专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]低成本纳米微陶瓷制品的制备技术-CN01128593.1无效
  • 肖汉宁;李玉平 - 湖南大学
  • 2001-09-12 - 2002-02-20 - C03B32/02
  • 一种低成本纳米微陶瓷制品的制备技术,含以下工序a.高温溶胶工序将矿物原料粉体与晶核剂等化工原料混匀,送入高温炉中熔融,得到均玻璃熔体;b.凝胶成型工序将所得均玻璃熔体直接注入经预热的钢制模具中,在控制降温速率的条件下成型、脱模;c.原位受控化工序将脱模后的玻璃凝胶坯件,根据其晶核剂及各种原料的配方,直接导入特定程序的热处理加工,使其从凝胶玻璃态直接转变为纳米级微晶态。本发明实现了均匀析、控制晶粒长大及结晶形貌等工艺目标,所获纳米微陶瓷具有晶粒均匀,晶粒尺寸50-200纳米,相含有率高达90%以上,致密无气孔,抗弯强度300MPa以上,显微硬度达10-12GPa,且可获得复杂形状和近净尺寸的微陶瓷制品。
  • 低成本纳米陶瓷制品制备技术
  • [发明专利]钢化玻璃的智能生产控制方法与系统-CN202310295472.3有效
  • 庄春斌;徐涛;梁阳龙 - 南京我乐家居股份有限公司
  • 2023-03-24 - 2023-09-29 - C03B32/00
  • 一种钢化玻璃的智能生产控制方法,包括:对玻璃原片进行预处理和钢化处理,得到钢化玻璃;将钢化玻璃置入均炉中进行均处理,均处理包括:升温阶段、恒温阶段与降温阶段;恒温阶段具体包括:利用激光光源发射激光打在钢化玻璃上,并接收激发光;对激发光进行过滤,获得光致发光光谱;找到光致发光光谱中硫化镍晶粒对应的激子峰,若激子峰发生蓝移,从均炉中移出所述钢化玻璃。本发明通过光致发光原理,对钢化玻璃中硫化镍晶粒的晶格结构进行了表征,基于其相的变化,判断钢化玻璃自爆的时机,以便提前将钢化玻璃从均炉中取出,防止对均炉造成污染以及损坏。
  • 钢化玻璃智能生产控制方法系统
  • [发明专利]制作浮法耐磨高玻化瓷板与微玻璃的装置及工艺方法-CN200810027295.6无效
  • 杨晓晓;杨德宁 - 杨德宁
  • 2008-04-08 - 2009-10-14 - C03B18/00
  • 本发明是关于制作浮法耐磨高玻化瓷板与微玻璃的装置及工艺方法,首创性地提出了采用在有锡槽特征的窑炉设备上,高质量、高平整度、高效率地生产超大、超厚或超大又超薄的单色或有图案的多色微玻璃板及耐磨高玻化瓷板材的浮法梭式窑和隧道窑及浮法牵引窑炉的创新装置及工艺方法,其特征在于:其一,有分别装载1-30种色彩中单一类色彩的高玻化瓷原料或微玻璃原料的1-100个容器;其二,有用于浮载瓷板与微玻璃的装载有金属锡的浮法锡槽装置;其三,有安装着燃料喷枪或电加热装置的并有加温
  • 制作耐磨高玻化瓷板玻璃装置工艺方法
  • [实用新型]制作浮法耐磨高玻化瓷板与微玻璃的装置-CN200820046114.X无效
  • 杨晓晓;杨德宁 - 杨德宁
  • 2008-04-08 - 2009-03-11 - C03B18/14
  • 本实用新型是关于一种制作浮法耐磨高玻化瓷板与微玻璃的装置,首创性地提出了采用在有锡槽特征的窑炉设备上,高质量、高平整度、高效率地生产超大、超厚或超大又超薄的单色或有图案的多色微玻璃板及耐磨高玻化瓷板材的浮法梭式窑和隧道窑及浮法牵引窑炉的创新装置,其特征在于:其一,有分别装载1-30种色彩中单一类色彩的高玻化瓷原料或微玻璃原料的1-100个容器;其二,有用于浮载瓷板与微玻璃的装载有金属锡的浮法锡槽装置;其三,有安装着燃料喷枪或电加热装置的并有加温
  • 制作耐磨高玻化瓷板玻璃装置
  • [发明专利]硅膜的结晶方法-CN200410057765.5有效
  • 柳明官;李镐年;朴宰徹;金亿洙;孙暻锡;李俊昊;权世烈 - 京东方显示器科技公司
  • 2004-08-17 - 2005-06-01 - H01L21/00
  • 一种在玻璃基板或塑料基板等非基板上形成单晶Si膜的方法。其是在液晶显示装置制造时把在非基板上形成的非硅膜通过热源的照射而结晶的非硅膜的结晶方法。其对像素部的TFT形成区域和外部电路部的TFT形成区域的非硅膜部分选择地进行热源的第一次和第二次照射制成多晶体后,对所述多晶内的晶粒中的任何一个进行热源的第三次照射以所需的位置和大小制成单晶区域。本发明因为不必使非硅膜的全部区域结晶,而仅将必要的部分通过单晶硅膜结晶,所以在提高像素部和外部电路部用的TFT特性的同时可确保均匀度。
  • 非晶质硅膜结晶方法

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