专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种确定溶液晶体生长溶解度曲线光学显微技术-CN201510227560.5有效
  • 苏静;裴世鑫;王迪;桑琳;郝蒙萌;张黎 - 南京信息工程大学
  • 2015-05-06 - 2019-04-16 - G01N21/84
  • 本发明涉及一种确定溶液晶体生长溶解度曲线光学显微技术,使用微型溶液晶体生长装置来确定溶液晶体生长溶解度曲线,包括晶体生长槽和生长槽温度控制器,晶体生长槽上设有进气孔、出气孔和补料孔,首先在室温下量取适量晶体生长溶液,加入到微型溶液晶体生长装置晶体生长槽中;称取晶体,从补料孔加入到晶体生长槽中;待晶体充分溶解,通过生长槽温度控制器缓慢升高晶体生长槽内温度,与此同时,通过显微镜观察晶体生长槽内晶体溶解情况。本发明的确定溶液晶体生长溶解度曲线光学显微技术结合了晶体生长装置和显微技术,操作简单,易于观察,精度高,适用于多数无机、有机以及有机‑无机杂合溶液晶体测定。
  • 一种确定溶液晶体生长溶解度曲线光学显微技术
  • [发明专利]像素驱动电路、驱动方法及显示面板-CN202211700664.X在审
  • 杜辉;康报虹 - 惠科股份有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-05-16 - G09G3/3208
  • 像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、电容以及发光器件。其中,第三晶体管和第六晶体管中一个为P型薄膜晶体管,另一个为N型薄膜晶体管,且第三晶体栅极和第六晶体栅极均接入第二控制信号。在像素驱动电路中将P型薄膜晶体管和N型薄膜晶体管相结合使用,使得第三晶体管和第六晶体管可以共用一个控制信号,在减少控制信号同时,还能对薄膜晶体阈值电压以及电源电压进行补偿,从而使得显示均一化。
  • 像素驱动电路方法显示面板
  • [发明专利]像素驱动电路-CN202011430603.7有效
  • 张竞文;王贤军;王雅榕;苏松宇 - 友达光电股份有限公司
  • 2020-12-07 - 2022-09-13 - G09G3/3233
  • 像素驱动电路包含发光二极管、电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管。第一晶体管用以提供发光二极管驱动电流。发光二极管、第二晶体管、第一晶体管以及第三晶体管串联且电性连接于第一系统电压端和第二系统电压端之间。电容电性连接于第一晶体栅极端。第四晶体管以及第五晶体管串联且电性连接于第一晶体第一端。第六晶体管电性连接于第一晶体第二端。电容用以提供可调制电压至第一晶体栅极端以调整提供予发光二极管电流。
  • 像素驱动电路
  • [发明专利]半导体装置及存储器系统-CN201910733159.7有效
  • 安田阳平;栉部秀文;八木利弘 - 铠侠股份有限公司
  • 2019-08-09 - 2023-10-13 - G11C11/40
  • 一实施方式提供一种能够使差动放大电路动作电压范围宽域化半导体装置及存储器系统。根据一实施方式,在半导体装置第1差动放大电路中,第1晶体管用栅极接受输入信号。第2晶体管和第1晶体管构成差动对。第2晶体管用栅极接受参照信号。第3晶体管与第1晶体管串联地连接。第4晶体管与第2晶体管串联地连接。第5晶体管配设在输出侧。第5晶体管和第4晶体管形成第1电流反射镜电路。第6晶体管与第4晶体管并联地连接于第2晶体漏极。第6晶体管和第5晶体管形成第2电流反射镜电路。第1放电电路连接在第6晶体源极上。
  • 半导体装置存储器系统
  • [发明专利]电平转换器-CN201210513674.2在审
  • 王鑫;冯国友 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2012-12-04 - 2014-06-11 - H03K19/0175
  • 本发明公开了一种电平转换器,包括第一晶体管及第二晶体源极相连接在外部电源电压上,第一晶体栅极、第六晶体栅极及反向器输入端相连,反相器输出端、第二晶体栅极及第五晶体栅极相连,第一晶体漏极、第三晶体漏极、第四晶体栅极及第五晶体漏极相连,第二晶体漏极、第四晶体漏极、第三晶体栅极及第六晶体漏极相连,并作为电路输出端,第三晶体源极与第四晶体源极相连在外部负高压电源上,第五晶体源极及第六晶体源极接地。本发明不仅提高了电压翻转速度,而且减小了电路版图面积。
  • 电平转换器
  • [发明专利]多层晶体、探测器以及多层晶体键合方法-CN202210372850.9在审
  • 郑睿;肖鹏;吕旭东;谢庆国 - 苏州瑞派宁科技有限公司
  • 2022-04-11 - 2022-08-16 - G01T1/202
  • 本申请提出一种多层晶体、探测器以及多层晶体键合方法,其中,多层晶体中至少两层所述晶体基质种类相同,掺杂不同;多层晶体键合方法,包括步骤:利用抛光液将多层晶体中相邻两个闪烁晶体接触面进行抛光处理;去除闪烁晶体接触面的抛光液;使相邻闪烁晶体已抛光接触面对应接触并加热;向闪烁晶体施加压力,以加强闪烁晶体接触面的分子间连接;冷却。本申请提出多层晶体采用相同种类、不同掺杂晶体材料,相邻晶体耦合界面不会发生反射和折射,提高了可见光子传输效率。
  • 多层晶体探测器以及方法
  • [发明专利]功率转换器启动电路-CN200610109719.4有效
  • 杨大勇;黄志丰 - 崇贸科技股份有限公司
  • 2006-08-07 - 2007-02-07 - H02M7/515
  • 本发明是有关于一种功率转换器启动电路,其包含有一第一电晶体、一阻抗装置、一第二电晶体、一第三电晶体与一二极体。第一电晶体耦接一电压源。第三电晶体串联于第一电晶体,以依据电压源输出一供应电压至功率转换器一控制电路。二极体耦接于功率转换器一变压器绕组与控制电路,以供应另一供应电压至控制电路。第二电晶体依据一控制讯号控制第一电晶体与第三电晶体。阻抗装置耦接第一电晶体与第三电晶体。当第二电晶体截止时,阻抗装置提供一偏压,以使第一电晶体与第三电晶体导通;当第二电晶体导通时,第三电晶体截止,且第一电晶体为负偏压状态。
  • 功率转换器启动电路
  • [发明专利]功率转换器高压启动电路-CN200610081375.0有效
  • 黄志丰;杨大勇 - 崇贸科技股份有限公司
  • 2006-05-22 - 2006-11-08 - H02M7/48
  • 本发明是有关于一种功率转换器高压启动电路,其包含有一接面场效电晶体、一阻抗装置、一第一电晶体、一第二电晶体与一二极体。接面场效电晶体耦接一电压源。第一电晶体串联于接面场效电晶体,以依据电压源输出一供应电压至功率转换器一控制电路。二极体耦接于功率转换器一变压器绕组与控制电路之间,以供应另一供应电压至控制电路。第二电晶体依据一控制讯号控制第一电晶体与接面场效电晶体。阻抗装置耦接接面场效电晶体与第一电晶体。当第二电晶体截止时,阻抗装置提供一偏压,以使接面场效电晶体与第一电晶体导通;当第二电晶体导通时,第一电晶体截止,且接面场效电晶体为负偏压状态。
  • 功率转换器高压启动电路
  • [实用新型]功率转换器启动电路-CN200620123105.7无效
  • 杨大勇;黄志丰 - 崇贸科技股份有限公司
  • 2006-08-07 - 2008-03-26 - H02M7/537
  • 本实用新型是有关于一种功率转换器启动电路,其包含有一第一电晶体、一阻抗装置、一第二电晶体、一第三电晶体与一二极体。第一电晶体耦接一电压源。第三电晶体串联于第一电晶体,以依据电压源输出一供应电压至功率转换器一控制电路。二极体耦接于功率转换器一变压器绕组与控制电路,以供应另一供应电压至控制电路。第二电晶体依据一控制讯号控制第一电晶体与第三电晶体。阻抗装置耦接第一电晶体与第三电晶体。当第二电晶体截止时,阻抗装置提供一偏压,以使第一电晶体与第三电晶体导通;当第二电晶体导通时,第三电晶体截止,且第一电晶体为负偏压状态。
  • 功率转换器启动电路
  • [发明专利]像素电路及其驱动方法、显示装置-CN202010724831.9在审
  • 王选芸;戴超 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2020-07-24 - 2020-10-09 - G09G3/3233
  • 本申请提供一种像素电路及其驱动方法、显示装置,像素电路包括:有机发光二极管;驱动晶体管,驱动晶体输出端与有机发光二极管阳极电连接;补偿晶体管,补偿晶体第一端与驱动晶体输出端连接,补偿晶体第二端与驱动晶体控制端电连接;初始化晶体管,初始化晶体输入端与初始化信号线连接,初始化晶体输出端与补偿晶体第二端连接,且初始化晶体输出端与驱动晶体控制端电连接;以及阳极复位晶体管,阳极复位晶体输入端与驱动晶体输出端以及补偿晶体第一端连接,阳极复位晶体输出端与有机发光二极管阳极连接。
  • 像素电路及其驱动方法显示装置
  • [实用新型]像素电路及显示装置-CN202021498190.1有效
  • 王选芸;戴超 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2020-07-24 - 2021-01-01 - G09G3/3233
  • 本申请提供一种像素电路及显示装置,像素电路包括:有机发光二极管;驱动晶体管,驱动晶体输出端与有机发光二极管阳极电连接;补偿晶体管,补偿晶体第一端与驱动晶体输出端连接,补偿晶体第二端与驱动晶体控制端电连接;初始化晶体管,初始化晶体输入端与初始化信号线连接,初始化晶体输出端与补偿晶体第二端连接,且初始化晶体输出端与驱动晶体控制端电连接;以及阳极复位晶体管,阳极复位晶体输入端与驱动晶体输出端以及补偿晶体第一端连接,阳极复位晶体输出端与有机发光二极管阳极连接。
  • 像素电路显示装置

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