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[发明专利]活性材料头部限制组件-CN200810087064.4有效
发明人： P·W·亚历山大;J·H·布朗;A·佐尔诺 -专利权人：通用汽车环球科技运作公司;合金力学公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： B60N2/42 文献下载
摘要：提供一种头部限制组件，在收缩位置与展开位置之间选择性地可移动。头部限制组件包括支撑构件和可展开构件。联结件相对于支撑构件和可展开构件被可旋转地安装。轴连接到联结件以随其旋转。活性材料构件是可致动的以旋转所述轴，并因而使可展开构件从其收缩位置移向其展开位置。
活性材料头部限制组件

[发明专利]活性材料头部限制组件-CN200810087061.0有效
发明人： P·W·亚历山大;A·L·布劳恩;N·L·约翰逊;J·Y·扈里;M·G·卡彭特;L·A·伯格 -专利权人：通用汽车环球科技运作公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： B60N2/42 文献下载
摘要：一种头部限制组件，包括支撑构件和在收缩位置与展开位置之间选择性地可移动的可展开构件。所述可展开构件的至少一部分在所述展开位置比在所述收缩位置更远离所述支撑构件。活性材料构件是可致动的以释放所述锁定系统，从而释放所述可展开构件。
活性材料头部限制组件

[发明专利]多材料限制器接头-CN201711037141.0在审
发明人：阿曼达·凯·弗赖斯;托马斯·诺顿;盖瑞·桑基·赫夫 -专利权人：福特全球技术公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： B62D27/02 文献下载
摘要：平台在工件之间提供一种形式的间隔或接合间隙，并且紧固件的材料和几何结构配置为补偿工件的热膨胀差异。
材料限制器接头

[发明专利]相变异质结的限制层材料-CN202210349219.7在审
发明人：郭艳蓉 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种相变异质结的限制层材料，所述限制层材料用于与所述相变层材料交替堆叠形成相变异质结，所述限制层材料的熔点高于所述相变层材料的熔点，且所述限制层材料的熔点与所述相变层材料的熔点的差值大于本申请提供的限制层材料具有更高的熔点和热稳定性，能够更有效地抑制以该限制层材料构成的相变异质结材料中的相变层材料的元素迁移。
相变异质结限制材料

[发明专利]多层陶瓷基板及其制造方法和多层陶瓷基板制作用复合生板-CN200680001047.3有效
发明人：中尾修也 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：在要制造在包含结晶玻璃材料和第一陶瓷材料的基体材料层之间形成包含在能使所述结晶玻璃材料熔化的温度下不烧结的第二陶瓷材料的限制层，通过限制层一边抑制烧成时的基体材料层的收缩，一边使基体材料层中包含的结晶玻璃材料浸透到限制层中，使限制层致密化的多层陶瓷基板时，有时基体材料层中包含的结晶玻璃材料不充分地浸透到限制层。为了解决该问题，在基体材料层(2)和限制层(3)之间形成包含降低结晶玻璃材料的熔化物的粘度地起作用的粘度下降物质的中间层(4)，在烧成步骤中，降低基体材料层(2)中包含的结晶玻璃材料的熔化物的粘度，通过限制层作为粘度下降物质，使用低粘度玻璃材料和/或低熔点玻璃材料。
多层陶瓷及其制造方法制作复合

[发明专利]一种具有超晶格限制层的AlGaInP半导体激光器-CN201710054607.1有效
发明人：徐现刚;朱振;张新 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有超晶格限制层的AlGaInP半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一上限制层、第二上限制层和欧姆接触层；第一上限制层为高铝组分的AlGaInP材料与低铝组分的AlGaInP材料交替生长的超晶格结构，所述第一上限制层中，高铝组分的AlGaInP材料的掺杂材料为Mg，低铝组分的AlGaInP材料的掺杂材料为Mg，第二上限制层为高铝组分的AlGaInP材料，第二上限制层的掺杂材料为本发明使用高掺杂的第一上限制层及第二上限制层，可以降低外延层的串联电阻，减少焦耳热的产生，提高了光电转换效率。
一种具有晶格限制 algainp 半导体激光器

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202111654387.9有效
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光二极管的制备方法包括：提供衬底；于衬底的上表面形成外延结构，外延结构包括第一限制材料层和发光层，发光层位于第一限制材料层的上表面；第一限制材料层中包含In，且In的组分沿第一限制材料层的厚度方向渐变；对第一限制材料层进行处理，消耗部分第一限制材料层以形成第一限制区域及第一限制层，第一限制区域位于第一限制层的外围；其中，第一限制层靠近发光层的表面尺寸小于发光层的尺寸，且小于第一限制层背离发光层的表面尺寸
发光二极管及其制备方法

[发明专利]固化可光聚合的扩散反射性材料的方法-CN201780053437.3有效
发明人： R.瑞特 -专利权人：利瑟兹有限责任公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B29C64/135 文献下载
摘要：在通过辐照固化可光聚合的扩散反射性材料的方法中，其中所述材料润湿透明材料限制元件，像例如材料承载件或槽底，并且通过透明材料限制元件进入材料进行待固化面的辐照，a)材料限制元件的厚度与b)经润湿的面和/或构建场和/或材料的待固化面彼此匹配，以致材料限制元件的厚度为经润湿的面或待固化面或构建场的直径的至少1/4、优选至少1/3、优选至少1/2。
固化聚合扩散反射材料方法

[发明专利]具有大表面面积的接地限制环-CN201080014577.8有效
发明人：阿列克谢·马拉赫塔诺夫;拉金德尔·德辛德萨 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2010-04-06 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了与驱动器和材料供应源联用的晶片处理系统。所述驱动器可操作地产生驱动信号。所述材料供应源可操作地提供材料。所述晶片处理系统包括上限制腔部分、下限制腔部分、限制环和静电卡盘。所述上限制腔部分含有上限制腔部分内表面。所述下限制腔部分被配置为可拆分地与所述上限制腔部分接触。所述下限制腔部分含有下限制腔部分内表面。所述限制环被配置为可拆分地与所述上限制腔部分内表面和所述下限制腔部分内表面接触。所述限制环含有限制环内表面。所述静电卡盘含有静电卡盘上表面并被设置为接收所述驱动信号。所述上限制腔部分、所述下限制腔部分、所述限制环和所述静电卡盘被设置为使得所述上限制腔部分内表面、所述下限制腔部分内表面、所述限制环内表面和所述静电卡盘上表面围绕能够接收所述材料的等离子体形成空间。当所述静电卡盘收到所述驱动信号时，所述上限制腔部分、所述下限制腔部分、所述限制环和所述静电卡盘可操作地将所述材料转换为等离子体。所述限制环含有非矩形横截面。
具有表面面积接地限制

[发明专利]叠层元器件及其制造方法-CN201310638551.6无效
发明人：李可;戴春雷;余瑞麟 -专利权人：深圳顺络电子股份有限公司
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C04B37/04 文献下载
摘要：种叠层元器件，包括铁氧体材料层和在所述铁氧体材料层的一面的玻璃陶瓷材料层，其特征在于,还包括设置在所述铁氧体材料层的另一面或插入所述铁氧体材料层中间的限制层，所述限制层对于所述铁氧体材料层产生的应力限制至少部分抵消所述玻璃陶瓷材料层对所述铁氧体材料层产生的应力限制本发明可以提高铁氧体材料与玻璃陶瓷材料共烧结相容性。
元器件及其制造方法

[发明专利]挤出多孔泡沫纤维质纤维-聚合物复合物的模系统和方法-CN200780034130.5无效
发明人： B·D·凯勒;D·F·多斯塔尔;T·C·拉弗;A·B·恩格兰 -专利权人：斯特兰德克斯公司
申请日： 2007-09-17 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： B29C47/08 文献下载
摘要：本发明涉及生产多孔木料塑性复合材料的装置，包括：将复合材料从挤出机(12)的适配器传到过渡模板(30)的口，使均匀材料流到过渡模板；过渡模板，将材料流引到流动限制模板(60)，确保等量的材料传输到流动限制模板的所有区域；流动限制模板，向材料流提供足够阻力以增大流动限制模板上游的材料部分的熔化压力，并增强控制由于将所述流分为多个适合尺寸和形状的细流的限制所致的温度升高；压缩模板(70)，将从流动限制模板排出的分立流融合为单一材料流，并将熔化压力保持为防止材料中的空穴过早形成；成形模板(80)，设计为使材料成形为使得完全膨胀的材料接近所希望构型的形状，并控制空穴形成和膨胀的速率而产生大量均匀空穴。
挤出多孔泡沫纤维聚合物复合物系统方法

[发明专利]一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器-CN201610832109.0有效
发明人：李沛旭;徐现刚;朱振;张新;苏建 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，从下至上包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、第一上限制层、腐蚀阻挡层、第二上限制层和欧姆接触层；腐蚀阻挡层为GaInP材料；有源层为GaAsP材料或者InGaAsP材料；下限制层为AlGaInP材料，第一上限制层为AlGaInP材料，上波导层和下波导层采用GaInP；第二上限制层为AlGaAs材料，欧姆接触层为GaAs材料。本发明能够较容易的实现材料生长，由第二上限制层和欧姆接触层组成的结构能够实现高选择性的化学腐蚀结果，能够有效控制脊型波导的台阶腐蚀深度、台阶对称性，提升半导体激光器的性能。
一种含有选择性腐蚀阻挡 808 nm 半导体激光器

[发明专利]电子源及其制造方法-CN201780044499.8有效
发明人：森下利幸;茶谷洋光;广川晋平;伊林敏成;杉本勲 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01J1/148 文献下载
摘要：提供一种能够抑制电子发射材料的消耗的电子源。根据本发明，提供一种电子源，其具有电子发射材料、以及覆盖所述电子发射材料的侧面的电子发射限制材料，所述电子发射限制材料的功函数高于所述电子发射材料的功函数，所述电子发射限制材料的热辐射率低于电子发射材料的热辐射率
电子及其制造方法

[发明专利]一种基于相变原理的忆阻器及其制备方法-CN202110436345.1有效
发明人：徐明;王俊钦;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变原理的忆阻器及其制备方法，属于微电子技术领域；其中，忆阻器包括：由下至上的基底、底电极、第一限制层、介质层、第二限制层以及顶电极；第一限制层和第二限制层的材料均包括二维原子晶体材料；介质层的材料包括相变材料；第一限制层和第二限制层用于对介质层的相变范围进行限制；二维原子晶体材料中的二维原子晶体具有较高的结构稳定性，在介质层两侧制备限制层能够为介质层在垂直方向上施加较大的应力，对介质层的相变范围进行限制，大大提高了忆阻器的稳定性以及各种阻态下的保持时间，能够使得相变材料的亚稳态状态更加稳定，成为稳态，进而使器件拥有更好的稳定阻态。
一种基于相变原理忆阻器及其制备方法

[发明专利]用于缝纫机的压脚-CN201010141514.0有效
发明人：吉田宪司 -专利权人：爱信精机株式会社
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： D05B29/06 文献下载
摘要：公开一种用于缝纫机的压脚(1)，其包括：主体(20)，所述主体通过枢转轴(4)以能够旋转的方式附接至压脚保持件(2)并具有针接纳孔(33)；以及限制构件(40)，所述限制构件以能够旋转的方式附接至主体(20)，其中，所述限制构件(40)包括限制部(50)，所述限制部从主体(20)的底面(21)向下突出以按压加工材料从而在加工材料的台阶部(10)接触压脚(1)时限制加工材料的移动。
用于缝纫机

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