专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]CMOS射频功率放大器-CN201210405564.4有效
  • 朱红卫;刘国军;唐敏;刘燕娟 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2012-10-22 - 2016-11-30 - H03F3/189
  • 本发明公开了一种CMOS射频功率放大器,包括MOS晶体和双极型晶体,MOS晶体的偏置电路使MOS晶体工作于饱和区,通过调节双极型晶体的偏置电路来调节使其的集电极偏置电流的三阶非线性系数的绝对值大小接近MOS晶体的源漏偏置电流的三阶非线性系数的绝对值大小,由于两个晶体的三阶非线性系数的正负符合相反,能实现两个晶体的三阶非线性系数相互抵消并使抵消效果达到最优,从而能增加CMOS射频功率放大器的三阶截断点,以及能提高器件的线性度、改善器件的增益和噪声性能,使器件的整体功能得到提升和优化。
  • cmos射频功率放大器
  • [发明专利]非线性电路的晶体级分段线性建模及模型降阶方法-CN201010117126.9有效
  • 曾璇;杨帆;潘晓达 - 复旦大学
  • 2010-03-03 - 2011-09-21 - G06F17/50
  • 本发明属集成电路领域,涉及一种集成电路非线性电路的晶体级分段线性建模及模型降阶方法。该方法通过建立非线性电路的晶体级分段线性模型,通过加权方法从所有晶体的分段线性模型得到整个电路的模型,在此基础上对晶体级分段线性模型进行降阶。本发明解决了现有技术基于“轨迹”的分段线性非线性模型降阶所存在的空间覆盖率小的问题,显著提高轨迹分段线性方法在高维状态空间的覆盖率。如使用完整的晶体分段线性模型,获得的分段线性模型可以完整地覆盖所有的状态空间而不依赖于“训练”信号。
  • 非线性电路晶体管分段线性建模模型方法
  • [发明专利]一种ROF激光器的预失真电路及方法-CN201611083940.7有效
  • 范忱;王志功 - 东南大学
  • 2016-11-30 - 2019-04-30 - H03F3/193
  • 共栅放大器由第一NMOS晶体Q1,第二NMOS晶体Q2和第三NMOS晶体Q3三只NMOS晶体组成,其中第三NMOS晶体Q3工作在饱和区,而第二NMOS晶体Q2工作在亚阈值区,用来补偿晶体第三NMOS晶体Q3产生的非线性。第二NMOS晶体Q2和第三NMOS晶体Q3可以近似看成线性通路。第一MOS晶体Q1同样工作在亚阈值区,通过推挽放大器的增益来控制第一NMOS晶体Q1的三阶非线性的大小,第三NMOS晶体Q3作为整个预失真的非线性通路。
  • 一种rof激光器失真电路方法
  • [发明专利]A类推挽放大器-CN201080066545.2有效
  • 马西亚斯·摩仁瓦利;皮埃尔-埃马纽埃尔·卡莫 - 帝瓦雷公司
  • 2010-03-16 - 2013-01-30 - H03F3/30
  • 本发明涉及一种包含输入端(12)和输出端(14)的“推挽”放大器,该推挽放大器包含:主放大分支,其包括在两个电源电压(V+,V-)之间反向串联地连接的两个放大晶体(18、20),所述放大器的输出端(14)连接在两个晶体(18、20)之间;控制电路(22、24),其用于每个放大晶体(18、20),所述控制电路(22、24)连接到所述输入端(12),以便每个放大晶体(18、20)接收要放大的信号作为输入所述主放大分支在每个晶体(18、20)和所述输出端(14)之间包括具有非线性响应的单元(38、40),并且包括用于在针对每个晶体的所述控制电路(22、24)的输入端处引入非线性补偿信号的装置(30、32),所述非线性补偿信号适于在所述具有非线性响应的单元(38、40)中带来最小电流的流动。
  • 类推放大器
  • [实用新型]一种新型对称式晶体振荡触发器-CN201420629520.4有效
  • 王艳 - 成都实瑞达科技有限公司
  • 2014-10-28 - 2015-03-04 - H03K3/02
  • 本实用新型公开了一种新型对称式晶体振荡触发器,主要由一次晶体振荡电路和二次晶体振荡电路组成,其特征在于,还设有与一次晶体振荡电路和二次晶体振荡电路相连接的非线性对称触发电路;所述非线性对称发出电路由晶体Q1,晶体Q2,P极与晶体Q1的集电极相连接、N极顺次经电阻R5和电阻R6后与晶体Q2的集电极相连接的二极D1,P极与晶体Q2的集电极相连接等组成。本实用新型充分利用了非线性对称触发电路的非线性特性,因此能确保两不会同时出现截止情况,有利于运用电路的性能稳定。
  • 一种新型对称晶体振荡触发器
  • [实用新型]具温度补偿的反相非线性放大器电路-CN200820002852.4有效
  • 蔡昭宏 - 宁波环球广电科技有限公司
  • 2008-02-28 - 2009-01-07 - H03F1/30
  • 一种具温度补偿的反相非线性放大器电路,包括一放大器、一参考电阻、一非线性元件电路及一零位调整电路。其中,参考电阻耦接于放大器的反相输入端与输出端之间;非线性元件电路具有一第一晶体,其射极端耦接于一参考电压源,而基极端与集极端共同耦接于一传输路径,进而共同输入信号至放大器的反相输入端;零位调整电路具有一第二晶体及一分压电路,分压电路的高电位端耦接于电源端,偏压端耦接于放大器的非反相输入端,低电位端耦接于第二晶体的集极端,第二晶体的基极端与射极端则共同接地。其借由设置一晶体于零位调整电路,来补偿非线性元件电路的晶体的温度效应,可大幅降低反相非线性放大器电路的转换特性的温度偏移。
  • 温度补偿非线性放大器电路
  • [发明专利]具有垂直压缩模式的垂直偏转-CN94115641.9无效
  • J·A·韦尔伯 - 汤姆森消费电子有限公司
  • 1994-09-02 - 2003-07-02 - H04N3/16
  • 由一对晶体(U01C,U01B)构成的差分放大器把垂直锯齿信号(VRAMP1)加到垂直偏转放大器的输入端。晶体对的非线性供垂直方向的S形校正用。当维修操作中垂直高度被调整时,晶体对的电流发生变化,所以非线性也改变了。在垂直压缩工作模式中,锯齿信号的幅度减小。在垂直压缩模式时相应于给定垂直位置的给定电平的锯齿信号有关的非线性(VRAMP1/VSAW的比值)与垂直无压缩模式时相同电平的锯齿信号有关的非线性相同。
  • 具有垂直压缩模式偏转

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