所述金属种子层被非均匀掺杂且呈现出根据沟槽深度而变化的垂直掺杂梯度。然后利用金属填料来填充所述沟槽。然后在金属填充的沟槽之上沉积电介质帽层。然后，来自非均匀掺杂的金属种子层的掺杂剂迁移到所述金属填充的沟槽和所述电介质帽层之间的界面处，以形成自对准金属帽。
用于具有掺杂浓度水平梯度互连结构种子

[发明专利]一种制作半导体器件的方法-CN201310743194.X在审
发明人：赵杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作半导体器件的方法，根据本发明的方法提出了采用两步工艺以使金属栅极沟槽中的金属钨电极层和位于金属栅极沟槽侧壁的金属薄膜堆层凹陷，第一步去除位于金属栅极沟槽侧壁的覆盖层、阻挡层和Ｐ型功函数金属层；第二步回刻蚀金属钨电极层和去除位于金属栅极沟槽侧壁的Ｎ型功函数金属层。根据本发明的方法还提出了采用三步工艺以使金属栅极沟槽中的金属钨电极层和位于金属栅极沟槽侧壁的金属薄膜堆层凹陷，第一步去除位于金属栅极沟槽侧壁的Ｐ型功函数金属层；第二步去除位于金属栅极沟槽侧壁的覆盖层、阻挡层和Ｎ型功函数金属层；第三步回刻蚀金属钨电极层。
一种制作半导体器件方法

[发明专利]金属－绝缘－金属型电容器及其制作方法-CN200710037680.4有效
发明人：王媛;张步新 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-02-13 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：一种金属－绝缘－金属型电容器，包括：半导体衬底，位于半导体衬底上的层间介电层，贯穿层间介电层且露出半导体衬底的绝缘沟槽和两个金属沟槽，金属沟槽位于绝缘沟槽两侧且与绝缘沟槽共用槽壁，其中绝缘沟槽内填充有绝缘物质作为绝缘结构，金属沟槽内填充有金属物质作为电容器电极。
金属绝缘电容器及其制作方法

[发明专利]接触结构及其制作方法-CN202210412971.1在审
发明人：郑磊;米红星;刘超;牛健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供接触结构及其制作方法，所述方法包括：提供衬底以及位于所述衬底上的介质层，所述介质层中包括多个贯穿所述介质层且尺寸不同的沟槽；在所述介质层上以及沟槽内沉积第一金属层，至所述第一金属层至少填充所述沟槽中尺寸最小的沟槽的三分之二；通入惰性气体，使所述沟槽上部的第一金属层表面转化为钝化层；继续在所述第一金属层上以及所述沟槽内沉积第二金属层，至所述第二金属层填满所述沟槽中尺寸最大的沟槽；通入激活气体，所述激活气体使所述钝化层还原为第一金属层；在所述第二金属层表面以及所述沟槽内继续沉积第二金属层至设定时间。所述方法解决了钨填充能力不足引起不同大尺寸接触沟槽的高压集成器件金属桥连的问题。
接触结构及其制作方法

[发明专利]一种金属嵌错工艺品及其制作方法-CN201810831546.X在审
发明人：罗列诗;尹晶 -专利权人：红河学院
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： B44C5/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属镶嵌技术领域，具体涉及一种金属嵌错工艺品，包括金属基体和金属嵌入体，所述金属基体外表面开设有纹饰沟槽，所述纹饰沟槽内部设有所述金属嵌入体，所述纹饰沟槽上方设有成型工件；其制作方法包括以下步骤：先制得任意造型且表面带有纹饰沟槽的金属基体；用绝缘材料屏蔽金属基体上除纹饰沟槽之外的外表面和内表面；向纹饰沟槽内部加注金属表面活化剂，然后制造出与纹饰沟槽相匹配的成型工件；通过电沉积技术将金属嵌入体的金属离子定向沉积到纹饰沟槽表面；将成型工件取下，并对超出的部分进行错磨；本发明解决了不能有效去除纹饰沟槽内表面的各种污垢的问题；也解决了电沉积层内部存留气泡，影响金属嵌错工艺品品质的问题。
纹饰金属基体金属嵌入体成型工件工艺品金属表面活化金属镶嵌技术绝缘材料屏蔽金属电沉积技术沟槽内表面电沉积层定向沉积沟槽表面金属离子影响金属内表面污垢加注取下去除制作匹配造型制造

[发明专利]一种具有低栅极电阻的场效应晶体管的结构及制造方法-CN202210954988.X在审
发明人：刘欣芳;许淼;刘燕翔 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种场效应晶体管结构，该结构包括：半导体衬底(101)，金属栅极(104)，源极金属沟槽(107)、漏极金属沟槽(108)、刻蚀停止层和栅极接触(105)，该刻蚀停止层覆盖在源极金属沟槽(107)和漏极金属沟槽(108)的上方，该栅极接触(105)位于有源区上方，由于在源极金属沟槽(107)和漏极金属沟槽(108)的上方覆盖有刻蚀停止层，可以将栅极接触(105)准确打到栅极上，而不会与源极金属沟槽(107)或漏极金属沟槽(108)短接，因此栅极接触(105)可以在金属栅极(104)上延伸至有源区上方，这样栅极接触(105)的长度限制变小，栅极接触(105)的形状可以类似于金属栅极(104)呈长条的形状，增大了栅极接触(105)与金属栅极(104)的接触面积，大大降低了栅极电阻。
一种具有栅极电阻场效应晶体管结构制造方法

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