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- [发明专利]单壁碳纳米管的生长方法-CN200610061618.4有效
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郑直;姚湲;刘亮;范守善
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清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
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2006-07-12
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2008-01-16
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C01B31/02
- 本发明是关于一种单壁碳纳米管的生长方法,主要包括以下步骤:提供一基底;在基底上形成一氧化铟锡电极,氧化铟锡电极的厚度为5纳米~100纳米;在氧化铟锡电极上沉积一铝过渡层,铝过渡层的厚度为5纳米~40纳米;在铝过渡层上沉积一催化剂层,催化剂层的厚度为3纳米~10纳米;将沉积有催化剂层、铝过渡层和氧化铟锡电极的基底放置在空气中,在300℃~500℃下热处理10分钟~12小时,催化剂层经退火后形成氧化颗粒;将基底放置在反应装置中,在反应装置内通入保护气体,在保护气体的保护下加热至640℃~900℃;以及通入碳源气与保护气体的混合气体,加热至640℃~900℃反应30分钟~60分钟生长出单壁碳纳米管。
- 单壁碳纳米生长方法
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