专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]氧化颗粒-CN99803867.9无效
  • 苏伊特·库马尔;毕向欣;神部信幸 - 美商纳克公司
  • 1999-03-08 - 2001-04-25 - B32B5/16
  • 本发明制备了具有多种氧化态的氧化毫微粒。具体地,制备了单相、结晶SnO2毫微粒。氧化毫微粒优选平均直径从大约5nm至大约50nm,并具有特别窄的粒径分布。应用激光热解装置,可以制备出明显量的氧化毫微粒。通过激光热解制备的毫微粒可以进行进一步加工以改变颗粒的性质,而不破坏颗粒的纳米级大小。纳米氧化颗粒用于制备用于平板显示器中的透明电极。
  • 氧化颗粒
  • [发明专利]单壁碳纳米管的生长方法-CN200610061618.4有效
  • 郑直;姚湲;刘亮;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2006-07-12 - 2008-01-16 - C01B31/02
  • 本发明是关于一种单壁碳纳米管的生长方法,主要包括以下步骤:提供一基底;在基底上形成一氧化电极,氧化电极的厚度为5纳米~100纳米;在氧化电极上沉积一铝过渡层,铝过渡层的厚度为5纳米~40纳米;在铝过渡层上沉积一催化剂层,催化剂层的厚度为3纳米~10纳米;将沉积有催化剂层、铝过渡层和氧化电极的基底放置在空气中,在300℃~500℃下热处理10分钟~12小时,催化剂层经退火后形成氧化颗粒;将基底放置在反应装置中,在反应装置内通入保护气体,在保护气体的保护下加热至640℃~900℃;以及通入碳源气与保护气体的混合气体,加热至640℃~900℃反应30分钟~60分钟生长出单壁碳纳米管。
  • 单壁碳纳米生长方法
  • [发明专利]一种氧化/氧化硅光触媒多孔纳米复合材料的制备方法-CN202210608579.4在审
  • 易鹤翔 - 赣州瑞德化工有限公司
  • 2022-05-31 - 2022-08-09 - B01J23/14
  • 本发明涉及光催化多孔硅胶材料领域,尤其涉及一种氧化/氧化硅光触媒多孔纳米复合材料的制备方法。本发明的技术问题为:现有技术中液相光触媒材料由于回收困难、成本高,难以商业化,多孔和泡沫材料作为载体将纳米光触媒材料涂布粘附其表面,可重复使用,但受粘结力影响,使用寿命也有限的问题。本发明的技术实施方案为:酸性硅溶胶溶液中加入纳米氧化分散液,充分搅拌反应均匀,再加入模板剂搅匀,调pH值,陈化成凝胶,凝胶经干燥、焙烧、粉碎制得氧化光触媒多孔纳米复合材料。本发明实现将纳米氧化光触媒材料分散液与硅溶胶混合反应,两者成为纳米复合材料,没有脱落之虞,长期重复使用寿命长,降低使用成本效果。
  • 一种氧化触媒多孔纳米复合材料制备方法

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