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[发明专利]一种硒化锌晶体的表面预处理方法-CN202111174182.0在审
发明人：刘鹏;刘荣娟;马杰;姜忠赛;张长华;王俊;沈德元;唐定远 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种硒化锌晶体的表面预处理方法，包括以下步骤：将硒化锌晶体表面抛光；将抛光后的硒化锌晶体放入丙酮溶液中浸泡清洗后，用超纯水循环清洗硒化锌晶体；将清洗后的硒化锌晶体放入烘箱中烘干；将烘干后的硒化锌晶体放入等离子刻蚀机的等离子真空腔中，并用等离子体清洗硒化锌晶体表面；将等离子体清洗后的硒化锌晶体置于氩气气氛的手套箱中，用封装袋对硒化锌晶体进行封装。本发明不仅能够除掉硒化锌晶体表面存在的氧化层，还能使硒化锌晶体表面形成高活性悬键。
一种硒化锌晶体表面预处理方法

[发明专利]锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉-CN202111656465.9有效
发明人：程鹏;程波;陈元瑞 -专利权人：无锡晶名光电科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉，其可降低锑化铟晶体应力，该方法基于晶体生长炉实现，晶体生长炉包括炉体、设置于炉体内的坩埚、位于坩埚上方的热屏，坩埚内盛装有锑化铟多晶原料，热屏内部设置有电磁感应加热线圈，电磁感应加热线圈套装于锑化铟晶体的外周且与锑化铟晶体的局部间隔对应；使用晶体生长炉并基于切克劳斯基法进行锑化铟晶体生长，锑化铟晶体生长时依次穿过热屏的屏口、电磁感应加热线圈，通过电磁感应加热线圈对锑化铟晶体进行周期性加热
锑化铟晶体生长方法

[发明专利]像素电路的驱动方法、显示面板和显示装置-CN201911367990.1有效
发明人：赵东方;沈阳;郭子栋;张豪峰;杜哲;李俊峰;葛泳 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了像素电路的驱动方法、显示面板和显示装置，像素电路包括驱动晶体管、数据写入晶体管、补偿晶体管、第一初始化晶体管、第二初始化晶体管和发光器件，补偿晶体管连接于驱动晶体管的栅极和第二极之间，驱动晶体管的第二极通过第一初始化晶体管连接至初始化电源端；第二初始化晶体管连接于第一信号端和驱动晶体管的第一极之间；像素电路的驱动方法包括初始化阶段，向第一初始化晶体管的栅极和补偿晶体管的栅极提供导通控制信号，向第二初始化晶体管的栅极提供导通控制信号，向第一信号端提供固定电压；数据写入阶段，向数据写入晶体管的栅极提供导通控制信号，进而在初始化阶段实现对驱动晶体管的完全复位，进而减轻残影现象。
像素电路驱动方法显示面板显示装置

[发明专利]显示面板和显示装置-CN202010938221.9有效
发明人：陈碧 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括阵列设置的多个发光器件和驱动发光器件发光的像素驱动电路，像素驱动电路包括：第一初始化晶体管、开关晶体管、补偿晶体管、第二初始化晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管和存储电容；其中，补偿晶体管、第一初始化晶体管和第二初始化晶体管为氧化物晶体管，开关晶体管、驱动晶体管、第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管为低温多晶硅晶体管。本申请通过将补偿晶体管、第一初始化晶体管和第二初始化晶体管设置为氧化物晶体管，其他晶体管设置为低温多晶硅晶体管，可以同时利用氧化物晶体管的低漏电流特性和低温多晶硅晶体管的高迁移率特性，从而使得像素驱动电路更加稳定
显示面板显示装置

[发明专利]像素驱动电路、控制方法、显示屏及显示设备-CN202210450632.2有效
发明人：孔祥永 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种像素驱动电路、控制方法、显示屏及显示设备，该电路包括驱动晶体管，包括控制极、第一极及第二极；第一初始化晶体管，第一初始化晶体管的第一极与驱动晶体管的控制极连接，响应于数据刷新阶段的导通信号，对驱动晶体管的控制极进行初始化；第二初始化晶体管，第二初始化晶体管的第一极与驱动晶体管的第一极连接，响应于数据刷新阶段的第一初始化电压信号，对驱动晶体管的第一极进行初始化；第三初始化晶体管，第三初始化晶体管的第二极与驱动晶体管的第二极连接，响应于数据刷新阶段的第二初始化电压信号，对驱动晶体管的第二极进行初始化。
像素驱动电路控制方法显示屏显示设备

[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板-CN202110362301.9在审
发明人：福永宽;秋田胜史;石川幸雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于
砷化镓晶体

[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板-CN202110359932.5在审
发明人：福永宽;秋田胜史;石川幸雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于
砷化镓晶体

[发明专利]显示面板及显示装置-CN202111452061.8在审
发明人：李杰良;安平 -专利权人：厦门天马显示科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：显示面板包括：像素电路和发光元件；像素电路包括驱动晶体管、发光控制晶体管和初始化晶体管；驱动晶体管用于为发光元件提供驱动电流；发光控制晶体管用于选择性地允许发光元件进入发光阶段；初始化晶体管用于为发光元件提供初始化信号；发光控制晶体管与初始化晶体管一者为PMOS型晶体管，另一者为NMOS型晶体管，发光控制晶体管的栅极接收发光控制信号，初始化晶体管的栅极接收初始化信号；其中，发光控制信号与初始化信号为相同的信号。根据本申请实施例，能够将发光控制信号线和初始化信号线合并设置，节省显示面板内走线和信号驱动电路的数量，从而简化面板结构，提升分辨率。
显示面板显示装置

[发明专利]砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202210311792.9在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法，砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管包括：硅衬底；砷化镓高电子迁移率晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；砷化镓高电子迁移率晶体管，设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层上；砷化镓异质结双极型晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；砷化镓异质结双极型晶体管，设置在所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层上；以及隔离带，设置在所述硅衬底上，且设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层与所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层之间
砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法

[实用新型]一种砷化镓晶体残料回收利用装置-CN202021079533.0有效
发明人：马争荣;王建玲 -专利权人：高密普特电子设备有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： B07B1/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及砷化镓晶体回收利用技术领域，且公开了一种砷化镓晶体残料回收利用装置，包括底板，所述底板的顶部左右两侧均固定安装有立板，两个所述立板的内部均开设有安装孔，两个所述安装孔的内底壁和内顶壁均固定安装有弹簧伸缩杆该砷化镓晶体残料回收利用装置，通过分隔条、偏心块和圆筒筛板，使得圆筒筛板内的砷化镓晶体残料在分隔条的隔离不会堆积在一起，便于圆筒筛板在偏心块偏心运动下抖动时对砷化镓晶体于其他物质进行分离，进而提高砷化镓晶体回收时的纯度，通过风机，便于对砷化镓晶体的水分进行吹干，进而提高砷化镓晶体回收时的纯度，解决了砷化镓晶体残料回收纯度低、砷化镓晶体表面水分较多等问题。
一种砷化镓晶体回收利用装置

[发明专利]显示面板及显示装置-CN202210294935.X在审
发明人：林飞鹏 -专利权人：厦门天马显示科技有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：显示面板包括像素电路和发光元件；像素电路包括驱动晶体管、补偿晶体管和第一初始化晶体管；驱动晶体管用于为发光元件提供驱动电流；补偿晶体管用于为驱动晶体管提供数据信号；第一初始化晶体管用于为驱动晶体管提供初始化信号；补偿晶体管和第一初始化晶体管为包括第一栅极和第二栅极的氧化物晶体管，补偿晶体管和第一初始化晶体管的第一栅极和第二栅极的其中一者连接参考信号，另一者分别连接补偿信号和第一初始化信号；参考信号的信号电压低于补偿信号以及第一初始化信号的有效信号电压根据本申请实施例，能够通过调节氧化物晶体管的阈值电压，实现不同类型晶体管的兼容，提升晶体管的均一性和稳定性。
显示面板显示装置

[实用新型]一种石英晶体化胶机-CN200920129701.X无效
发明人：叶竹之 -专利权人：深圳泰美克晶体技术有限公司
申请日： 2009-01-21 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石英晶体化胶机，用于待化胶的坨状石英晶体的化胶处理，包括多个化胶单元，每个化胶单元包括：控制系统，控制化胶加热系统的加热温度及加热时间；化胶加热系统，根据所述加热温度及加热时间，对每个化胶单元中的待化胶的坨状石英晶体进行加热化胶借此，提高了石英晶体化胶机对坨状石英晶体化胶处理的效率，降低了操作的劳动强度。
一种石英晶体化胶机

[发明专利]像素电路及其驱动方法、显示装置-CN202010724831.9在审
发明人：王选芸;戴超 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：本申请提供一种像素电路及其驱动方法、显示装置，像素电路包括：有机发光二极管；驱动晶体管，驱动晶体管的输出端与有机发光二极管的阳极电连接；补偿晶体管，补偿晶体管的第一端与驱动晶体管的输出端连接，补偿晶体管的第二端与驱动晶体管的控制端电连接；初始化晶体管，初始化晶体管的输入端与初始化信号线连接，初始化晶体管的输出端与补偿晶体管的第二端连接，且初始化晶体管的输出端与驱动晶体管的控制端电连接；以及阳极复位晶体管，阳极复位晶体管的输入端与驱动晶体管的输出端以及补偿晶体管的第一端连接，阳极复位晶体管的输出端与有机发光二极管的阳极连接。
像素电路及其驱动方法显示装置

[实用新型]像素电路及显示装置-CN202021498190.1有效
发明人：王选芸;戴超 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：本申请提供一种像素电路及显示装置，像素电路包括：有机发光二极管；驱动晶体管，驱动晶体管的输出端与有机发光二极管的阳极电连接；补偿晶体管，补偿晶体管的第一端与驱动晶体管的输出端连接，补偿晶体管的第二端与驱动晶体管的控制端电连接；初始化晶体管，初始化晶体管的输入端与初始化信号线连接，初始化晶体管的输出端与补偿晶体管的第二端连接，且初始化晶体管的输出端与驱动晶体管的控制端电连接；以及阳极复位晶体管，阳极复位晶体管的输入端与驱动晶体管的输出端以及补偿晶体管的第一端连接，阳极复位晶体管的输出端与有机发光二极管的阳极连接。
像素电路显示装置

[发明专利]一种少电子多中心键晶体的设计方法及其获得的晶体-CN202111284066.4在审
发明人：胡超权;周子剑;李晓春;朱嘉琦;郑伟涛 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G16C20/70 文献下载
摘要：本发明属于晶体材料技术领域，具体涉及一种少电子多中心键晶体的设计方法及其获得的晶体，该设计方法包括如下步骤：1)计算候选晶体中阳离子和阴离子的离化度；2)计算候选晶体中阳离子和阴离子的杂化度；3)计算候选晶体中键的饱和度；4)以离化度、杂化度、饱和度为坐标轴建立三维坐标系，标记出离化度、杂化度、饱和度满足筛选条件的区域，区域内的材料即为少电子多中心键晶体。本发明通过将离化度、杂化度和饱和度的概念引入到少电子多中心键合晶体的设计中，提供了设计多中心键晶体的有效方法，为今后的科学技术工作者研究少电子多中心晶体中更加深刻的成键原因、键合机理、键合性质提供了新的思路
一种电子中心晶体设计方法及其获得

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