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[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体-CN201010153753.8无效
发明人：刘正超 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-04-22 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种横向双扩散金属氧化物半导体，包括：第一导电型半导体衬底；第二导电型阱，所述第二导电型阱位于第一导电型半导体衬底内；第一导电型阱，所述第一导电型阱与所述第二导电型阱紧凑连接。其中，所述横向双扩散金属氧化物半导体的第二导电型阱内间隔设置若干第一导电型降场层。所述第一导电型降场层与第一导电型阱物理性连接。本发明通过在第一导电型阱内浮置设置第二导电型降场层，不仅减少横向双扩散金属氧化物半导体的导通电阻，而且提高其击穿电压，同时，若干第二导电型降场层也在导通的情况下增加电流通道，进而提高导通电流。
横向扩散金属氧化物半导体

[发明专利]高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201510003131.X有效
发明人：张广胜;张森;卞鹏;胡小龙 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底，还包括形成于衬底上的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，以及形成于N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极的P型金属氧化物半导体场效应管；P型金属氧化物半导体场效应管的栅极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的栅极；P型金属氧化物半导体场效应管的漏极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极；N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极。上述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的工艺简单且成本较低，并具有耐高压性能。
高压横向扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]一种超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及方法-CN201610500518.0在审
发明人：杜蕾 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及方法，该超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构包括漏极，漏极包括手指区域和直道区域，手指区域内的金属层的第一场板的第一长度，与直道区域内的金属层的第二场板的第二长度不同本发明的实施例能弱化超高压横向双扩散金属氧化物半导体漏极手指区域的尖端放电以及电场集中效应，提升超高压横向双扩散金属氧化物半导体的可靠性。
一种超高压横向扩散金属氧化物半导体结构方法

[发明专利]射频横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法-CN201510319622.5有效
发明人：马万里;闻正锋;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种射频横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法，其中方法包括：通过对待生成体区、源区、漂移区和漏区的浓衬底的区域进行刻蚀，形成沟槽区域，在沟槽区域生长轻掺杂外延层，对轻掺杂外延层进行离子注入，生成体区、源区、漏区和漂移区，使得位于浓衬底上部的源区可以直接通过浓衬底引向浓衬底的底部，降低了射频横向双扩散金属氧化物半导体的正背面之间的电阻，从而降低了射频横向双扩散金属氧化物半导体的导通电阻，提高了射频横向双扩散金属氧化物半导体的性能
射频横向扩散金属氧化物半导体及其制造方法

[发明专利]射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法-CN201410478428.7在审
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法，该射频横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：基板，基板上形成有栅极；侧壁，侧壁位于栅极的两侧面，侧壁背离栅极的一边呈弧形，且侧壁的底部大于侧壁的顶部；隔离氧化层，形成于基板、侧壁和栅极上；场板层，形成于隔离氧化层上。根据本发明的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法，由于在栅极两侧形成侧壁，使得栅极两侧为斜坡形貌，对场板层的刻蚀变得相对容易，可以减少不需要的场板层的残留，提高了射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的良品率
射频横向扩散金属氧化物半导体器件制作方法

[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法-CN201710801871.7有效
发明人：何乃龙;张森;李许超 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，该横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有漂移区；在所述漂移区中形成有阱区和漏区，在所述阱区中有源区和沟道；在所述漂移区中形成有位于所述阱区和所述漏区之间的深沟槽隔离结构该横向双扩散金属氧化物半导体器件可以降低导通电阻且表面不形成高电场。该横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法具有类似的优点。
一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法

[发明专利]垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及制造方法-CN201010187367.0有效
发明人：刘正超 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及制造方法，该垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件包括P区与N区相间密堆集形成的复合缓冲层，所述复合缓冲层中每个P区和每个N区的直径沿纵向渐变。本发明垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及制造方法在不影响耐压区的耐压能力下，进一步提高耐压区的掺杂浓度，从而降低了垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件的导通电阻，提高了垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件的击穿电压
垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件制造方法

[发明专利]有高压启动单元的垂直双扩散金属氧化物半导体功率元件-CN201711348544.7在审
发明人：叶人豪 -专利权人：通嘉科技股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高压启动单元的垂直双扩散金属氧化物半导体功率元件。所述垂直双扩散金属氧化物半导体功率元件包含垂直双扩散金属氧化物半导体功率晶体管和所述高压启动单元。所述垂直双扩散金属氧化物半导体功率晶体管包含第一金属层、基底层、磊晶层、第二金属层和多条多晶硅层。所述基底层形成于所述第一金属层之上。所述磊晶层形成于所述基底层之上。所述高压启动单元提供二维方向启动电流给所述垂直双扩散金属氧化物半导体功率元件。因此，本发明可使所述垂直双扩散金属氧化物半导体功率元件在较短时间内即可正常运作。
垂直双扩散金属氧化物半导体高压启动功率元件磊晶层基底层第一金属层功率晶体管多晶硅层第二金属层二维方向启动电流正常运作

[发明专利]电源路径开关电路-CN202011466050.0在审
发明人：吴信义;唐健夫 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：一种电源路径开关电路，包含：一功率晶体管单元，包括一第一垂直双扩散金属氧化物半导体元件和一第二垂直双扩散金属氧化物半导体元件，该第一垂直双扩散金属氧化物半导体元件的第一电流流出端耦接于一电源路径的输出端，该第一垂直双扩散金属氧化物半导体元件的第一电流流入端及该第二垂直双扩散金属氧化物半导体元件的第二电流流入端均耦接于该电源路径的供应端；以及一电压锁定电路，分别与该第一电流流出端及该第二电流流出端耦接，以将该第二电流流出端的电压锁定于该第一电流流出端的电压，由此使流经该第一垂直双扩散金属氧化物半导体元件的一第一导通电流与流经该第二垂直双扩散金属氧化物半导体元件的一第二导通电流具有一预设比例。
电源路径开关电路

[发明专利]一种CMOS型高低压集成的工艺器件结构及其制备方法-CN201310191040.4无效
发明人：李海松;王钦;易扬波 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了本发明公开了一种CMOS型高低压集成的工艺器件结构及其制备方法，所述器件由低压N型金属氧化物半导体场效应晶体管、低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管、高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管和中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管构成；所述制备方法为：在N型衬底上制作N型外延层，接着在N型外延层上制作不同的P型掺杂阱，然后在P型掺杂阱上同时制作低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管的体区和中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的耐压区，最后进行源漏注入。
一种 cmos 低压集成工艺器件结构及其制备方法

[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN201110061744.0有效
发明人：令海阳 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。根据本发明的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法包括：第一离子注入步骤，用于进行离子注入以形成第一源极区域以及第一漏极区域；栅极氧化物层沉积步骤，用于在第一源极区域以及第一漏极区域之间沉积栅极氧化物层；多晶硅栅极形成步骤，用于在栅极氧化物层上形成多晶硅栅极；以及第二离子注入步骤，用于再次进行离子注入以形成第二源极区域以及第二漏极区域。通过采用根据本发明的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法，使得衬底电流由于两次有源区离子注入而得到了改善。
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有热敏单元的垂直双扩散金属氧化物半导体功率元件-CN201711261046.9在审
发明人：叶人豪;周烱峰 -专利权人：通嘉科技股份有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有热敏单元的垂直双扩散金属氧化物半导体功率元件。所述垂直双扩散金属氧化物半导体功率元件包含垂直双扩散金属氧化物半导体功率晶体管和至少一热敏单元。所述垂直双扩散金属氧化物半导体功率晶体管包含第一金属层、基底层、磊晶层、第二金属层和多条第一多晶硅层，其中所述多条第一多晶硅层的每一第一多晶硅层对应第一氧化层、第一掺杂井和第二掺杂井、第一掺杂区和第二掺杂区和一第二氧化层所述至少一热敏单元是用于检测所述垂直双扩散金属氧化物半导体功率晶体管在操作时的温度，且所述垂直双扩散金属氧化物半导体功率晶体管和所述至少一热敏单元是共享相同制程。
垂直双扩散金属氧化物半导体热敏单元功率晶体管多晶硅层功率元件掺杂区氧化层掺杂第二金属层第一金属层过温度保护基底层磊晶层慢启动制程共享检测

[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法-CN202210257137.X在审
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，属于芯片技术领域。所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区以及位于所述半导体衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，所述栅极区为高介电常数电介质金属栅极，所述浅槽隔离区为低介电常数电介质浅槽隔离本发明实施例提供的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET，其栅极区为高介电常数电介质金属栅极，所述浅槽隔离区为低介电常数电介质浅槽隔离，具有High‑KMetalGate工艺，特别是能与28nm
横向扩散金属氧化物半导体场效应及其制作方法

[发明专利]等离子显示驱动芯片用高低压器件及制备方法-CN200910212764.6有效
发明人：易扬波;李海松;王钦;刘侠;陈文高 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子显示驱动芯片用高低压器件及制备方法，所述器件由高压N型横向绝缘栅双极型晶体管、高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、高压二极管和低压器件构成；所述制备方法为：在P型衬底上制作埋氧层，淀积P型外延层，制作高压器件的高压N阱和高压P阱，高压N型横向绝缘栅双极型晶体管和高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的P型体区，各低压阱。本发明所述芯片结构具有芯片功耗低，芯片面积小，可靠性高的优点，而且能够兼容标准低压互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造工艺。
等离子显示驱动芯片低压器件制备方法

[发明专利]一种双扩散金属氧化物半导体及其制作方法-CN201310634212.0在审
发明人：吉扬永;马蒂·E·加内特 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种双扩散金属氧化物半导体及其制作方法。所述双扩散金属氧化物半导体包括：P型衬底、外延层、场氧、N型阱区、栅氧、多晶硅栅、P型基区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区以及P型重掺杂区。所述双扩散金属氧化物半导体具有更小的Ron×A。
一种扩散金属氧化物半导体及其制作方法

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