专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种异质结纳米结构材料制备方法-CN201410086264.3无效
  • 丁书江;许鑫 - 西安交通大学
  • 2014-03-10 - 2014-06-25 - H01M4/36
  • 一种异质结纳米结构材料制备方法,首先,通过溶剂热的方法在二氧化钛或二氧化纳米管表面生长一层二硫化钼纳米片,然后在惰性气体氛围中煅烧后即可获得这种二氧化钛或二氧化纳米管与二硫化钼纳米片的异质结纳米锂离子电池负极材料;本发明的特点是采用简单的化学合成手段,制备出高比表面积、锂离子电池充放电性能优于一般二硫化钼,二氧化钛,二氧化纳米材料的具有异质结结构的纳米锂离子电池负极材料。
  • 一种异质结纳米结构材料制备方法
  • [发明专利]纳米晶粒二氧化的电子束制备方法-CN201110052771.1有效
  • 刘志权;李财富 - 中国科学院金属研究所
  • 2011-03-04 - 2012-09-05 - C01G19/02
  • 本发明涉及一种纳米晶粒二氧化的电子束制备方法,可实现材料和结构的定区域定尺寸加工制备,属于金属氧化物材料制备和半导体器件制造工艺技术领域。该方法以纯为原材料,通过电子束辐照氧化的物理机制,制备出纳米晶粒的二氧化材料或含有二氧化的复合材料以及含有上述材料组织的特殊结构,其中二氧化的晶粒尺寸分布可达3~15nm。本发明基于电子束与材料的物理交互作用,不同于以往的化学合成方法,制备过程简单,可控性强,可实现在微小特定区域内二氧化纳米材料及复合材料的制备,亦可实现含二氧化的特殊结构的制造,为二氧化材料合成和微型器件制造提供切实可行的方法
  • 纳米晶粒氧化电子束制备方法
  • [实用新型]一种石墨烯导电薄膜-CN201520841774.7有效
  • 李伟明;蓝银锋 - 汕头市东通光电材料有限公司
  • 2015-10-28 - 2016-02-24 - H01L31/0224
  • 本实用新型提供了一种石墨烯导电薄膜,主要包括有:基材层、粘附层、氧化铌层、纳米线层、石墨烯薄膜层和硬化层,所述粘附层位于基材层的上表面,所述氧化铌层位于粘附层上表面,所述纳米线层位于氧化铌层上表面,所述石墨烯薄膜层位于纳米线层上表面,所述硬化层位于基材层的下表面。本石墨烯导电薄膜利用氧化铌层的高折射率,提高照射光线的穿透率,同时利用纳米线层和石墨烯薄膜层的协同作用,大大增强石墨烯导电薄膜的导电率。
  • 一种石墨导电薄膜

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